LỜI CẢM ƠN

Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc tới PGS.TS. M i
Th nh T ng, người thầy đã định hướng cho tôi trong tư duy kho học, tận tình chỉ bảo và
tạo rất nhiều thuận lợi cho tôi trong suốt quá trình thực hiện luận án.
Tôi xin chân thành cảm ơn các thầy, cô trong
vệ kim loại, đã c nhiều gi p đ và đ ng g p

môn ông nghệ điện hoá và Bảo

kiến cho tôi trong học tập, nghiên c u đ

hoàn thành luận án.
Tôi xin trân trọng cảm ơn các thầy, cô trong Viện K thuật Hoá học, Viện S u đại
học – Trường

ại học

ách kho Hà N i và Ban lãnh đạo Trường

ại học ông nghiệp

Việt Trì, đã tạo điều kiện thuận lợi cho tôi hoàn thành và bảo vệ luận án.
uối c ng, tôi xin g i lời cảm ơn đến gi đình, người thân và bạn b củ tôi, những
người đã luôn mong mỏi, đ ng viên và tiếp s c cho tôi thêm nghị lực đ hoàn thành bản
luận án này.

n

y


ii


MỤC LỤC
....................................................................................................................... i
................................................................................................................ ii
........................................................................................................................... iii
........................................................ v
................................................................................................. vii
.......................................................................... viii
............................................................................................................................... 1
Ư

1.

Ổ

Q

1.1.

........................................................................................... 4

.................................................................................................... 4

1.1.1. Lịch s phát tri n ..................................................................................................... 4
1.1.2. So sánh siêu tụ và nguồn điện hoá học .................................................................... 4
1.1.3. ơ chế tích điện trong siêu tụ .................................................................................. 8
1.1.4. Phân loại siêu tụ .................................................................................................... 12
1.1.5. Vật liệu điện cực cho siêu tụ ................................................................................. 13


2.2.1. ác phương pháp phân tích vật l và hoá học....................................................... 38
2.2.2. ác phương pháp nghiên c u tính chất điện hoá .................................................. 40
Ư

3.

Q

............................................................... 45

iii


3.1.

1-xMexOz

............................................................................................................................... 45
3.1.1. ường cong phân cực............................................................................................ 45
3.1.2. ường cong dòng t nh ........................................................................................... 46
3.1.3. Hình thái bề m t củ vật liệu ................................................................................ 47
3.1.4. ấu tr c vật liệu .................................................................................................... 49
3.1.5. Phân tích thành phần hoá học ................................................................................ 49
3.1.6. Hoạt tính điện hoá và đ c trưng siêu tụ ................................................................. 52
3.2.

Mn1-xMexOz (Me = Fe, Co, Ni)

sol-gel .................................................................................................................................. 61


Dc

òng m t chiều

dhkl,Å

Khoảng cách giữ h i m t tinh th

i

Mật đ dòng

tn

Thời gi n nạp

tp

Thời gi n ph ng

V/SCE

Vôn so với thế điện cực c lomen bão hò

AC

Axit citric

C+


T ng trở điện hoá

EMD

M ng n đioxit điện giải

IHP

M t ph ng Helmholtz trong (Inter Helmholtz Plane)

Me

Kim loại chuy n tiếp

MD

M ng n đioxit

OHP

M t ph ng Helmholtz ngoài Outer Helmholtz Plane)

PEG

Poli etylen glycol

yclic Volt metry
ifferenti l Sc nning



vi


DANH MỤC CÁC BẢNG
ảng 1.1. So sánh các thông số đ c trưng củ tụ điện, siêu tụ và ắc quy.............................. 5
ảng 1.2. M t số hợp chất và cấu hình qu n trọng củ các khoáng M

.......................... 22

ảng 1.3. ấu tr c tinh th m t số dạng kh củ M ........................................................ 23
ảng 1.4. M t số kết quả nghiên c u về vật liệu m ng n đioxit ng dụng trong siêu tụ ... 29
ảng 2.1. H

chất thí nghiệm ............................................................................................ 34

ảng 2.2. Thành phần dung dịch điện phân ........................................................................ 35
ảng 2.3. Thành phần củ dung dịch t ng hợp sol-gel ....................................................... 37
ảng 3.1. Thành phần nguyên tố củ oxit MnOz và oxit h n hợp Mn1-xMexOz ................. 51
ảng 3.2.

ung lượng riêng củ vật liệu Mn1-xMexOz t ng hợp theo phương pháp điện hoá

(v = 25 mV/s)....................................................................................................................... 53
ảng 3.3. Sự phụ thu c củ dung lượng riêng vào số chu k qu t thế ............................... 57
ảng 3.4. Kết quả fit mạch củ oxit MnOz và các Mn1-xMexOz t ng hợp t dung dịch
[Mn2+]:[Me n+] = 1:1 trong dung dịch K l 2M ................................................................... 60
ảng 3.5. ung lượng củ vật liệu oxit Mn1-xMexOz t ng hợp theo phương pháp sol-gel . 70
ảng 3.6. Kết quả fit mạch củ các oxit Mn1-xMexOz với thành phần Me Fe, o, Ni th y
đ i trong dung dịch K l 2M ............................................................................................... 73

Hình 1.8. Vật liệu n no compozit hệ Ni OH 2/CNT ........................................................ 14
Hình 1.9. ường cong qu t thế củ vật liệu RuO2 ............................................................ 15
Hình 1.10. ường cong qu t thế củ vật liệu o3O4 ......................................................... 16
Hình 1.11. ường cong qu t thế củ vật liệu NiO ............................................................ 16
Hình 1.12. ường cong qu t thế củ vật liệu MnO2 ......................................................... 17
Hình 1.13. ấu tr c củ m t số polyme dẫn điện................................................................ 18
Hình 1.14. ung lượng củ m t số loại vật liệu điện cực ng dụng trong siêu tụ ............ 19
Hình 1.15. Nh m M c cấu tr c đường hầm .................................................................. 20
Hình 1.16. Nh m M c cấu tr c lớp ............................................................................... 21
Hình 1.17. M t số dạng cấu tr c tinh th MnOOH ........................................................... 23
Hình 1.18. ấu tr c tinh th củ Mn3O4 ........................................................................... 24
Hình 1.19. Vật liệu m ng n đioxit ph tạp Ni, o ............................................................ 27
Hình 1.20. Vật liệu m ng n đioxit ph tạp Mo ................................................................. 28
Hình 1.21. Vật liệu m ng n đioxit ph tạp Fe ................................................................... 29
Hình 1.22. Sơ đồ k thuật sol-gel trong t ng hợp vật liệu điện cực .................................. 32
Hình 2.1. Sơ đồ hệ điện phân t ng hợp vật liệu .................................................................. 36
Hình 2.2. K thuật phủ qu y spin-coating) ........................................................................ 38
viii


Hình 2.3. ồ thị biến thiên điện thế theo thời gi n qu t ..................................................... 41
Hình 2.4. Mạch điện tương đương củ bình đo điện hoá .................................................... 43
Hình 2.5. Sơ đồ bi u di n t ng trở trên m t ph ng ph c .................................................... 44
Hình 3.1. ường cong phân cực trong các dung dịch t ng hợp vật liệu: ............................ 45
Hình 3.2. ường cong -t trong quá trình t ng hợp vật liệu: ............................................. 46
Hình 3.3. Ảnh S M củ liệu vật liệu Mn1-xMexOz t ng hợp trong các dung dịch khác
nhau: (a)- [Mn2+] : [Men+] = 1:0; (b)- [Mn2+] : [Fe3+] = 1:1; (c)- [Mn2+] : [Co2+] = 1:1; .... 48
Hình 3.4. Giản đồ XR củ vật liệu MnOz và Mn1-xMexOz sau khi sấy ở 100oC: ............ 49
Hình 3.5. Ph
2+

............................................................................................................................................. 67
Hình 3.23. Ảnh hưởng củ tốc đ qu t thế tới dung lượng riêng củ vật liệu Mn1-xMexOz 68
Hình 3.24. ường cong V củ vật liệu Mn1-xFexOz .......................................................... 69
Hình 3.25. ường cong V củ vật liệu Mn1-xCoxOz ......................................................... 69
Hình 3.26. ường cong V củ vật liệu Mn1-xNixOz .......................................................... 69
Hình 3.27. Ảnh hưởng củ hàm lượng Me tới dung lượng riêng củ vật liệu Mn1-xMexOz 70
Hình 3.28. Ph t ng trở củ vật liệu MnOz đường n t đ t: số liệu thực nghiệm; đường n t
liền: số liệu fit mạch ........................................................................................................... 71
Hình 3.29. Ph t ng trở củ vật liệu Mn1-xFexOz đường n t đ t: số liệu thực nghiệm;
đường n t liền: số liệu fit mạch .......................................................................................... 72
Hình 3.30. Ph t ng trở củ vật liệu Mn1-xCoxOz đường n t đ t: số liệu thực nghiệm;
đường n t liền: số liệu fit mạch .......................................................................................... 72
Hình 3.31. Ph t ng trở củ vật liệu Mn1-xNixOz đường n t đ t: số liệu thực nghiệm;
đường n t liền: số liệu fit mạch .......................................................................................... 73
Hình 3.32. Giản đồ phân tích nhiệt củ vật liệu MnOz........................................................ 74
Hình 3.33. Giản đồ phân tích nhiệt củ vật liệu Mn1-xFexOz ............................................... 75
Hình 3.34. Giản đồ phân tích nhiệt củ vật liệu Mn1-xCoxOz .............................................. 75
Hình 3.35. Giản đồ phân tích nhiệt củ vật liệu Mn1-xNixOz ............................................... 76
Hình 3.36. Giản đồ XR củ vật liệu Mn1-xFexOz ở nhiệt đ nung khác nh u: ................. 77
Hình 3.37. Giản đồ XR củ vật liệu Mn1-xCoxOz ở nhiệt đ nung khác nh u: ................. 78
Hình 3.38. Giản đồ XR củ vật liệu Mn1-xNixOz ở nhiệt đ nung khác nh u: ................. 79
Hình 3.39. Ảnh S M củ MnOz ở nhiệt đ nung khác nh u .............................................. 80
Hình 3.40. Ảnh S M củ Mn1-xFexOz ở nhiệt đ nung khác nh u...................................... 81
Hình 3.41. Ảnh S M củ Mn1-xCoxOz ở nhiệt đ nung khác nh u ..................................... 81
Hình 3.42. Ảnh S M củ Mn1-xNixOz ở nhiệt đ nung khác nh u...................................... 82
Hình 3.43.

ường cong V củ vật liệu

- MnOz, (b)- Mn1-xFexOz, (c)- Mn1-xCoxOz, và

chu k

và s u

và s u

khi ph ng nạp 500

đường n t đ t: số liệu thực nghiệm; đường n t liền: số liệu fit mạch .................. 90

Hình 3.51. ường ph ng nạp củ vật liệu Mn1-xMexOz trong dung dịch K l 2M ............. 91
Hình 3.52. Sự biến đ i dung lượng riêng và hiệu suất ulong củ vật liệu Mn1-xMexOz theo
chu k ph ng nạp trong dung dịch K l 2M ........................................................................ 92
Hình 3.53. Minh hoạ ảnh hưởng củ các yếu tố đầu vào đến các yếu tố đầu r trong t ng
hợp và nghiên c u tính chất củ vật liệu Mn1-xMexOz ........................................................ 96

xi


MỞ ĐẦU
Ngày n y, việc nghiên c u và phát tri n những nguồn tích trữ n ng lượng phục vụ
cho các ngành công nghệ c o như tin học, điện t là m t hướng đi mới và đầy h

hẹn đối

với nhiều nhà kho học cũng như các nhà sản xuất công nghiệp trên thế giới. M t trong các
loại nguồn điện đ ng thu h t được sự ch

củ nhiều nhà kho học trên thế giới là siêu tụ


tương đối tốt, và rất thân thiện với môi trường.

Hơn nữ , vật liệu này c th làm việc trong môi trường trung tính.

o đ , vật liệu mangan

đioxit đ ng thu h t được sự qu n tâm nghiên c u củ nhiều nhà kho học trên thế giới. Tuy
nhiên, m ng n đioxit lại chư hoàn toàn đáp ng được các yêu cầu k thuật củ vật liệu
siêu tụ do dung lượng riêng và tu i thọ chư được c o.

cải thiện điều này, xu hướng

chung là ph thêm các kim loại chuy n tiếp khi t ng hợp ho c th y đ i k thuật t ng hợp
vật liệu m ng n đioxit ch

kim loại chuy n tiếp [8, 19, 20, 27, 38]. Ở Việt N m, đã c

m t số nghiên c u t ng hợp mangan đioxit làm vật liệu điện cực cho pin Leclanche [34],
vật liệu hấp phụ x l môi trường [37, 59], số lượng các công trình nghiên c u về vật liệu
1


này ng dụng trong siêu tụ còn rất hạn chế.
pv

ảo s t
o

tn


hợp Mn1-xMexOz; nhiệt đ x l mẫu ảnh hưởng đến hình thái, cấu tr c và khả n ng
ph ng nạp củ vật liệu.


ề xuất giải thích cơ chế hoạt đ ng ph ng nạp củ vật liệu oxit h n hợp MnxMe1-xOz
và làm r mối qu n hệ giữ điều kiện t ng hợp - hình thái cấu tr c - đ c tính điện h
củ vật liệu.

-

n

o

Những kết quả nghiên c u nhận được t luận án là cơ sở kho

học cho quá trình nghiên c u t ng hợp được vật liệu oxit m ng n c ch

kim loại

chuy n tiếp Fe, o, Ni định hướng làm điện cực cho siêu tụ. Khảo sát được m t số
yếu tố chính thành phần dung dịch, nhiệt đ x l mẫu trong quá trình t ng hợp ảnh
hưởng đến tính chất điện hoá củ vật liệu. Lập luận, giải thích cơ chế ph ng nạp củ
vật liệu oxit h n hợp Mn1-xMexOz trong siêu tụ. ác kết quả nghiên c u củ luận án
là các số liệu mới, c giá trị về m t l luận, đ ng g p vào cơ sở dữ liệu kho học
trong l nh vực nghiên c u phát tri n các nguồn tích trữ n ng lượng mới.
-

n


; các phương pháp

nghiên c u tính chất điện hoá củ vật liệu: phương pháp qu t thế vòng tuần hoàn
V , dòng không đ i

P , t ng trở điện hoá

IS đ phân tích, so sánh hoạt tính

điện hoá củ vật liệu oxit mangan và các hệ vật liệu oxit h n hợp Mn1-xMexOz.
-

ự trên cơ chế ph ng nạp củ vật liệu m ng n đioxit, đề xuất giải thích cơ chế hoạt
đ ng ph ng nạp củ vật liệu oxit h n hợp Mn1-xMexOz.

3


CHƯƠNG 1.
1.1. G

t

TỔNG QUAN

uv s ut

1.1.1. Lịc sử p át tr ển
Pin và ắc quy là các nguồn tích trữ n ng lượng truyền thống. ác nguồn điện này
rất ph biến, tuy nhiên ch ng lại c nhược đi m là dung lượng hạn chế, các sản phẩm phế


Siêu tụ c mật đ tích trữ điện c o hơn và thời gi n ph ng nh nh hơn nhiều so với
pin, ắc quy hình 1.1 .

4


n 1.1

o s n mật

t

tr

nv t

np

n

m ts n u n

n

Trên lớp k p củ các điện cực ph ng, điện t th m gi tích điện là các điện t v ng
dẫn, mật đ điện tích trung bình khoảng 30 C/cm2 ho c 30  /V và mật đ nguyên t là
1015/cm2.

o đ , điện tích được cấp tính cho m t nguyên t là 30/1015  , tương đương

Thời gi n nạp điện

t

n s

tr n

tụ

n s êu tụ v

quy

Tụ đ ện

S êu tụ

Ắ quy

10  10 giây

10  30 giây

0,3  3 giờ

10-6  10-3 giây
< 0,1

10  30 giây

Thời gi n ph ng điện
Mật đ n ng lượng Wh/kg

-6

-3

5


1.1.2.2. Cơ chế ho t độn
Sự khác nh u cơ bản nhất giữ cơ chế hoạt đ ng củ tụ điện hoá và nguồn điện hoá
học ắc quy, pin là:
- Tụ điện dự trên tính chất hoá l củ lớp k p, quá trình tích trữ điện tích là quá
trình không F r d y l tưởng, không c sự chuy n điện t qu bề m t phân chi ph củ
điện cực, và sự tích trữ điện tích, n ng lượng điện ở dạng t nh điện. ác điện t th m gi
vào quá trình tích điện lớp k p là các điện t v ng dẫn, không định x cố định ở bất k vị
trí nào trên điện cực.
- Trong ắc quy quá trình cần thiết là quá trình F r d y, c sự chuy n điện t qu lớp
điện tích k p k m theo sự th y đ i trạng thái oxi hoá, làm th y đ i tính chất hoá học củ
vật liệu hoạt đ ng điện. Các điện t th m gi vào quá trình F r d y củ ắc quy là các điện
t v ng hoá trị.
Trường hợp trung gi n, ở đ sự chuy n điện tích F r d y di n r nhưng nhờ áp dụng
các điều kiện nhiệt đ ng đ c biệt, điện thế V củ điện cực là m t hàm liên tục củ lượng
điện tích q chuy n qu đ sinh r dq/dV. N tương đương và đo được như m t điện dung
được gọi là giả điện dung.

1.1.2.3. Đư n ph n n p đ n
ối với ắc quy, n ng lượng Gibbs lớn nhất tích lu được theo (1.1)
G = Q.E


iện thế trên tụ giảm xuống tuyến tính theo lượng điện tích x t m t cách l tưởng
đối với điện dung lớp k p không phụ thu c vào điện thế , trong khi đối với ắc quy thì điện
thế là m t hằng số mi n là h i ph oxi hoá và kh vẫn ở trạng thái cân bằng. Sự giảm điện
thế củ tụ sinh r điện dung

= Q/V.

iện thế củ ắc quy l tưởng trong khi ph ng nạp như m t hàm trạng thái củ điện
tích, được chỉ r trên hình 1.2 là h i đường th ng song song và c đ dốc bằng 0. H i
đường th ng này khác nh u do kết quả củ sự phân cực not và c tot sinh r trong quá
trình ph ng và nạp b o gồm điện thế rơi ôm IR sinh r do điện trở củ dung dịch ho c n i
trở bên trong . Trong đ dốc củ đường ph ng và nạp củ tụ điện c điện thế rơi ôm đ c
trưng IR phụ thu c vào tốc đ ph ng ho c nạp, nên thực tế đường ph ng điện được tách r
khỏi đường nạp điện bởi m t sự chênh lệch về hiệu điện thế bằng 2IR [9, 13]. Và thực tế,
trong hầu hết các ắc quy điện thế đều giảm theo sự giảm trạng thái củ điện tích.

1.1.2.4. Đư n con quét thế vòn
Sự khác biệt củ tụ điện so với pin và ắc quy là tính chất thuận nghịch củ n [51].
Pin và ắc quy tích trữ n ng lượng nhờ các phản ng điện h , trong quá trình hoạt đ ng c
sự th y đ i ph không hoàn toàn củ các vật liệu điện cực nên lượng điện tích trong quá
trình ph ng và nạp luôn bị giảm. Trong tụ điện thì điện tích được tích trữ dưới dạng n ng
lượng điện trường giữ h i bản cực nên quá trình nạp n ng lượng xảy r rất nh nh và s
dụng đến khi không còn n ng lượng nữ , t c hiệu suất s dụng trữ n ng là 100%. Ở điều

7


kiện phân cực l tưởng, toàn b điện tích được cung cấp cho điện cực chỉ d ng đ nạp điện
cho lớp điện tích k p, mật đ dòng i được tính [49]:


Trong đ :

- điện thế điện cực;

dl-

điện dung lớp k p; Rs- điện trở dung dịch; t- thời gi n

phân cực; v- vận tốc qu t thế, v = /t.
1.3. Vì vậy, đồ thị

(PT 1.3)

ồ thị củ i-t, E-t và i- được bi u di n như hình

V củ vật liệu làm điện cực tụ điện thường c dạng giống hình chữ

nhật và đối x ng nh u, trong khi đ ở vật liệu điện cực củ pin và ắc quy rất ít g p trường
hợp này.
n

1.3

Đ

t

b ểu d ễn qu n
n t ế mật

n ng lượng được thực hiện trên h i điện cực do sự tích trữ điện tích t nh điện như hình 1.4.
8


n 1.4. ơ

n uyên lý m tả ơ

ết

tạ bề m t p ân

n
dun d

tụ

n l p ép v p ân b
n ly/

nt ế

n ự

Dung lượng củ tụ điện ph ng được tính theo công th c:
C=

Trong đ :

A

n 1.5. M

n l p

nt

ép v sự t

y

nt ết o

oản

Lớp điện tích k p được xem như m t tụ điện ph ng gồm h i bản: m t bản là bề
m t điện cực, bản th h i là lớp dung dịch nằm sát bề m t điện cực tích điện ngược dấu.
Lớp điện tích k p c được là kết quả củ sự tương tác mạnh m giữ các ion h y phân t
c trong dung dịch với bề m t điện cực. Tại bề m t phân chi dung dịch/kim loại c m t
lớp điện tích mỏng trên bề m t kim loại, kết quả t sự dư th

h y thiếu hụt điện t . òn

bản lỏng nằm trong dung dịch chi r làm h i phần.
Lớp Helm oltz
Lớp Helmholtz là phần gần điện cực nhất, b o gồm các ion trái dấu bề m t điện
cực.

dầy lớp Helmholtz gần bằng bán kính củ ion bị solv t hoá t 3.10-10 ÷ 4.10-10 m).

Hằng số điện môi trong phần Helmholtz giảm nhiều so với hằng số điện môi trong dung


ion c trong dung dịch; đối với dung dịch c nồng đ lớn hơn 10-2 M thì đ dầy lớp khuếch
tán nhỏ hơn ho c bằng 10-8 m.
iện dung lớp k p

dl

b o gồm điện dung lớp k p phần dầy đ c Helmholtz

điện dung lớp k p phần khuếch tán

diff,

H

và

nên điện dung lớp k p t ng được tính bởi phương

trình 1.6):

1
1
1
=
+
Cdl CH Cdiff

(PT 1.6)



(PT 1.7)

iện dung được bi u di n bởi bi u th c trên được gọi là

ả

n dun .

Khi áp điện thế vào điện cực tạo nên phản ng F r d y như phản ng điện hấp phụ ho c
phản ng oxi hoá-kh củ các chất hoạt đ ng điện RuO2, IrO2, Co3O4, NiO, MnO2, ...).
Quá trình điện hấp phụ xảy r khi sự hấp phụ hoá học xảy r . Ví dụ, điện hấp phụ các
nion như l-, B-, I- hay CNS- xảy r theo phản ng t ng quát: M +
Phản ng điện hấp phụ củ

nion

-

-

 MA(1-) + e-.

di n r ở trên bề m t điện cực và lượng điện tích e-

tương ng được gọi là hoá trị điện hấp phụ. Tiếp đến là tr o đ i điện tích ng ng qu lớp
k p và kết quả là phản ng oxi hoá-kh

Ohấp phụ + ne  Rđiện hấp phụ .



iện tích được tích trữ ở trong các l xốp nhờ quá trình không F r d y. T c là các

điện tích dương và âm tích lũy trên h i bề m t củ tụ điện dưới dạng t nh điện hình 1.6).
H i bề m t này được phân cách với nh u nhờ chất cách điện. Tuy nhiên điện thế làm việc
củ n nhỏ, khoảng t 2 đến 3V.

n 1.6. ấu tạo
S êu tụ

s êu tụ

n l p ép l m từ vật l u a bon oạt t n

đ ện dung là loại siêu tụ hoạt đ ng dự trên phản ng F r d y c sự

chuy n điện tích qu bề m t điện cực . Giả điện dung c th được sinh r do điện hấp phụ
củ nguyên t hyđro h y nguyên t kim loại và các phản ng oxi hoá-kh củ các dạng
hoạt đ ng điện khác. M t m t, giả điện dung c th nâng c o đáng k dung lượng củ siêu
tụ. M t khác, n cũng c th làm giảm tu i thọ củ siêu tụ [37, 40]. M t số loại vật liệu th
hiện đ c tính giả điện dung khá tốt được nghiên c u như: ác màng oxit h y màng oxit c
ngậm nước hoạt đ ng điện củ các kim loại chuy n tiếp (RuO2, MnO2, IrO2, MoO3, WO3,
Co3O4, NiO,...); màng polyme dẫn điện (polypyrrol, polythiophen, polyaniline và những
dẫn xuất củ ch ng ; kim loại pl tin hấp phụ hyđro [16, 17, 45].

1.1.5. Vật l u đ n cực cho s u t
a)

Cacbon


Nhằm nâng c o hoạt tính điện hoá củ vật liệu điện cực c cbon, đến n y đã c
những nghiên c u mới trong việc s dụng vật liệu hệ compozit củ c cbon với các chất
khác. Vật liệu compozit hệ Ni OH 2/CNT được nghiên c u bởi hen - Gu ing Liu và các
đồng nghiệp [19] cho thấy vật liệu c cấu tr c dạng sợi hình 1.8a . Khi ph tạp với hàm
lượng Ni OH 2 khác nh u cho dung lượng riêng th y đ i đáng k . Ở tốc đ qu t 10 mV/s,
mẫu tạp 10% Ni(OH)2 c dung lượng riêng đạt lớn nhất là 432 F/g. Khi tốc đ qu t t ng thì

C (F/g)

dung lượng củ vật liệu đều giảm (hình 1.8b).

v (mV/s)

(b)

(a)
n 1.8. ật l u n no ompoz t
- ản

M b - Dun l

n r ên p ụ t u
14

2/CNT

v ot

[19]
quét t ế