Chương 6
1CHƯƠNG 6: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET

6.1 Giới thiệu
6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET
6.3 Lý thuyết hoạt động của MOSFET
6.4 Giải tích đồ thò và phân cực
6.5 Giải tích tín hiệu lớn – Sự sái dạng
6.6 Giải tích tín hiệu nhỏ
6.7 Mở rộng
Chương 6
26.1 Giới thiệu
Transistor hiệu ứng trường (Field Effect Transistor – FET):
9 JFET: Junction FET
9 MOSFET: Metal-Oxid Semiconductor FET (Insulated-Gate – IGFET)
Tính chất (Phân biệt với BJT)
9 Nhạy với điện áp (voltage-sensitive)
9 Trở kháng vào rất cao 6.2 Lý thuyết hoạt động của JFET
6.2.1 Cấu tạo (n-channel JFET):

(b) v
DS
= V
po
(Điện áp nghẽn: pinch-off voltage): Hai vùng khuyết chạm nhau: i
D
= I
po Chương 6
4(c) v
DS
> V
po
: V
a
= V
po
= const → i
D
= I
po
= const

D
tăng
ii) V
po
tăng
Chương 6
5⇒ “Voltage-Sensitive Device”
Đồ thò:

Lưu ý: n-JFET: Phân cực sao cho không có dòng I
Channel-Gate
(v
GS
≤ 0 hoặc v
GS
nhỏ > 0)

6.2.3 Đặc tuyến:
Điện áp v
DS
tại điểm nghẽn: v
DS-Pinch Off
= V
p
= V
po
+ v

⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−++
2/3
2
3
1
po
GS
po
GS
po
V
v
V
v
I
với v
GS
< 0
Nhận xét: v
GS
= 0: i
D
= I
po