LỜI CẢM ƠN
Trước tiên em xin trân trọng bày tỏ lòng biết ơn chân thành và sâu sắc đến thầy
giáo TS.Trần Minh Thi, thầy đã hướng dẫn, giúp đỡ và cung cấp những kiến thức hết sức
quý giá giúp em hoàn thành luận văn này.
Em xin trân trọng cảm ơn các thầy giáo, cô giáo trong tổ Bộ môn Vật lý Chất rắn –
Điện tử, khoa Vật lý – Trường ĐHSP Hà Nội đã trang bị những tri thức khoa học và tạo
mọi điều kiện thuận lợi giúp đỡ em trong quá trình làm luận văn tại bộ môn.
Xin trân trọng cảm ơn đến thầy giáo TS.Đặng Xuân Thư, TS.Vũ Quốc Trung và
TS.Trần Công Việt, khoa Hóa Học–Trường ĐHSP Hà Nội đã cho em nhiều ý kiến đóng
góp quý báu trong quá trình thực nghiệm giúp em hoàn thành tốt luận văn.
Xin trân trọng cảm ơn đến thầy giáo TS.Phạm Văn Bền, Khoa Vật lý – Trường
ĐHKH Tự Nhiên – ĐH Quốc gia Hà Nội đã cung cấp những kiến thức khoa học quý báu,
giúp em nhiều phép đo huỳnh quang để cho em hoàn thành luận văn tốt hơn.
Tôi xin gửi lời cảm ơn đến BGH Trường ĐH Quy Nhơn, đã tạo điều kiện giúp đỡ
tôi trong suốt thời gian qua.
Cuối cùng con xin gửi lời cảm ơn chân thành tới bố mẹ, xin cảm ơn vợ, xin cảm ơn
anh chị và hai em, bạn bè và đồng nghiệp đã gần gũi, động viên và chia sẻ, giúp tôi khắc
phục khó khăn trong quá trình học tập, nghiên cứu và hoàn thiện luận văn.
Xin trân trọng cảm ơn!
Hà Nội, tháng 11 năm 2008
Tác giả
Nguyễn Minh Vương
i
MỤC LỤC
ii
MỞ ĐẦU
I- LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI
Với sự phát triển của khoa học và kĩ thuật, người ta đã chế tạo được
những tinh thể nhân tạo có kích thước nanomét. Hiện nay, việc nghiên cứu vật
liệu nano là một trong những lĩnh vực đỉnh cao sôi động nhất trong thời gian gần
quang điện tử như cửa sổ hồng ngoại, laser phát quang, màn hình hiển thị….
Mặc khác ta có thể điều khiển độ rộng vùng cấm cũng như mong muốn
thu được dải phát xạ khác trong vùng ánh sáng nhìn thấy của tinh thể ZnS. Các
hạt nano có thể được pha thêm các kim loại chuyển tiếp và các kim loại đất hiếm
như: Mn
2+
, Cu
2+
hoặc Eu
3+
…; thay đổi nồng độ pha tạp, bọc phủ Polymer, thay
đổi điều kiện chế tạo mẫu nhằm cải thiện tính chất quang của chúng.
Qua nhiều nghiên cứu cho thấy việc bọc phủ polymer đối với các hạt nano
ZnS không những có thể thay đổi độ rộng vùng cấm của vật liệu mà còn có thể
cách ly tốt vật liệu với môi trường nhằm tránh hiện tượng vật liệu bị oxy hóa,
ngăn cản sự kết tụ của các hạt lại với nhau để các tinh thể nano không lớn lên
thành tinh thể mẫu khối. Ngoài ra còn hi vọng tăng hiệu suất phát quang, tăng
cường độ phát quang của các tinh thể nano ZnS bọc phủ polymer so với các tinh
thể nano ZnS không bọc phủ polymer.
Từ những lý do trên đây và trên cơ sở trang thiết bị sẵn có của Trường Đại
học Sư phạm Hà Nội, chúng tôi chọn đề tài nghiên cứu là: "Nghiên cứu chế tạo
và một số tính chất quang của vật liệu nano ZnS:Mn không bọc phủ và bọc
phủ polymer"
II- MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU
Nghiên cứu chế tạo vật liệu ZnS:Mn có kích thước nano không bọc
phủ và bọc phủ polymer.
Nghiên cứu ảnh hưởng của chế độ xử lý nhiệt lên cấu trúc và tính chất
quang của mẫu bột và màng ZnS:Mn không bọc phủ polymer.
2
Nghiên cứu tính chất quang của mẫu màng ZnS:Mn bọc phủ polymer.
chiều đan xen nhau. Ví dụ: nanocomposit bạc/ silica, bạc/uretan….
1.1.2. Đặc trưng của vật liệu nano
Một đặc điểm quan trọng của vật liệu nano là kích thước hạt vô cùng nhỏ
bé, chỉ lớn hơn kích thước của nguyên tử 1 hoặc 2 bậc. Do vậy, tỉ số giữa số
nguyên tử nằm ở bề mặt trên số nguyên tử tổng cộng của vật liệu nano lớn hơn
rất nhiều so với tỉ số này đối với các vật liệu có kích thước lớn hơn.
4
Như vậy, nếu như ở vật liệu thông thường, chỉ một số ít nguyên tử nằm
trên bề mặt, còn phần lớn các nguyên tử còn lại nằm sâu phía trong, bị các lớp
ngoài che chắn thì trong cấu trúc của vật liệu nano, hầu hết các nguyên tử đều
được "phơi" ra bề mặt hoặc bị che chắn không đáng kể. Do vậy, ở các vật liệu có
kích thước nano mét, mỗi nguyên tử được tự do thể hiện toàn bộ tính chất của
mình trong tương tác với môi trường xung quanh. Điều này đã làm xuất hiện ở
vật liệu nano nhiều đặc tính nổi trội, đặc biệt là các tính chất điện, quang, từ, ….
Kích thước hạt nhỏ bé còn là nguyên nhân làm xuất hiện ở vật liệu nano
ba hiệu ứng: hiệu ứng lượng tử, hiệu ứng bề mặt, hiệu ứng kích thước.
Hiệu ứng lượng tử
Đối với các vật liệu vĩ mô gồm rất nhiều nguyên tử (1µm
3
vật liệu có
khoảng 10
12
nguyên tử), các hiệu ứng lượng tử được trung bình hóa cho tất cả
các nguyên tử, vì thế mà ta có thể bỏ qua những khác biệt ngẫu nhiên của từng
nguyên tử mà chỉ xét các giá trị trung bình của chúng. Nhưng đối với cấu trúc
nano, do kích thước của vật liệu rất nhỏ, hệ có rất ít nguyên tử nên các tính chất
lượng tử thể hiện rõ hơn và không thể bỏ qua. Điều này làm xuất hiện ở vật liệu
nano các hiện tượng lượng tử kỳ thú như những thay đổi trong tính chất điện và
tính chất quang phi tuyến của vật liệu, hiệu ứng đường ngầm
Hiệu ứng bề mặt
Nhóm đối xứng khơng gian của
tinh thể A
II
B
VI
ứng với mạng tinh thể này
Hình 1.1. Mô hình cấu trúc lập phương giả kẽm
[100]
[010]
[001]
6
là T
2
d
– F
43m
(216). Đây là cấu trúc thường gặp của ZnS ở điều kiện nhiệt độ áp
suất bình thường.
Trong ô cơ sở có 4 phân tử ZnS có tọa độ như sau:
)0,
2
1
,
2
1
();
2
1
3
,
4
3
,
4
1
();
4
1
,
4
1
,
4
1
(:4Zn
Mỗi nguyên tử Zn (S) được bao bọc bởi 4 nguyên tử S (Zn) ở 4 đỉnh của
tứ diện đều với khoảng cách
a
4
3
, với
)(410,5
o
Aa =
là hằng số mạng [phụ lục
III]. Mỗi nguyên tử S (Zn) còn được bao bọc bởi 12 nguyên tử còn lại, chúng ở
lân cận bậc hai nằm trên khoảng cách
a
1
();0,0,0(:2S
).
2
1
,
3
2
,
3
1
();,0,0(:2 uuZn +
với
8
3
≅u
Hình 1.2: Mô hình cấu trúc Wurtzite
7
Mỗi nguyên tử Zn liên kết với 4 nguyên tử S nằm trên 4 đỉnh của tứ diện
gần đều. Khoảng cách từ nguyên tử Zn đến 4 nguyên tử S một khoảng bằng
).( cu
còn 3 khoảng kia bằng
2
22
2
1
3
1
1
3
1
ca +
.
1.3. Tính chất quang
1.3.1. Cơ chế hấp thụ ánh sáng
Hệ số hấp thụ
α
có thể xem như xác suất hấp thụ photon, nếu trong bán
dẫn có một số cơ chế hấp thụ độc lập với nhau và mỗi cơ chế hấp thụ có thể đặc
trưng bởi một xác suất
)(
ωα
i
, thì xác suất tổng cộng của quá trình hấp thụ là:
∑
=
i
i
)()(
ωαωα
(1.1)
Như vậy, trong một vùng phổ cho trước cần phải tính đến các cơ chế hấp
thụ chủ yếu, cho đóng góp lớn nhất vào phổ hấp thụ. Quá trình hấp thụ ánh sáng
liên quan đến sự chuyển đổi năng lượng của photon sang các dạng năng lượng
khác của tinh thể nên có thể phân loại các cơ chế hấp thụ như sau:
8
a. Hấp thụ cơ bản (hấp thụ riêng)
3a
3b
3c
4
5
E
v
5a
3
E
a
E
d
E
c
E
exc
Hình 1.3: Sơ đồ chuyển mức điện tử khi vật liệu
bán dẫn hấp thụ ánh sáng.
2
1
(1a
)
2b
2c
2d
2a
E
c
E
Người ta phân biệt hai loại exciton Frenkel và exciton Wannier - Mott. Exciton
Frenkel (hay còn gọi là exiton phân tử) vì trạng thái ràng buộc này giữa electron
và lỗ trống chỉ ở trong phạm vi một phân tử (nguyên tử). Exciton Frenkel còn
gọi là exciton bán kính nhỏ có thể chuyển từ phân tử này sang phân tử khác và
(bằng cách đó) chuyển động trong tinh thể nhưng không tham gia dẫn điện.
Exciton Frenkel thường xảy ra trong các tinh thể phân tử với liên kết hóa học
Van der Waals. Khi điện tử và lỗ trống ở trạng thái liên kết với bán kính gấp
nhiều lần chu kỳ mạng tinh thể như trong các chất bán dẫn thì ta có exciton
Wannier. Exciton loại này thường xảy ra trong các tinh thể có sự phủ hàm sóng
lớn như trong tinh thể đồng hóa trị.
10
Cách mô tả đơn giản nhất cho trạng thái exciton Wannier là dùng mô hình
nguyên tử Hydro. Trong đó lỗ trống có khối lượng hiệu dụng
*
p
m
đóng vai trò
hạt nhân nguyên tử, còn electron có khối lượng hiệu dụng
*
n
m
. Nếu không để ý
đến chuyển động tâm khối của hai hạt đó thì năng lượng exiton
exc
E∆
(so với
trạng thái khi điện tử và lỗ trống ở cách xa nhau vô cực) sẽ có dạng:
)(
1
exciton.
Trong công thức (1.2) năng lượng được tính bằng eV và tính từ mốc là
đáy vùng dẫn. Chúng ta nhận thấy rằng năng lượng liên kết exciton gồm một
phổ gián đoạn, với mức cơ bản
)1(
exc
E∆
khi n=1 và bằng không khi n
=
∞
. Về bản
chất vật lý ta có thể quan niệm rằng mức cơ bản exciton nằm thấp hơn đáy của
vùng dẫn E
c
một khoảng năng lượng là
)1(
exc
E∆
, trạng thái kích thích tiếp theo thấp
hơn E
c
những lượng tương ứng là
4/
)1(
exc
E∆
,
9/
)1(
exc
phổ hấp thụ của hyđro, nằm gần bờ hấp thụ cơ bản và tiếp giáp với phổ hấp thụ
cơ bản tại
g
E∆=
ω
. Tuy nhiên do ảnh hưởng của dao động nhiệt của mạng tinh
thể và các sai hỏng khác mà các vạch phổ thường bị rộng (nhòe) ra, trong nhiều
trường hợp thậm chí bị lẫn vào phổ hấp thụ cơ bản.
c. Hấp thụ do tạp chất
Các tạp chất donor, acceptor được xét theo mô hình nguyên tử hyđro
thường cho các mức năng lượng gần đáy vùng dẫn (mức donor) và gần đỉnh
vùng hóa trị (mức acceptor) nên gọi là các mức nông. Bên cạnh những mức tạp
chất nông trong vùng cấm của chất bán dẫn còn gặp nhiều trạng thái định xứ có
mức năng lượng cách xa hai bờ vùng, nghĩa là nằm khoảng giữa hai vùng cấm,
đó là các tâm sâu. Để giải thích sự tồn tại của các mức năng lượng sâu, người ta
sử dụng một trường thế bị chặn với giả thiết rằng điện tử trong các nguyên tử tạp
chất đó tương tác rất yếu với các nguyên tử cơ bản, quỹ đạo của điện tử có bán
kính rất nhỏ. Ngoài ra, các dạng khuyết tật khác của tinh thể như nút khuyết,
lệch mạng…cũng có thể gây nên những nhiễu loạn trường tinh thể và vì thế sinh
ra các trạng thái định xứ trong tinh thể. Các trạng thái đó cũng có thể là nguồn
cung cấp các điện tử hay lỗ trống, nghĩa là có thể là các mức donor, acceptor hay
là các tâm sâu.
Các chuyển mức trong quá trình hấp thụ tạp chất (3, 3a, 3b, 3c) và các
chuyển mức giữa các mức tạp chất (4) trên hình 1.3 ứng với trường hợp nguyên
tử tạp chất chuyển từ trạng thái trung hòa sang trạng thái ion (3, 3a) hoặc ngược
lại (3b, 3c). Phổ hấp thụ với chuyển mức 3, 3a, 3b, 3c đối với các trạng thái tạp
chất nông nằm cách nhau rất xa. Chuyển mức 3, 3a nằm trong vùng hồng ngoại
xa, chuyển mức 3b, 3c và 4 nằm gần bờ hấp thụ cơ bản. Nếu những chuyển mức
12
này xảy ra giữa các tâm sâu thì những đóng góp của chúng cho phổ hấp thụ nằm
EEE
adg
0
2
4
πεε
ω
+∆−∆−∆=
(1.5)
Trong đó số hạng cuối cùng trong (1.5) mô tả năng lượng tương tác
Coulomb giữa ion donor và ion acceptor định vị cách nhau một khoảng r.
d. Hấp thụ do hạt dẫn tự do
Các mức chuyển 2, 2a, 2b, 2c, 2d ở hình 1.4 là các chuyển mức của hạt
dẫn tự do trong vùng năng lượng cho phép (2, 2a) và giữa các vùng con cho
phép (2b, 2c, 2d). Phổ hấp thụ với chuyển mức của hạt dẫn tự do trong vùng cho
phép có dạng một đường cong thay đổi đơn điệu chứ không có dạng một cực
đại, đó là hấp thụ không chọn lọc do các hạt dẫn tự do. Ngược lại phổ hấp thụ
với chuyển mức giữa các vùng con cho phép trong vùng năng lượng cho phép
thay đổi có quy luật tán sắc, bao gồm các cực đại và các cực tiểu xen kẽ nhau,
đó là hấp thụ có chọn lọc do hạt dẫn tự do. Hấp thụ chọn lọc do hạt dẫn tự do có
thể do các chuyển mức thẳng không có sự tham gia của phonon. Thực nghiệm
cho thấy hấp thụ do các hạt dẫn tự do tăng rất mạnh trong vùng phổ hồng ngoại.
e. Hấp thụ do phonon
Các bán dẫn hợp chất được cấu tạo từ các nguyên tử khác loại, có thể
được coi như là một tập hợp các lưỡng cực điện. Các lưỡng cực đó có thể hấp
thụ năng lượng của trường điện từ trong ánh sáng. Sự hấp thụ là mạnh nhất khi
13
tần số bức xạ điện từ bằng tần số dao động riêng của lưỡng cực. Đó là các tần số
ứng với ánh sáng trong vùng hồng ngoại xa. Thường thì phổ là phức tạp, bao
gồm nhiều loại dao động chuẩn. Để thỏa mãn định luật bảo toàn xung lượng, cần
năng lượng giải phóng ra được truyền cho dao động mạng tinh thể,
nghĩa là làm phát sinh các phonon.
Tái hợp Auger ( là dạng tái hợp không bức xạ): khi năng lượng được
truyền cho hạt thứ ba làm cho hạt dẫn này "nóng" lên. Hạt dẫn
"nóng" này qua số lần tán xạ trên các ion nút mạng truyền hết năng
lượng cho mạng tinh thể. Xác suất của tái hợp Auger thường không
lớn vì đòi hỏi của sự "gặp gỡ" cùng một lúc ba hạt dẫn.
Theo cơ chế vật lý của quá trình có thể chia thành các dạng sau:
a. Tái hợp vùng - vùng (tái hợp cơ bản hay tái hợp trực tiếp)
Một điện tử tự do trực tiếp "gặp" một lỗ trống và tái hợp với nhau. Thực
chất là một điện tử ở trên vùng dẫn chuyển mức xuống một trạng thái trống
trong vùng hóa trị.
Nếu bán dẫn có vùng cấm thẳng (cực tiểu của vùng dẫn và cực đại của
vùng hóa trị ở cùng một giá trị của vectơ sóng) thì quá trình tái hợp không đòi
hỏi có sự tham gia của phonon. Xác suất của sự chuyển mức thẳng này thường
15
lớn. Tái hợp thẳng vùng-vùng đặc trưng bởi sự mở rộng phổ về phía năng lượng
thấp khi nhiệt độ tăng, trong khi đó phía năng lượng thấp phổ bị chặn bởi
g
E=
ω
.
Nếu bán dẫn có vùng cấm xiên (cực tiểu của vùng dẫn và cực đại của
vùng hóa trị không ở cùng một giá trị của vectơ sóng), thì quá trình tái hợp đòi
hỏi có sự tham gia (phát xạ hay hấp thụ) của phonon. Xác suất của sự chuyển
mức xiên thường nhỏ hơn xác suất của sự chuyển mức thẳng.
Nếu trong bán dẫn đồng thời xảy ra các chuyển dời thẳng lẫn chuyển dời
xiên thì phổ huỳnh quang sẽ quan sát được hai dải: dải sóng dài do chuyển dời
xiên và dải sóng ngắn do chuyển dời thẳng.
b. Tái hợp qua tâm (tái hợp gián tiếp)
Trong phổ huỳnh quang của các hạt nano ZnS:Mn (hình 1.8), ở nhiệt độ
thấp hơn 200
o
C, có một đỉnh phát xạ xanh (440nm) và một đỉnh phát xạ màu da
cam (590nm). Phát xạ cam được gán cho sự dịch chuyển mức
4
T
1
–
6
A
1
của ion
Mn
2+
. Bột nano ZnS:Mn được nung trong 2h với nhiệt độ từ 100→300
o
C. Thành
phần hợp chất hầu như không thay đổi khi nhiệt độ nung thay đổi từ 100 đến
200
o
C. Ngược lại có thể thấy rằng, với nhiệt độ nung cao hơn 200
o
C, hầu hết các
ion Mn
2+
thoát khỏi chất nền ZnS, phát xạ tại đỉnh 590nm không còn nữa và phổ
huỳnh quang trở nên mở rộng ra. Các đỉnh mở rộng là đặc trưng của các tâm sai
hỏng khác nhau trong vùng cấm của các hạt nano ZnS cùng với lượng tăng của
{a}
cỏc nhit khỏc nhau
Hỡnh 1.9: Ph hunh quang ca mu ZnS:Mn,
%Mn=8, 9,10, 11, 12%
b. nh hng ca nng tp cht Mn
Theo cỏc tỏc gi thỡ h nghiờn cu nh hng ca hm lng Mn thay
th ZnS lờn ph hunh quang ca h bt nano ZnS. Cỏc mu ZnS:Mn c ch
to bng phng phỏp húa t cú hm lng Mn thay th cho Zn c thay i
t 0%, 0,25%, ti 12% nguyờn t. Kt qu nghiờn cu cho thy cỏc mu u
phỏt quang mnh trong vựng cú bc súng t 361752nm.
18
Đặc biệt ở tất cả các mẫu đều xuất hiện đỉnh ứng với bước sóng 484nm,
ứng với nồng độ Mn là 2,5% thì phổ huỳnh quang của mẫu xuất hiện thêm một
đỉnh tại bước sóng 596(nm). Khi nồng độ Mn tiếp tục tăng lên thì cường độ của
bức xạ xanh do ZnS phát ra giảm dần, còn bức xạ đặc trưng do sự đóng góp của
Mn tăng dần. Ứng với nồng độ Mn là 9% cường độ huỳnh quang tăng mạnh ở
vùng bức xạ cam, tuy nhiên cường độ huỳnh quang tại vùng bức xạ xanh vẫn rất
mạnh (hình 1.9).
Chính vì lẽ đó trong luận văn này, chúng tôi chọn hàm lượng Mn thay thế
cho Zn trong mẫu ZnS là 9% để chế tạo và khảo sát mẫu.
c. Ảnh hưởng của Polymer đối với vật liệu nano
Nhóm tác giả đã tổng hợp vật liệu ZnS bọc phủ Polystyrene (PS) bằng
phương pháp lắng đọng hóa học từ pha lỏng. Kết quả đo phổ nhiễu xạ tia X đối
với các hạt ZnS và các hạt PS@ZnS (ký hiệu của tác giả đối với hạt ZnS bọc
phủ PS) cấu trúc lõi - vỏ với bề dày vỏ polystyrene là 200nm và 2µm được so
sánh như trong hình 1.10. Các đỉnh của các mẫu có cấu trúc lõi vỏ tương ứng
với các mặt phản xạ (111), (220) và (311) của cấu trúc tinh thể sphalerite. Vị trí
đỉnh, đường cong fit, và tính toán từ độ bán rộng của đỉnh nhiễu xạ cho ta kích
thuớc hạt tinh thể lần lượt là 6,6; 4,7 và 3,3nm tương ứng với các hạt ZnS sạch,
PS@ZnS cấu trúc lõi vỏ với chiều dày vỏ là 200nm và 2µm. Như vậy ta thấy
hàm lượng PS khi tổng hợp mẫu càng tăng thì kích thước hạt càng giảm.
trung bình
(nm)
Hiệu suất
lượng tử
(%)
PVB 10 2,38 3,2 3,5
PVA 1,5 0,96 3,7 2,7
Không bọc 1,5 0,48 4,3 1,6
MA 1,5 0,35 4,1 1,0
PP 0,7 0,13 3,0 4,5
20
Kết quả trong bảng 1.1 cho thấy rằng khi thay đổi polymer thì dẫn đến
nhiều yếu tố khác cũng thay đổi theo, chẳng hạn như kích thước hạt trung bình
và hàm lượng Mn thực tế đi vào trong hạt nano. Chính vì vậy, thật khó để có thể
chỉ nghiên cứu ảnh hưởng của polymer, vì rằng những thay đổi về kích thước
hạt, nồng độ Mn và những sai hỏng bề mặt làm ảnh hưởng đến hiệu suất lượng
tử của các hạt nano.
Ta thấy lượng Mn
2+
trong hạt nano ít hơn nhiều so với lượng Mn
2+
sử
dụng để tổng hợp. Ngoài ra, sự khác nhau giữa phần trăm Mn
2+
dùng để tổng
hợp và phần trăm Mn
2+
có trong mẫu thì phụ thuộc vào polymer sử dụng.
Đối với mẫu phủ PVA, MA và mẫu không có polymer, nồng độ Mn
2+
pháp vật lí và nhóm các phương pháp hóa học.
Nhóm các phương pháp vật lí bao gồm: bốc bay nhiệt trong chân không,
phún xạ cao áp cao tần, bay hơi chùm điện tử, epitaxi chùm phân tử, lắng đọng
bằng xung Laser,…. Ưu điểm của nhóm phương pháp này là chế tạo được mẫu
với độ tinh khiết cao, đồng nhất về quang học và mật độ hạt cao. Tuy nhiên các
22
phương pháp này đòi hỏi cao về công nghệ chế tạo như phải thực hiện trong các
môi trường chân không cùng với các thiết bị phức tạp.
Nhóm các phương pháp hóa học bao gồm: Phương pháp Sol-gel, nhúng
keo, phương pháp phun tĩnh điện, lắng đọng điện hóa, phương pháp đồng kết
tủa, phương pháp cấy ion, phương pháp hóa ướt….Ưu điểm của phương pháp là
dễ áp dụng, giá thành thấp, có thể thay đổi dễ dàng nồng độ pha tạp và có khả
năng đưa vào chế tạo hàng loạt. Nhược điểm của phương pháp này là độ tinh
khiết của mẫu không cao, phụ thuộc vào môi trường nên không ổn định.
Trong các phương pháp trên, phương pháp hóa ướt (wet chemical method)
có những ưu điểm riêng về mặt công nghệ, giá thành cũng như triển vọng trong
chế tạo mẫu. Trong luận văn này chúng tôi chế tạo mẫu ZnS:Mn
2+
bằng phương
pháp hóa ướt. Sự hợp tác chặt chẽ trong công tác nghiên cứu khoa học của cán
bộ khoa Vật lý và khoa Hóa học cũng là điều kiện rất thuận lợi giúp chúng tôi có
thể tiến hành các thí nghiệm chế tạo mẫu theo phương pháp này ở phòng thí
nghiệm của cả hai khoa.
2.1.2. Hóa chất và thiết bị chế tạo mẫu
Hóa chất
Muối Zn(CH
3
COO)
2
.2H
]
n
); Poly styrene (PS_C
3
H
4
O
2
)
n
.
Xylen [C
8
H
10
]_M
w
=106,17 g/mol.
Dụng cụ
23
Copyright: Tài liệu đại học ©