và Mn
i hc Khoa hc T nhiên
ngành: ; 60 44 07
2012
Abstract:
--yAlyO.
Keywords: ; ; ;
Content
MỞ ĐẦU
hu
công ngh :
thâ
Trong này, ,
u) và (1/3; 2/3; 1/3 +
uu = 3/5. (hình 1. Hình 1.1: Cấu trúc lục giác wurtzite [3].
6] là:
1.2. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO dạng lục giác wurtzite:
A
II
B
VI
A
II
B
VI
ng.
u wurtzite. [3]
Al
x
O
Hình 1.3: Đường cong từ hóa phụ thuộ c nhiệ t độ củ a dây Zn
1-x
Mn
x
O (x = 0,13) tạ i từ
trường 500 Oe. Phía góc trên là đ ường từ trễ củ a quá trình từ hóa thu đ ược ở nhiệ t
độ 5K [5].
Hình 1.2: Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng (a)- theo Birman và (b)- theo Thomas
của ZnO ở lân cận k=0.
4
2.2. Các phép đo
2.2.1. Phép đo tính chất cấu trúc:
2.2.1.1. Phép đo nhiễu xạ tia X (XRD):
t, p
2.2.1.2. Phép đo hiển vi điện tử quét (SEM):
. và nguyên SEM mô trên hình 2.3.
O
-ng laser kích thích là 632,8
nm.
2.2.1.5. Phép đo tính chất điện
:
CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
Trong
,
1-x
Mn
x
1-
y
Al
y
0
"
2
Gt
fA
6
Nhìn vào ph nhiu x ta thy: Tt c các mu có cu trúc lc giác wurtzite vnh
ng là (100), (002), (101), (102), (110), (103) .
3.1.1.2. Ảnh SEM và phổ tán sắc năng lƣợng EDS của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O:
Ảnh SEM:
nh SEM ca h mu khi Zn
1-x
Mn
x
O nung 1100
o
Zn
1-x
Mn
x
O
x=0,10
x=0,08
x=0,06
x=0,04
x=0,02
*: ZnMn
2
O
4x=0,00
Hình 3.1: Phổ nhiễu xạ tia X (XRD) của hệ mẫu khối Zn
1-x
Mn
x
O. 7 e) x = 0,08
f) x = 0,10
. H3.7 3.12
0,00 0,10.
8
200 300 400 500 600 700 800 900
0
100
200
300
Mn
x
O.
200 300 400 500 600 700 800 900
2000
4000
6000
8000
C-êng ®é (®.v.t.®)
Sè sãng (cm
-1
)
ZnO
332 cm-1
378 cm-1
412 cm-1
437 cm-1
528 cm-1
Hình 3.4: Phổ tán xạ Raman của mẫu ZnO chưa pha ta
̣
p.
Khi tng n pha t s d
chuy c các nh
-1
và 522 cm
-1
sang 414 cm
9 Hình3.5: Đường cong từ trễ của hệ mẫu khối Zn
1-x
Mn
x
O.
3.2. Kết quả đo của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O:
3.2.1. Kết quả đo tính chất cấu trúc của hệ mẫu Zn
1- y
Al
y
O:
3.2.1.1. Phổ nhiễu xạ tia X:
3.14 l
1-y
Al
y
O.
20 30 40 50 60 70
Hình 3.6: Phổ nhiễu xạ tia X của hê
̣
Zn
1-y
Al
y
O.
(XRD) ta trên
a ZnO.
3.2.1.2. Ảnh SEM và phổ tán sắc năng lƣợng EDS của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O
ẢNH SEM 10
3.7 nh SEM
1-y
Al
y
O
hàn trong
1-y
Al
y
O,
tán sc
EDS g.
11
Trên O, Al
1-y
Al
y
O.
3.2.2. Kết quả đo Raman của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O:
3.2.3.1. Kết quả đo giá trị của điện dung (C):
Zn
1-y
Al
y
200 300 400 500 600 700 800 900
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
C-êng ®é (®.v.t.®)
Sè sãng cm-1
0 %
Al- 3%
Al-6%
Al-9%
Al-12%
Al-15%
E
2LOW
A
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
C (nF)
F (Khz)
0% 3 %
6% 9%
12% 15%
Hình 3.9 : Giá trị điện dung của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O
i 13MHz), có
0.
3.2.3.2. Kết quả đo giá trị của độ dẫn điê
̣
n (G):
n.
2
4
6
8
10
G (mS)
F (khz)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
Hình 3.10: Giá trị độ dẫn phụ thuộc tn số của hê
̣
mẫu Zn
1-y
Al
y
O.
13
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
-400
0
400
800
1200
3.29. 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
0
50
100
150
200
250
300
PhÇn ¶o ®iÖn m«i
F (Khz)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
0 50 100 150 200
0
50
100
150
200
250
300
PhÇn ¶o ®iÖn m«i
F (Khz)
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
tg theta
F (KhZ)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
Hình 3.13: Giá trị của tg(
) phụ thuộc tn số của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O
3.13 : n()
1-y
Al
y
MHz.
x =
0,02; 0,04; 0,06 và 0,08.
K (
6%
.
(2008). Giáo Trình Vật Liệu Từ.
[11]. Tô Thành Tâm (2011). Chế tạo và nghiên cứu tính
chất điện của vật liệu ZnO pha tạp P
(2006)tạo và khảo sát một số tính chất của vật liệu bán dẫn ZnO pha
tạp Mni.
(2012) Chế tạo và nghiên
cứu vật liệu ZnO pha tạp Mn
(2010), Giới thiệu về phương pháp SEM, TP.HCM.
Tiếng Anh
[15]. Ahuja R., Lars Fast, Eriksson O., Wills J. M. and Johansson B (1998), “Elastic and high
pressure properties of ZnO”, Journal of Applied Physics, 83 (12), 8065-8067.
[16]. Birman(1959), Phys. Rev. Lett. 2, 157.
16
[17]. Cari F. Herrmann, Frank W. DelRio, David C. Miller, Steven M. George,Victor M. Bright,
Jack L. Ebel, Richard E. Strawser, Rebecca Cortez, Kevin D. Leedy(2007) Alternative
dielectric films for rf MEMS capacitive switches depositedusing atomic layer deposited Al
2
O
3
/ZnO alloys135 .
[18]. Chang Y.Q, Way D.B., Luo X.H, Chen X.H (2003)Magnetic properties of Mn_doped ZnO
nanowiresAppl. Phys. Lett 83, 4020.
[19]. Chen, T.H. Fang, F.Y. Hung, L.W. Ji, S.J. Chang, S.J. Young, Y.J. Hsiao (2008) The
crystallization and physical properties of Al-doped ZnO nanoparticles
Science 254, 57915795.
[20].Chen, T.H. Fang, F.Y. Hung
4748.
[34 (2006)
tem
Sci, 7(2), , 153-159.
[35]. Murday, J. S, (2002), AMPTIAC Newsletter 6 .
[36]. -J. Cho, H.
Morkoçd (2005), J.Appl.Phys 98, 041301.
[37]. Pauling, L., The Nature of the Chemical Bond (3rd Edn.), Ithaca, NY: Cornell University
Press, (1960).
[38]. Rubi, A. Calleja, J. Arbiol, X.G. Capdevila, M. Segarra, Ll. Aragonès and J. Fontcuberta
(2007), Structural and magnetic properties of ZnO:TM (TM:Co,Mn) nanopowders J.
Magn. Magn. Mater. 317 e211-e214.
[39]. Sedky, Ayman Al- Sawalha and Amal M. Yassin (2008), Enhancement of Electrical
Conductivity of ZnO Ceramic Varistor by Al doping AVol. 31, No. (2),
205 - 213.
[40]. Shih-Shou Lo, Dison Huang, Chun Hsiang Tu, Chia-Hung Hou, and Chii-Chang Chen(2009),
Raman scattering and band-gap variations of Al-doped ZnO nanoparticles synthesized by a
chemical colloid process42 ,095420.
[41]. Shufen Wang, Zhicheng Zhang, Huarong Liu, Wei Zhang, Zhen Qian, Bibo Wang (2010),,
Colloid Polym Sci , 288, 1031–1039.
[42]. Te-Hua Fang, and Shao-Hui Kang (2010) Physical Properties of ZnO:Al Nanorods for
Piezoelectric Nanogenerator ApplicationVol 6, No. 5, 505 - 511.
[43]. Thomas, J. Phys. Chem. Solids, 15, (1960), pp.86.
18
[44]. M. Tzolov, U. N. Tzenov, D. Dimova-Malinovska, M. Kalitzova, C. Pizzuto, G. Vitali, G.
Zollo, I. Ivanov, (2000), Vibrational properties and structure of undoped and Al-doped ZnO
films deposited by RF magnetron sputtering Thin Solid Films 379, 28 - 36.
[45]. V. Vaithianathan, B. T. Lee, C. H. Chang, K. Asokan, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 88,
(2006),112103.