1 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ PHẠM THỊ LIÊN
CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU DÂY NANO
(Eu,Tb)PO
4
.H
2
O NHẰM ỨNG DỤNG TRONG Y SINH CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU DÂY NANO
(Eu,Tb)PO
4
.H
2
O NHẰM ỨNG DỤNG TRONG Y SINH Chuyên ngành : Vật liệu và linh kiện Nanô
Mã số : Chuyên ngành đào tạo thí điểm
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANÔ
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC
TS. Nguyễn Thanh Hường
2
O 24
2.1.1 Hóa chất 24
2.1.2 Bảng thí nghiệm 25
2.1.3 Dụng cụ thí nghiệm 25
2.1.4 Pha hóa chất 25
2.1.5 Tiến hành thí nghiệm 26
2.2 Giai đoạn 2. Hoạt hóa bề mặt dây nano (Tb/Eu)PO
4
.H
2
O 28
2.2.1 Bọc vỏ dây Tb/EuPO
4
.H
2
O bằng Silica (SiO
2
) 28
2.2.2 Bọc Tb/EuPO
4
.H
2
O@SiO
2
–NH
2
29
2.2.3 Hoạt hóa bằng Glutaraldehyde (GDA) – IgG (Immunoglobulin G) 29
2.3 Các phƣơng pháp nghiên cứu hình thái học, cấu trúc và tính chất
XRD
X-ray diffraction
Nhiễu xạ tia X
5
ETOH
Ethanol
6
IgG
Immunoglobulin G
7
GDA
Glutaraldehyde
8
APTMS
3-Aminopropyl – trimethoxysilar
9
Microwave
Phương pháp vi sóng
10
TEOS
TetraEthylOrthoSilica
11
PBS
Phosphate Buffered Saline
12
EDTA
Ethylendiamintetraaceticacide
13
MEM
Minimum Essential Medium Eagle
Hình 1. 9 Sơ đồ các mức năng lượng của Eu
3+
và Tb
3+
[3, 37, 43]. 18
Hình 1. 10: Giản đồ mức năng lượng của các ion RE
3+
- Giản đồ Dieke 18
Hình 2. 1 Ảnh thiết bị tổng hợp vi sóng 26
Hình 2. 2 Sơ đồ thí nghiệm tổng hợp Dây (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O 27
Hình 2. 3 Sơ đồ chuyển dời giữa các mức năng lượng của điện tử. 30
Hình 2. 4 Sơ đồ hệ đo phổ huỳnh quang. 31
Hình 2. 5 Hệ đo quang huỳnh quang iHR550 tại Viện Khoa học Vật liệu 31
Hình 2. 6 Sơ đồ nhiễu xạ tia X từ một số hữu hạn các mặt phẳng 32
Hình 2. 7 Thiết bị nhiễu xạ tia X D5000 do hãng SIEMENS 33
Hình 2. 8 Sơ đồ cấu tạo máy TEM 34
Hình 2. 9 Kính hiển vi điện tử truyền qua (JEM1010-JEOL). 34
Hình 2. 10 Sơ đồ cấu tạo máy SEM 36
Hình 2. 11 Ảnh kính hiển vi điện tử quét tại Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung
ương (Hitachi S - 4800) 36
Hình 3. 1 Kết quả đo SEM của mẫu (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O với các tỷ lệ nồng độ
Eu
.H
2
O với các tỷ lệ nồng
độ Eu
3+
:Tb
3+
thay đổi từ 1/1 đến 1/16 39
58 Hình 3. 5 Phổ huỳnh quang của mẫu EuPO
4
.H
2
O và (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O với các
tỷ lệ nồng độ Eu
3+
:Tb
3+
là 1/2 đến 1/8 40
Hình 3. 6 Phổ huỳnh quang của mẫu tỷ lệ Eu/Tb = 1/8 bọc và chức năng
hóa…………………………………………………………………………… 40
Hình 3. 7 Mô hình virút cowpea, sởi và Rota 41
Hình 3. 8 Sơ đồ nguyên lý phương pháp phân tích đánh dấu huỳnh quang
59 DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
Bảng 1. 1 Mối quan hệ giữa kích thước và số nguyên tử bề mặt. 9
Bảng 1. 2 Các ion nguyên tố đất hiếm hóa trị 3 [5] 11
Bảng 2. 1 Bảng thí nghiệm (Tb,Eu)PO
4
25
Bảng 2. 2 Các thông số thí nghiệm 28
trin vng lng dng y sinh hc [31, 36, 39, 40, 44].
Vt li ng dng trong sinh h c ca
c vc ca t - 100 nm), virus (20 - 450 nm),
protein (5 - 50 nm), DNA (2 nm r- 100 nm chic
nh ng vi vic th sinh h
th c virus [1]. ng dng ca vt liu nano trong
sinh hc rt r t tr snh
trong cng t hng dng
hp vt liu) [40]t lit nhim
c, khng m nh chn lc,
gim thin truyn thuc.
giu khoa hc thuc vt li
c mt s kt qu ng
sinh hn quan tr
a bc kho cho cng [32]
nhm bi vt linh quang.
Cm bi quan tr
n quan trng c s protein, polipeptid, axit
chc s virus. Trong y t
ph nh s
chng, cha tr u qu.
u sinh hc bng v bc x ng
c ng dng t nhy rt cao (10
-9
- 10
-11
m v c ngn n
c ph cp rt hn chu (label)
4
Theo mp th khoa hc ca PGS Tr
Qung hp mi vt
lit hi
cao hiu sun ti tp th khoa h
ch ch to vt lit him, c th
t liu ch nh quang
mnh. cu ch t t him m c
u m ng dng trong y sinh hc m ra mt
5 u nhiu trin vng [31, 35, 37, 39].
c lp cc cc Minh Nghiên
cứu chế tạo vật liệu nanô chứa đất hiếm huỳnh quang mạnh nhằm liên hợp sinh
học để phát triển công nghệ đánh dấu huỳnh quang có triển vọng ứng dụng
trong nông y sinhc hin t
c hi u Chế tạo và tính chất của vật liệu dây nano
Eu/TbPO
4
.H
2
O nhằm ứng dụng trong y sinh”, t phn c trong
a tp th vi m
Tng hp nano cht him Tb
3+
, Eu
3+
quang cao. Kh c nhm ng dng trong vic
u hunh quang, th nghim vi virus si.
2
ng
amin vi phn t sinh hu ni GDA (glutaraldehyde).
ng dng th nghim trong vic nhn dng virus si. 6 CHƢƠNG 1 : TỔNG QUAN
1.1 Vật liệu phát quang
Vt lii vt li chuyi mt s d
c x n t i mc bc x nhit. Bc x n t
nm t ng ngo ngong ny.
Vt liu hu b i nhiu lo
bc x n tn t t liu bng hiu
n th c phn c. Hình 1. 1 Ion huỳnh quang A trong mạng của nó. HEAT: sự trở về không
bức xạ tới trạng thái cơ bản.
Vt liu hunh quang bao gm mt mng ch nh quang
c g1. vi vt liu hu
YVO
4
:Eu
3+
[29] mng ch
4
2
*. Điều này ngăn cản mức chuyển đổi
ngược.
ng Ca
5
(PO
4
)
3
F:Sb
3+
, Mn
2+
. Bc
x t ngo hp th bi Mn
2+
i Sb
3+
i bc x t ngo
x gm mt phn mu xanh da tri ca Sb
3+
t phn ma Mn
2+
.
B
2+
c ti
c truyn t Sb
3+
ti Mn
1.2.1 Vật liệu phát quang cấu trúc nano
Vt lit liu hu
t c sp xc c nanomet. Vt liu
ng: ht nano (nanoparticles), thanh nano (nanorods), ng
m nano, di nano (nanobelts)
Nhia vt liu ph thung
c c nano, c ng bi s
mt, bi hiu ng t cn tt li
cht mi l so vi mu dng khi. S t v t ca vt liu nano so
vi vt liu kh hai hing sau:
9 Hiệu ứng bề mặt
Khi vt lic nh s gia s m
tng s ca vt li
t liu t u.
Nu gi n
s
n mng s i
gia hai con s
n
s
= 4n
2/3
T s gia s mng s s
f = n
s
Bng 1. 1 Mối quan hệ giữa kích thước và số nguyên tử bề mặt.
Kích
thƣớc
hạt (nm)
Số nguyên
tử
Tỉ số nguyên tử
tại bề mặt (%)
Năng lƣợng bề
mặt (erg/mol)
Năng lƣợng bề
mặt/ năng
lƣợng tổng (%)
10
3.10
4
20
4,08.10
11
7,6
4
4.10
3
40
8,16.10
Hiệu ứng kích thƣớc
t vc ca ct lit gii hn v
c. Nu vt li t c
i ta gc ti hn. Vt lic
bic c c vc ti hn c
t ca vt lii bt c vt li
thuu.
S t ca vt li
h ng dng, tt quang mi l c
hiu , hiu ng t huu ng dp
tt hunh quang [2, 4, 7].
1.2.2 Vật liệu nano phát quang chứa đất hiếm
11 1.2.2.1 Cấu trúc điện tử của các ion đất hiếm
C t hi h
lantanit (Ln). H lantanit bao g : lantan (La), xeri (Ce),
praseodim (Pr), neodim (Nd), prometi (Pm), samari (Sm), europi (Eu), gadolini
(Gd), tecbi (Tb), dysprosi (Dy), honmi (Ho), ecbi (Er), tuli (T
lutexi (Lu).
C t him [45, 46]:
1s
2
2s
2
2p
6
3s
3 (Ln
3+
c cng nn r
t
3 trong c
n
5s
2
5p
6
ng 1.2
Bảng 1. 2 Các ion nguyên tố đất hiếm hóa trị 3 [5]
STT
Ln
C n t
Ln
Ion Ln
3+
Cn t
3+
57
La
[Xe]4f
0
5d
0
6s
2
Pr
3+
[Xe]4f
2
60
Nd
[Xe]4f
4
5d
0
6s
2
Nd
3+
[Xe]4f
3
61
Pm
[Xe]4f
5
5d
0
6s
2
Eu
3+
[Xe]4f
612 T bng 1.2 t hi o ca lp
n t 4f nm c che chn khng xung quanh bi
5s
2
6
o t hich
chuyn quang hch hp vn s g c
u ng ca mng nn. S ph a lp
4f vp 5t. Hình 1. 4 Hàm phân bố các điện tử của nguyên tố Ce
c cng nn r ph
ln t l nh
quang ty ph ct him trong tinh th
14
cung cn t
dn ph nhau ca nhn t a h
cnh nhau s nh s lc li, m
t Ce (Z = 58) ch n t ng cung cp bn t dn
n t bn [19]y, phn ph nhau ca nhn t
ln ti kho cnh nhau nh
vi nh [5].
14
Hình 1. 6 Sự thay đổi bán kính của các ion Ln
3+
theo điện tích hạt nhân [5]
1.2.2.2 Các quá trình phát quang của hợp chất đất hiếm
Vt lip th photon t p
s u fluorescence (dch quang), thi
gian sng ca bc x c t 1-
quang), thi gian sng ca bc x c kiu fluorescence
ki
ch triplet ). Hu hnh quang d p
cht hi kiu phosphorescence vi thi gian sng t
.
15
Hình 1. 7 Các quá trình phát quang có thể có khi vật liệu được kích thích.
Huỳnh quang (Fluorescence):
16
ms.
[7].
S n gia hui gian tn ti
ca electron tra hut thp c
quang c ms. S n gi vi hu
chuyn v trn, quang ph hp
th ng t bi dng photon
chuyn v tr
ng c i dng nhit,
c 2 m s
p th 7]
G u c
c biu n t
quang chuyt liu nano pha t t him
3+
, Tb
3+
, Sm
3+
R
R
K
O
D
AD
(1.1)
D
i gian suy gim hunh quang (fluorescence decay time)
ca D; ng c
O
n gii hn (tc
u t khong bng R
O
D truyng cho A
su D t ng nhau). R
O
17 tr trong khong t T truyng s
i rt
O
KLn
R
(1.2)
u sung t hunh quang c
2
ng s phn
i cng ct sut c
-
0
4
AD
f
d
(1.3)
chng chp (JDA) tc t hunh
quang ca donor (f
D
hp th c
A
s truyn
u sut cao nhi xy ra cng gia hai ph
hunh quang ca donor phi ph hp th ca
vy s truyc g truyng cng
-FRET).
hay Cr
3+
3+
[8, 9, 14, 19, 24, 44] b dp tt
i vi Eu
3+
3+
). ng c
Eu
3+
3+
.
.
Hình 1. 9 Sơ đồ các mức năng lượng của Eu
3+
và Tb
3+
[3, 37, 43].
Hình 1. 10: Giản đồ mức năng lượng của các ion RE
3+
- Giản đồ Dieke
19 1.3 Phƣơng pháp chế tạo vật liệu
nhing hc cn pht cn thit cho s ng
o ra s tinh th n to ra s nh nhit
ng hc ca pha sn phm. Th quan trng b
nh din ra trong thi gian ngng nhing
hc l sau mt khong th
Mt s m c :