ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
********** Α  Ω **********

LÊ KHẮC TỐP

CHẾ TẠO THANH NANO ZnO BẰNG PHƢƠNG PHÁP
ĐIỆN HÓA ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI

Chuyên ngành: Vật Lý Vô Tuyến và Điện Tử
Mã số chuyên ngành: 60 44 03

LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC

PGS TS LÊ VĂN HIẾU

TP. HỒ CHÍ MINH – NĂM 2012


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

LỜI CẢM ƠN
Trên tất cả con xin tỏ lòng tri ân cảm tạ đến Cha mẹ, anh em trong gia đình
đã sinh thành nuôi dạy, giúp đỡ tạo mọi điều kiện tốt nhất và là chổ dựa tinh thần
cho con trong cuộc sống cũng như trong học tập để có kết quả như ngày hôm nay.
Bằng lòng kính trọng sâu sắc em xin chân thành cám ơn PGS. TS Lê Văn
Hiếu, Thầy đã truyền dạy những kiến thức, kinh nghiệm chuyên môn trong suốt quá
trình học tập, đã tận tình hướng dẫn em hoàn thành tốt khoá luận và đã giúp đỡ em
nhiều vấn đề trong cuộc sống.

PVD : Physical vapour deposition

EC: Năng lượng vùng dẫn

PL: Photoluminescence

Ev: Năng lượng hóa trị

PMT: Pin mặt trời

I: Cường độ dòng điện

LED: Diod phát quang

J: Mật độ dòng

OSC: Organic solar cell

V: Hiệu điện thế

SC: Solar cell

kB: Hằng số Boltzmann

η: Hiệu suất

k: Véctơ sóng

CIGS: Cu, Indium, gallium và selen)


Hình 1.1: Cấu tạo pin mặt trời đơn giản. ................................................................. ..7
Hình 1.2: Sơ đồ năng lượng chuyển mức: (a) chuyển mức thẳng.
(b) chuyển mức xiên trực tiếp. (c) chuyển mức xiên gián tiếp. ................ 9
Hình 1.3: Hóa thế e,h của cặp điện tử và lỗ trống. .................................................. 11
Hình 1.4: Cấu trúc năng lượng của tiếp xúc p-n khi được chiếu sáng ..................... 12
Hình 1.5: Cấu trúc PMT lai hóa ............................................................................. 13
Hình 1.6: Cơ chế dẫn điện của polymer dẫn ............................................................ 15
Hình 1.7: Mô hình mức năng lượng và cơ chế chuyển điện tích trong PMT lai hóa
................................................................................................................................... 16
Hình 1.8: Đặc tuyến I-V của PMT ............................................................................ 18
Hình 2.1: Cấu trúc tinh thể của ZnO ........................................................................ 20
Hình 2.2: Các dạng sai hỏng điểm thường gặp ........................................................ 21
Hình 2.3: Một số hình thái cấu trúc 1D của ZnO .................................................... 23
Hình 2.4: Đường đặc trưng I-V: (a) hệ Au/ZnO, (b) Hệ Au/Ti/ZnO ........................ 25
Hình 2.5: Cường dộ dòng phát của ZnO nanarod trên đế Si ở 550oC ..................... 26
Hình 2.6: Mật độ trạng thái năng lượng của các hình thái vật liệu khác nhau ....... 27
Hình 3.1: Mô hình hệ phún xạ DC ............................................................................ 28
Hình 3.2: Mask (lưới) nhôm oxit ............................................................................... 29
Hình 3.3: Mô hình mô phỏng chế tạo NRs bằng phún xạ ......................................... 29
Hình 3.4: Sơ đồ chế tạo NRs bằng phương pháp hóa ướt ........................................ 30
Hình 3.5: Nguyên tắc và cấu tạo hệ VLS .................................................................. 31
Hình 3.6: Quá trình hình thành ZnO NRs trong VLS ............................................... 32
Hình 3.7: Hệ điện hóa mô phỏng .............................................................................. 32
Hình 3.8: ZnO NRs trên các đế khác nhau ............................................................... 36
Hình 3.9: ZnO NRs phát triển ở nhiệt độ: (a) 90°C, (b) 120oC, (c) 150oC, (d) 180°C
................................................................................................................................... 36

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu

Hình 5.11: Hình SEM của ZnO NRs mẫu I01 ........................................................... 57
Hình 5.12: Hình SEM của ZnO NRs mẫu I02 ........................................................... 58
Hình 5.13: Hình SEM của ZnO NRs mẫu I03 ........................................................... 59
Hình 5.14: Hình SEM của ZnO NRs mẫu I05 ........................................................... 60

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

Hình 5.15: Hình SEM của ZnO NRs mẫu I05M........................................................ 60
Hình 5.16: Hình SEM của ZnO NRs mẫu IF03 ........................................................ 62
Hình 5.17: Hình SEM của ZnO NRs mẫu IF06 ....................................................... 63
Hình 5.18: Hình SEM của ZnO NRs mẫu IF09 ........................................................ 64
Hình 5.19: Hình SEM của ZnO NRs mẫu IF12 ........................................................ 65
Hình 5.20: Hình chụp mặt cắt ngang của ZnO NRs ................................................. 65
Hình 5.21: Quá trình hình thành ZnO NRs .............................................................. 67
Hình 5.22: Quy trình tạo mầm ZnO bằng solgel ...................................................... 69
Hình 5.23: Hình SEM ZnO NRs: a) mẫu M0 mầm ZnO, b) mẫu M1, c) mẫu M2, d)
mẫu M3, e) mẫu M4, f) mẫu M5 ............................................................ 70
Hình 5.24: Hệ thí nghiệm khảo sát độ bám dính bằng dòng nước xoáy................... 73
Hình 5.25: ZnO NRs trước và sau khi khảo sát bằng dòng nước xoáy. .................. 73
Hình 5.26: Máy spin .................................................................................................. 74
Hình 5.27: ZnO NRs trước và sau khi khảo sát bằng spin ....................................... 74
Hình 5.28: Phổ truyền qua của ZnO NRs, a) mẫu M5, b mẫu M1 ........................... 75
Hình 5.29: a) mô hình đo đặc I-V của NRs, b) NRs được phủ lớp polymer cách điện
................................................................................................................................... 76
Hình 5.30 : Đường đặc trưng I-V của màng ITO, ZnO-ITO và ZnO NRs-ITO ........ 76


CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

MỤC LỤC

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ
DANH MỤC CÁC BẢNG
ĐẶT VẤN ĐỀ ............................................................................................................ 4
PHẦN 1. TỔNG QUAN ............................................................................................ 6
Chƣơng 1. PIN MẶT TRỜI – PIN MẶT TRỜI LAI HÓA ................................... 6
1.1 Khái niệm và lịch sử pin mặt trời .......................................................................... 6
1.2 Nguyên tắc hoạt động PMT .................................................................................. 7
1.2.1 Hấp thu trong bán dẫn .................................................................................... 7
1.2.1.1 Các loại chuyển mức hấp thu trong bán dẫn............................................ 8
1.2.1.2 Các loại hấp thu trong bán dẫn. ............................................................... 9
1.2.2 Quá trình phân ly và truyền dẫn điện tích. ..................................................... 9
1.3 PMT dựa trên vật liệu lai hóa .............................................................................. 13
1.3.1 Thành phần cấu tạo PMT lai hóa.................................................................. 13
1.3.2 Cơ chế hoạt động trong PMT lai hóa ........................................................... 16
1.4 Các thông số đặc trưng của PMT ........................................................................ 16
Chƣơng 2. VẬT LIỆU ZnO VÀ ZnO NANOROD .............................................. 20
2.1 Giới thiệu về vật liệu ZnO................................................................................... 20
2.1.1 Cấu trúc tinh thể ZnO ................................................................................... 20
2.1.2 Sai hỏng trong tinh thể ZnO ......................................................................... 20
2.1.3 Tính chất điện của vật liệu ZnO ................................................................... 22
2.2 Vật liệu ZnO nanorod.......................................................................................... 22

Chƣơng 5. THỰC NGHIỆM VÀ KẾT QUẢ ........................................................ 48
5.1 Thực nghiệm chế tạo ZnO nanorod..................................................................... 48
5.1.1 Hóa chất – Dụng cụ thí nghiệm - Pha hóa chất ............................................ 48
5.1.2 Thực nghiệm tạo ZnO nanorod trên các đế khác nhau. ............................... 50
5.1.2.1 Tạo ZnO nanorod trên đế đồng .............................................................. 51
5.1.2.2 Tạo ZnO nanorod trên đế thủy tinh phủ màng đồng ............................. 52
5.1.2.3 Tạo ZnO nanorod trên đế Cu/ZnO......................................................... 53
5.1.2.4 Tạo ZnO nanorod trên màng ZnO ......................................................... 53
5.1.3 Tạo ZnO nanorod trên đế ITO ...................................................................... 56
5.1.3.1 Ổn dòng một bước ................................................................................. 56
5.1.3.2 Ổn dòng các bước .................................................................................. 61
5.1.4 Giải thích quá trình hình thành ZnO NRs bằng điện hóa ............................ 66
5.1.5 Điều khiển kích thước của ZnO NRs. .......................................................... 69

2

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

5.1.6 Một số kết quả khảo sát khác của ZnO NRs ................................................ 72
5.1.6.1 Khảo sát sự bám dính của ZnO NRs...................................................... 72
5.1.6.2 Phổ truyền qua của ZnO NRs. ............................................................... 75
5.1.6.3 Đặc trưng I-V của ZnO NRs. ................................................................. 75
5.1.6.4 Phổ phát quang của ZnO nanorod ......................................................... 77
5.1.6.5 Phổ Xray ................................................................................................ 78
5.2 Thực nghiệm tạo PMT ........................................................................................ 79

PMT lai hóa giữa hữu cơ và vô cơ, mang tên PMT thế hệ thứ tư đã và đang được
nghiên cứu. PMT thế hệ thứ tư là loại pin được “đan xen” giữa lớp hữu cơ với lớp
vô cơ (cụ thể là nanorod, nanowire, quantum dots…). Lớp vật liệu vô cơ này với độ
linh động cao, mức năng lượng gần với mức năng lượng của điện cực, được đan xen
vào trong cấu trúc vật liệu hữu cơ, nhờ vậy diện tích tiếp xúc giữa vật liệu hữu cơ và
vô cơ được tăng lên rất lớn, lớp vật liệu vô cơ 1D này sẽ có vai trò làm kênh truyền
dẫn điện tích ra điện cực, vì thế điện tử dễ dàng được khuếch tán và phân ly ra điện
cực [33].
Vật liệu ZnO có cấu trúc không gian một chiều (1D) đang được các nhà khoa
học trên thế giới và ở Việt Nam đặc biệt quan tâm, bởi với cấu trúc 1D này có rất
nhiều ứng dụng rộng rãi trong khoa học cũng như trong đời sống. Như ứng dụng
trong PMT, LED, cảm biến khí, cảm biến sinh học, quang xúc tác và thiết bị phát
xạ trường [14,15,16,17,18,19].

4

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

Trong đề tài này, chúng tôi sẽ nghiên cứu chế tạo thanh nano (nanorod: NRs)
ZnO bằng phương pháp điện hóa trên các đế khác nhau, khảo sát các sự ảnh hưởng
của đế đến quá trình hình thành và phát triển định hướng của thanh nano ZnO.
Chúng tôi cũng sẽ thay đổi giá trị của dòng điện thành từng bước (mỗi bước có giá
trị dòng điện khác nhau) nhằm tìm ra điều kiện chế tạo thanh nano ZnO có tính định
hướng theo trục c trực giao tốt, điều khiển chiều dài kích thước của ZnO NRs phù
hợp nhằm ứng dụng trong PMT. Bước đầu chúng tôi cũng sẽ phủ polymer dẫn để

Nguyên tắc chính là quá trình hấp thu và sinh ra điện tử lỗ trống trong phân
tử polymer. Các polymer như polymer-fullerene (C60), polyacetylene (PA),
polypyrrole (PPy), polyaniline (PAn)… khi được thêm vào các chất dopant sẽ trở
thành polymer dẫn điện. Khi bị photon của ánh sáng mặt trời kích thích, polymer
liên hợp sẽ bị “bẻ gãy” các liên kết π để sinh ra điện tử và để lại nhiều lỗ trống trên
mạch polymer, vì vậy polymer được gọi là vật liệu loại p. Ngược lại, fullerene là vật
liệu nhận điện tử rất hiệu quả. Sau khi nhận điện tử, fullerene mang điện tích âm
nên được gọi là vật liệu loại n.

6

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

 Thế hệ thứ tƣ: PMT dựa trên vật liệu lai hóa (Hybrid solar cell).
PMT lai hóa là sự kết hợp của tinh thể nano và hợp chất polymer. Thế hệ
PMT này cải thiện được hiệu suất hơn so với thế hệ PMT thứ ba.
 PMT thế hệ thứ 5: PMT sinh học (Bio solar cell).
PMT sinh học đang được quan tâm nghiên cứu và là một hướng mới trong
tương lai. Dạng PMT này dựa trên hiệu ứng giống với quá trình quang hợp của các
tế bào cây xanh. Khi được chiếu sáng sẽ xảy ra quá trình “quang hợp” và trao đổi
sinh hóa để hình thành nên điện tử - lỗ trống và tạo ra dòng điện ra bên ngoài.
1.2 Nguyên tắc hoạt động PMT

Hình 1.1 Cấu tạo pin mặt trời đơn giản.
PMT cơ bản gồm hai mối nối p-n như hình (1.1). Nguyên tắc cơ bản của

A(  E g )1/ 2


(1.1)

B (   E g ) 3 / 2

(1.2)



Với A, B là hằng số phụ thuộc vào loại bán dẫn được khảo sát, ħω là năng
lượng photon tác động.
Bán dẫn chuyển mức xiên hoàn toàn khác so với bán dẫn chuyển mức thẳng.
Vì cấu trúc vùng năng lượng của nó có đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hoá trị không
cùng nằm trên một số sóng k. Bài toán hấp thu bây giờ không còn là bài toán hai hạt
(photon- electron) như chuyển mức thẳng mà là bài toán giữa 3 hạt ( photonelectron – photon). Biểu thức của xung lượng và năng lượng trong dịch chuyển này
là:

  
kv  kc  k p

(1.3)


k p : là xung lượng của photon.

Ekv  Ek    E p
c



CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

Đối với PMT có cấu trúc chỉ là tiếp giáp p-n thì điện tích được di chuyển
trực tiếp trong bán dẫn theo hình thức sau đây:
Ban đầu, trong bán dẫn xuất hiện trạng thái cân bằng thế hóa khi chưa được
chiếu sáng (bỏ qua nhiệt độ), thì nồng độ điện tử và lỗ trống bằng nhau. Khi bán dẫn
được chiếu sáng với năng lượng phù hợp, sẽ xảy ra hiện tượng hấp thu để sinh ra
các cặp điện tử lỗ trống, lúc đó trạng thái cân bằng sẽ bị phá vỡ. Điện tử được sinh
ra và chuyển lên mức vùng dẫn. Chúng sẽ tồn tại ở đó trong một thời gian nhất định
gọi là thời gian sống, tương tự đối với lỗ trống. Khi đó nồng độ điện tử và lỗ trống
sẽ lớn hơn nồng độ điện tử lỗ trống ban đầu.
Nồng độ điện tử - lỗ trống tăng lên không ngừng khi được chiếu sáng, làm
cho mức Fermi có sự dịch chuyển. Mức Fermi sẽ dịch chuyển sát hơn về vùng dẫn
(bán dẫn loại n) gọi là mức FFC, mức Fermi sẽ dịch về phía đáy vùng hóa trị (bán
dẫn loại p) gọi là mức FFV. Nồng độ điện tử trong vùng dẫn và nồng độ lỗ trống
trong vùng hóa trị được tính như công thức (1.7), (1.8). Nồng độ điện tử - lỗ trống
được cho bởi công thức (1.9).
 E  E FC 
ne  N C exp  C
.
kT



(1.7)




Luận văn thạc sĩ Vật lý.

Hình 1.3: Hóa thế e,h của cặp điện tử và lỗ trống.

Khi cho hai loại bán dẫn loại p và loại n tiếp xúc nhau, do sự chênh lệch
nhau về nồng độ hạt tải của bán dẫn p và n, sẽ có hiện tượng khuếch tán hạt dẫn đa
số của vùng này sang vùng bên cạnh (điện tử khuếch tán từ vùng n sang vùng p và
lỗ trống khuếch tán từ vùng p sang vùng n) và tạo ra một điện trường khuếch tán.
Nơi tiếp xúc sẽ hình thành một vùng điện tích không gian được gọi là vùng nghèo.
Điện trường sinh ra trong vùng điện tích không gian sẽ gia tốc cho các hạt dẫn thiểu
số ở hai vùng đi sang vùng đối diện sinh ra dòng điện trôi, đồng thời ngăn cản dòng
khuếch tán. Vùng điện tích không gian này sẽ càng mở rộng cho tới khi quá trình
cân bằng nhiệt tại mối tiếp xúc hình thành. Lúc này, dòng trôi sẽ bằng dòng khuếch
tán. Ở điều kiện cân bằng (nhiệt độ thấp, không chiếu sáng, không cấp dòng ngoài),
dòng khuếch tán lúc này bằng 0. Điều này có nghĩa là:
JQ = Je + Jh = 0
Với JQ, Je, Jh tương ứng là mật độ dòng tổng cộng, mật độ dòng electron và
mật độ dòng lỗ trống.
Khi chuyển tiếp p-n được chiếu sáng, quá trình hấp thu xảy ra, điện tử và lỗ
trống được tạo ra liên tục. Lúc này, mức Fermi không còn là hằng số trong toàn hệ
mà sẽ tạo thành hai mức là EFC và EFV. Hình (1.4 ) biểu diện hai mức Fermi EFC và
EFV của chuyển tiếp p-n trong trạng thái không cân bằng.

11

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

1.3 PMT dựa trên vật liệu lai hóa
Các thế hệ PMT (thế hệ 1,2,3) đều có ưu và nhược điểm. PMT vô cơ hiện tại
cho hiệu suất cao nhất, bền trong môi trường nhưng khả năng hấp thụ toàn bộ quang
phổ mặt trời là thấp, giá thành sản xuất cao nên hạn chế khả năng ứng dụng. PMT
hữu cơ có khả năng hấp thu quang năng rất cao nhưng hạn chế trong cơ chế truyền
dẫn điện tích vì cơ chế truyền dẫn điện tích dựa trên mạng lưới các đường dẫn của
hai chất thành phần trong lớp hỗn hợp. Trong khi đó, việc tạo ra các đường dẫn này
là yêu cầu khó đối với quá trình tổng hợp vật liệu hữu cơ vì thế hiệu suất không cao.
Nhằm khắc phục nhược điểm đó, PMT lai hóa giữa hữu cơ và vô cơ, mang tên PMT
thế hệ thứ tư đã và đang được nghiên cứu. PMT thế hệ thứ tư là loại pin được “đan
xen” giữa lớp hữu cơ với lớp vô cơ (cụ thể là nanorod, nanowire, quantum dots…).
Lớp vật liệu vô cơ này với độ linh động cao, mức năng lượng gần với mức năng
lượng của điện cực, được đan xen vào trong cấu trúc vật liệu hữu cơ, nhờ vậy diện
tích tiếp xúc giữa vật liệu hữu cơ và vô cơ được tăng lên rất lớn, lớp vật liệu vô cơ
1D này sẽ có vai trò làm kênh truyền dẫn điện tích ra điện cực, vì thế điện tử dễ
dàng được khuếch tán và phân ly ra điện cực [33].
1.3.1 Thành phần cấu tạo PMT lai hóa
Pin mặt trời lai hóa (hybrid solar cell) còn gọi là PMT thế hệ thứ tư. Đây là
loại pin được “đan xen” giữa lớp hữu cơ và vô cơ (nanorod, nanowire, quantum
dots …) [9,10,14]. Trên hình (1.5) là mô hình đơn giản của pin mặt trời lai hóa sử
dụng ZnO nanorod.

Hình 1.5: Cấu trúc PMT lai hóa.

13

HV: Lê Khắc Tốp

14

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

Trong hình 1.6, A lấy đi một điện tử trong nối đôi, tạo nên một lỗ trống (+)
và một điện tử đơn lẻ (•). Cặp (+•) được gọi là polaron. Các cặp polaron thường
cách nhau 3 hay 4 đơn vị polymer. Sự hình thành polaron làm thay đổi cấu trúc
vòng pyrrole và tạo 2 bậc năng lượng mới trong khe dải năng lượng. Chính điều này
đã biến polymer từ cách điện thành dẫn điện.

Hình 1.6: Cơ chế dẫn điện của polymer dẫn

Khi A xuất hiện với mật độ cao (nồng độ chất pha tạp cao), nhiều polaron được
tạo ra, khi 2 polaron lại gần nhau, hai điện tử (• •) tạo thành 1 nối π, 2 lỗ trống còn
lại (+ +) được gọi là bipolaron.
Như vậy, khi có dòng điện tác dụng vào polymer này, các điện tử π sẽ nhảy vào
các lỗ trống kế cận nó, tức là có sự chuyển dời điện tử dọc theo mạch polymer,
polymer dẫn diện. Ngoài ra polymer dẫn trong cấu trúc PMT có một số đặc điểm
như hằng số điện môi nhỏ, năng lượng liên kết exiton lớn (200-500 meV) nên năng
lượng từ nhiệt độ phòng không đủ để phân ly exiton tạo bởi quá trình hấp thụ ánh
sáng mặt trời. Độ dài khuếch tán ~ 10 nm và độ linh động nhỏ nên phải giới hạn độ
dày của lớp vật liệu hữu cơ cỡ 10 nm nhưng lại giảm khả năng hấp thụ ánh sáng mặt
trời, giảm hiệu suất.

15


16

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

Trong đó: Jsc là mật độ dòng đoản mạch, q là điện tích nguyên tố, bs(E) là mật
độ quang thông của ánh sáng kích thích, QE(E) là hiệu suất lượng tử của PMT đó là
xác suất mà một photon chiếu tới có khả năng sinh ra một electron cho mạch ngoài,
dE là năng lượng của photon kích thích tính trên một đơn vị diện tích trong một đơn
vị thời gian. Jsc là thông số quyết định hiệu suất của PMT [2,4].


Dòng tối (Jt)
Nối PMT với mạch ngoài có tải, khi không chiếu sáng vẫn có một sự chênh

lệch rất nhỏ về điện tích ở hai đầu PMT, do có một số lượng nhỏ hạt tải được sinh ra
do chuyển động nhiệt, điều này tạo ra ở mạch ngoài một dòng điện gọi là dòng tối
(Jt). Mật độ dòng tối được tính theo công thức:
qv

J t (v)  J 0 (e e B  1)
k T

(1.11)


Khi V=Voc, dựa vào (1.12) ta có:
V  Voc 


kT  J sc
ln 
 1
q  J0


(1.14)

Thế (1.14) vào (1.11) ta được:
17

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu


Luận văn thạc sĩ Vật lý.

J t (v)  J 0 (e

J SC
1
J0

 1)



(1.18)

18

HV: Lê Khắc Tốp

CBHD: PGS TS Lê Văn Hiếu