ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
_______________________

Nguyễn Thùy Trang

HỆ THẤP CHIỀU OXIT PHỨC HỢP: MÔ PHỎNG VÀ KHẢO
SÁT MỘT SỐ TÍNH CHẤT

LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ CHẤT RẮN

Hà Nội – 2017


ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
_______________________

Nguyễn Thùy Trang

HỆ THẤP CHIỀU OXIDE PHỨC HỢP: MÔ PHỎNG VÀ KHẢO
SÁT MỘT SỐ TÍNH CHẤT
Chuyên ngành: Vật lý chất rắn
Mã số: 62440104
LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ CHẤT RẮN

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS. TS. HOÀNG NAM NHẬT

Hà Nội – 2017



Nguyễn Thùy Trang


DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
1(2,3)D: Một (hai, ba) chiều (One (two, three) dimensional)
AFM: Phản sắt từ (Antiferromagnetic)
BIS: Phổ đẳng sắc Bremsstrahlung (Bremsstrahling isochromat spectroscopy)
CI: Tương tác cấu hình (Configuration interaction)
CMR: Từ điện trở khổng lồ (Colossal magnetoresistance)
DE: Trao đổi kép (Double exchange)
DFT: Lý thuyết phiếm hàm mật độ (Density functional theory)
DOS: Mật độ trạng thái (Density of states)
DSC: Phép đo nhiệt lượng quét vi sai (Differential scanning calorimetry)
DTA: Phân tích nhiệt vi sai (Differential thermal analysis)
EDX hoặc EDS: Phân tích phổ tia X tán sắc năng lượng (Energy dispersive X-ray
spectroscopy)
EELS: Phổ mất mát năng lượng điện tử (Electron energy loss spectroscopy)
FM: sắt từ (Ferromagnetic)
FTJ: tiếp xúc chui ngầm sắt điện (Ferroelectric tunneling junction)
GGA: Phép gần đúng gradient suy rộng (Generalize gradient approximation)
HEMT: Transitor có độ linh động điện tử cao (High electron mobility transitor)
LDA: Phép gần đúng mật độ địa phương (Local density approximation)
MO: Orbital phân tử (Molecular orbital)
MTJ: tiếp xúc chui ngầm sắt từ (Ferromagnetic tunneling junction)
SCF: Trường tự hợp (Self-consistent field)
SE: Siêu trao đổi (Super exchange)
SEM: Hiển vi điện tử quét (Scanning electron microscope)
TER: sắt điện trở chui ngầm (Tunneling electroresistance)
TGA: Phân tích nhiệt trọng lượng (Thermal gravitation analysis)
TMR: từ điện trở chui ngầm (Tunneling magnetoresistance)


Bảng 3.1

Độ chênh lệch giữa mô men từ Mn ở 2 bề mặt IF1 và IF2, mMn, độ
thay đổi tổng cộng của mô men từ M khi độ phân cực điện P của
BTO đổi chiều và hệ số liên kết từ - điện S.

Bảng 3.2

Sự chênh lệch năng lượng giữa các trạng thái phản sắt từ so với trạng
thái FM E (meV) của hệ siêu mạng LSMO/BTO.

Bảng 3.3

Kết quả tính hằng số mạng của vật liệu Ca2CuO3 bằng các phương
pháp khác nhau

Bảng 3.4

Các đỉnh EDX và các chuyển mức tương ứng được gán dựa vào dữ
liệu trong [92]

Bảng 3.5

Thông số mạng của các mẫu Ca2CuO3:Ux thu được từ phép phân tích
phổ nhiễu xạ tia X dựa trên phương pháp Rietveld với sự hỗ trợ của
chương trình tính toán WinMProf

Bảng 3.6


Lược đồ về cấu trúc vùng năng lượng của một số trạng thái cơ bản
chính trong giản đồ pha ZSA: (a) Khi U pd, pd > c ~ W/2, trạng thái cơ bản là
cách điện chuyển điện tích; (c) Khi pd < W/2, tdd => 0, trạng thái kim
loại pd; (d) Khi pd < W/2, tdd khác 0, trạng thái cách điện đồng hóa
trị.

Hình 1.4

Sự tách mức năng lượng của các orbital 3d trong một số trường tinh
thể phổ biến: (a) trường bát diện, (b) kim tự tháp và (c) vuông.

Hình 1.5

(a) Hình vẽ minh họa cơ chế của tương tác trao đổi kép giữa các ion
mangan đa hóa trị; (b) Hình vẽ minh họa sự xem phủ giữa orbital 3d
của mangan với 2p của oxy trong tương tác siêu trao đổi.

Hình 1.6

Một số cấu hình định hướng của các orbital d của kim loại chuyển


tiếp và p của oxy minh họa cho các trường hợp khác nhau trong quy
tắc GKA.
Hình 1.7

(a) Trật tự phản sắt từ loại E trong vật liệu HoMnO3 cấu trúc trực thoi
trong đó các chuỗi sắt từ zigzag liên kết phản sắt từ với nhau được
đánh dấu bằng màu xám và màu đen [95]. (b) Sự dịch chuyển của các

dụng làm điện cực đế và kim loại từ mềm được sử dụng làm điện cực
phủ. Rào thế trong hình (b) diễn tả hoạt động của MFTJ ở chế độ chui
ngầm sắt điện và (c) diễn ta hoạt động của MFTJ ở chế độ chui ngầm
sắt từ. Đường liên nét đậm màu đen thể hiện thế tổng cộng, đường
liền mảnh thể hiện vị trí cũ của thế khi lớp sắt điện chưa phân cực,
đường chấm chấm thể hiện thế trung bình của rào thế.


Hình 1.12

(a) Đường cong trễ điện trở của cấu trúc tiếp xúc chui ngầm đa phân
cực MFJT nền LSMO-0,3/BTO/NiFe đo bởi H. M. Yau và cộng sự;
(b) Đường cong từ trễ đo trên màng LSMO và NiFe tương ứng; (c) Sự
thay đổi của điện trở của hệ MFJT này khi từ trường được quét từ 100
Oe về -100 Oe (đường màu đỏ và màu hồng) và ngược lại (đường
màu đen và mà xanh) khi độ phân cực điện của BTO được giữ ở chế
độ bật (đường màu đỏ và màu đen) và chế độ tắt (đường màu hồng và
màu xanh) [37]

Hình 1.13

(a) Hình bên trái thể hiện cấu trúc lớp tiếp chui ngầm đa phân cực
MFTJ nền LCMO-0,3/BSTO-0,5/LCMO-0,3/Au. Hình giữa là đường
trễ điện trở theo từ trường đo ở T = 40 K của hệ tương ứng với độ
phân cực điện ở chế độ bật (màu đỏ) và chế độ tắt (màu xanh). Hình
bên trái thể hiện sự phụ thuộc của điện trở của hệ LSMO-0,3/BSTO0,05/LSMO-0,3/Au vào từ trường khi từ trường được quét từ -200 Oe
đến 200 Oe và ngược lại ở nhiệt độ phòng [120].
(b) Hình bên trái thể hiện cấu trúc lớp MFTJ nền LSMO0,3/BTO/LCMO-0,5/LSMO-0,3 và giải thích cơ chế ảnh hưởng của
độ phân cực điện của lớp BTO lên trật tự từ của LCMO-0,5. Hình bên
phải là đường trễ của điện điện trở chui ngầm theo hiệu điện thế tại T

giác tâm khối thuộc nhóm không gian I4/mmm (b). Các hình cầu xanh
lá cây thể hiện các nguyên tử E (E = Ca hoặc Sr) hoặc La; các hình
cầu màu đỏ và màu hồng lần lượt thể hiện các nguyên tử O và Cu.

Hình 2.1

Quy trình giải phương trình Schrodinger bằng vòng tự hợp

Hình 2.2

Sơ đồ nguyên lý cấu tạo của hệ đo DTA (a) và TGA (b)

Hình 2.3

Sơ đồ cơ chế bức xạ tia X của nguyên tử trong quá trình đo phổ EDX.

Hình 2.4

a) Phản xạ Bragg trên một họ mặt phẳng tinh thể với khoảng cách
giữa các mặt phẳng là d. Hiệu đường đi của 2 tia phản xạ trên 2 mặt
phẳng là 2dsin.
b) Cấu hình tán xạ bởi cấu trúc nguyên tử tuần hoàn.

Hình 2.5

Sơ đồ nguyên lý cấu tạo của một hệ SEM điển hình1 .

Hình 2.6

Giản đồ chuyển mức năng lượng phonon trong quá trình tán xạ đàn

các trạng thái 3d. Các mũi tên thể hiện xu hướng dịch chuyển của các
nguyên tử trong méo mạng.

Hình 3.4

Sự thay đổi mô men của Mn dọc theo lớp LSMO từ IF1 đến IF2 trong
trường hợp định hướng (001) (a) và (111) (b). Độ dịch khỏi tâm khối
bát diện của kim loại vị trí B từ IF2 dọc theo lớp BTO đến IF1, rồi lại
dọc theo lớp LSMO đến IF2 trong trường hợp định hướng (001) (c)
và (111) (d). Sự khác nhau giữa hằng số mạng theo phương vuông
góc và theo phương mặt phằng màng định hướng (001) từ IF2 dọc
theo lớp BTO đến IF1, rồi lại dọc theo lớp LSMO đến IF2 (e). Sự lệch
khỏi giá trị trong vật liệu khối BTO của độ dài liên kết O-B-O trong
màng định hướng (111) từ IF2 dọc theo lớp BTO đến IF1, rồi lại dọc
theo lớp LSMO đến IF2.

Hình 3.5

Mật độ trạng thái DOS của siêu mạng LSMO/BTO với định hướng
(001) (a) và (111) (b). Trong giản đồ DOS trên cùng, đường liền nét,
đường chấm chấm và đường liền nét với phần diện tích bên dưới được
tô màu ghi lần lượt thể hiện mật độ trạng thái tổng cộng của siêu
mạng LSMO/BTO, O 2p và Mn 3d. Các giản đồ DOS ở các hình
dưới, từ trên xuống dưới lần lượt thể hiện mật độ trạng thái Mn 3d ở


lớp IF1, IF1-2 và IF2. Các đường liền nét, chấm chấm và liền nét với
phần diện tích bên dưới được tô màu ghi lần lượt thể hiện mật độ tổng
cộng của các trạng thái Mn 3d, mật độ các trạng thái Mn 3d không
liên kết và mật độ các trạng thái 3d liên kết.

độ phân cực P của BTO, mũi tên màu xanh lá cây thể hiện spin của
Mn trong LSMO. (b) Một số cấu hình trật tự từ trong vật liệu khối. (c)
Trật tự orbital dx2-y2 (bên trái) ưu tiên trạng thái AAFM, trật tự orbital
dz2 (bên phải) ưu tiên trạng thái CAFM.

Hình 3.10

Mật độ trạng thái Mn 3d trên từng lớp nguyên tử từ IF1 (Hình trên
cùng) đến IF2 (Hình dưới cùng) của siêu mạng LSMO/BTO định


hướng (001) với ứng suất của đế STO. Đường màu đen, tím, xanh
lam, xanh lá cây và đỏ lần lượt thể hiện mật độ trạng thái dx2-y2, dz2,
dxz, dyz và dxy.
Hình 3.11

Ô đơn vị mô phỏng hệ tiếp xúc dị thể LAO/STO bao gồm 5 lớp hợp
thức LAO chồng lên 3 lớp hợp thức STO. Các hình cầu màu xanh lá
cây, ghi, tím, xanh da trời, đỏ lần lượt thể hiện các nguyên tử Sr, Ti,
Al, La và O. Lớp chân không có độ dày 15 Å được đưa vào để khử
tương tác giữa các lớp khác nhau theo phương c. Các lớp nguyên tử
được đánh số thứ từ từ 1 (lớp SrO bề mặt) đến 6 (lớp TiO2 ở bề mặt
phân cách) về phía STO và từ 7 (lớp LaO ở bề mặt phân cách) đến 16
(lớp AlO2) ở bề mặt về phía LAO.

Hình 3.12

(a) Mật độ trạng thái của từng lớp nguyên tử của hệ dị thể LAO/STO
với 5 lớp hợp thức LAO và 3 lớp hợp thức STO. Các số thứ tự từ 1
đến 6 thể hiện các lớp nguyên tử STO từ lớp SrO2 bề mặt đến lớp TiO

spin. (b) Ô đơn vị P1 sử dụng trong tính toán với trật tự spin phản sắt
từ giữa các nguyên tử đồng trong chuỗi Cu-O. Các hình cầu màu đỏ
nhỏ, màu đỏ to và màu xanh lục lần lượt biểu thị các vị trí Cu, Ca và
O.

Hình 3.16

Sơ đồ quy trình chế tạo vật liệu Ca2CuO3:Ux bằng phương pháp solgel.

Hình 3.17

Kết quả đo DTA và TGA của gel tương ứng với mẫu Ca2CuO3:U0,04.

Hình 3.18

Kết quả do EDX của mẫu Ca2CuO3:Ux với x = 0 (a), 0,025 (b), 0,03
(c) và hình phóng to khu vực xung quanh đỉnh của U (d).

Hình 3.19

Sơ đồ chuyển mức nguyên tử tương ứng với các bức xạ tia X.

Hình 3.20

Ảnh SEM bề mặt các mẫu x = 0,01 (a); 0,015 (b); 0,02 (c); 0,025 (d); 0,03
(e); 0,035 (f); 0,04 (g); 0,05 (h)

Hình 3.21

Phổ EDX trên từng thành phần của mẫu x = 0,01

tương ứng với kênh spin lên và âm tương ứng với kênh spin xuống.

Hình 3.26

Một số mode dao động hoạt động Raman (2 mode Ag) và hồng ngoại
(3 modes B2u) theo tính toán của lý thuyết nhóm.

Hình 3.27

(a) Phổ hồng ngoại truyền qua của hệ Ca2CuO3 pha tạp uranium. Phần
hình chèn vào góc trên bên phải là kết quả thu được từ tính toán dựa
trên nguyên lý ban đầu sử dụng phương pháp Hartree – Fock sử dụng
hệ cơ sở loại Gaussian 3-21G.
(b), (c) và (d) Phổ tán xạ Raman của hệ Ca2CuO3 pha tạp uranium.
Các đỉnh có cường độ tăng theo nồng độ tạp uranium được chỉ rõ
bằng các mũi tên.

Hình 3.28

(a) Phổ Raman của chuỗi (Cu-O)n với độ dài khác nhau. Hình chèn
vào biểu diễn sự phụ thuộc của cường độ hoạt động Raman của đỉnh
tương ứng với chuyển động đối xứng của nguyên tử O dọc theo
phương chuỗi (Osym,par).


MỤC LỤC
MỞ ĐẦU .................................................................................................................... 3
Chƣơng 1 – TỔNG QUAN VỀ OXIT PHỨC HỢP ............................................... 7
1.1. Các đặc điểm chung của oxit phức hợp ........................................................7
1.1.1. Đặc điểm cấu trúc ................................................................................... 7

3.3.1. Mô hình tính toán .................................................................................. 91
3.3.2. Chế tạo mẫu và các phép đo thực nghiệm ............................................ 93
3.3.3. Kết quả đo DTA và TGA ....................................................................... 95
3.3.4. Cấu trúc vật liệu Ca2CuO3:Ux từ quy trình sol-gel .............................. 96
3.3.5. Cấu trúc điện tử của vật liệu Ca2CuO3............................................... 103
3.3.6. Các phonon quang của vật liệu Ca2CuO3:Ux ..................................... 107
KẾT LUẬN ............................................................................................................ 113
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN
ĐẾN LUẬN ÁN ..................................................................................................... 115
TÀI LIỆU THAM KHẢO .................................................................................... 116
PHỤ LỤC 1 - DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ CHUYÊN NGÀNH DỊCH TỪ
TIẾNG ANH .......................................................................................................... 128

2


MỞ ĐẦU
Ngày nay, nhu cầu phát triển của khoa học công nghệ đã và đang thúc đẩy
mạnh mẽ sự phát triển của khoa học vật liệu. Những đòi hỏi không ngừng về việc
chế tạo các thiết bị công nghệ hiệu năng cao, dẫn đến yêu cầu thu nhỏ kích thước,
tăng tốc độ vận hành, truyền dẫn thông tin, giảm mức tiêu thụ năng lượng, hạ giá
thành của các linh kiện vi điện tử nói chung và các linh kiện spintronics nói riêng,
dẫn đến sự hình thành và ngày càng mở rộng của lĩnh vực vật liệu thấp chiều 1.
Những vật liệu được quan tâm hàng đầu trong lĩnh vực này phải phải kể đến là các
vật liệu perovskite ABO32 và các vật liệu có cấu trúc perovskite biến thể, gọi chung
là oxit phức hợp. Chúng sở hữu những tính chất điện môi quan trọng trong công
nghệ vi điện tử và viễn thông. Ví dụ, với hằng số điện môi cao, BaTiO3,
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 thường được sử dụng làm các tụ điện, cảm biến. Tính chất hỏa
điện của hệ (Ba,Sr)TiO3, PbTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3, K(Ta,Nb)O3
thường được áp dụng làm các đầu dò hỏa điện. Tính áp điện của PbTiO3,

nghệ hiện đại. Do đó, điều chỉnh cấu trúc điện tử thông qua điều chỉnh mạng phối
trí BOx là một chìa khóa quan trọng để thiết kế vật liệu spintronics hiện đại nhằm
đạt được những tính chất mong muốn, thích hợp với các mục tiêu ứng dụng khác
nhau.
Với những nhận định trên, luận án của tôi hướng tới việc nghiên cứu sự làm
giàu tính chất của một số hệ oxit phức hợp tiêu biểu do sự ảnh hưởng của cấu trúc
thấp chiều lên tương tác pd của phối trí BOx. Các hệ được chọn bao gồm hệ hai
chiều dạng tiếp xúc dị thể LaAlO3/SrTiO3 và La1-xSxMnO3/BaTiO3 và hệ chuỗi spin
phản sắt từ một chiều Ca2CuO3. BaTiO3 (BTO), La1-xSrxMnO3 (LSMO-x), LaAlO3
(LAO), SrTiO3 (STO) là các vật liệu perovskite phổ biến và đã được nghiên cứu
rộng rãi. Tuy nhiên, các nghiên cứu gần đây đã chỉ ra rằng sự kết hợp các perovskite
thành các vật liệu composite dạng màng mỏng tiếp xúc dị thể dẫn đến các tính chất
thú vị chưa từng xảy ra trong từng vật liệu riêng lẻ. Chẳng hạn, cả LAO và STO đều
là hai chất cách điện phi từ với độ rộng vùng cấm lớn 5,6 và 3,2 eV. Tuy nhiên, rất
nhiều nghiên cứu thực nghiệm cho thấy cấu trúc dị thể LAO/STO thể hiện tính dẫn
điện giả hai chiều với sự hình thành của một lớp khí điện tử tự do giả hai chiều
giam hãm trong khu vực cỡ 10 nm xung quanh mặt tiếp xúc. Tính dẫn giả hai chiều
này đặc biệt có tiềm năng ứng dụng trong các transitor độ linh động điện tử cao HEMT. Bên cạnh đó, các nghiên cứu thực nghiệm cũng cho thấy dấu hiệu từ tính
trong hệ trên như tính siêu dẫn, sự tồn tại song song của nhiều pha trật tự từ ... Mặt
khác, cấu trúc dị thể giữa perovskite sắt điện điển hình BTO và perovskite sắt từ
LMO pha tạp Sr (LSMO) thể hiện tính đa phân cực với liên kết từ - điện mạnh. Liên
kết từ - điện này hứa hẹn tạo bước tiến trong công nghệ spintronics vì nó cho phép
trực tiếp chuyển tín hiệu từ thành hiệu thế, nhờ đó thu gọn kích thước, giảm nhiễu
các linh kiện.

4


Khác với các hệ hai chiều dạng tiếp xúc dị thể được xây dựng dựa trên các
oxit phức hợp có cấu trúc perovskite, cấu trúc hệ một chiều Ca2CuO3 là một biến


- Vật liệu được chế tạo bằng phương pháp sol-gel với sự hỗ trợ của phép
phân tích nhiệt vi sai DTA, phân tích nhiệt trọng lượng TGA.
- Chất lượng, cấu trúc của mẫu được kiểm tra bằng các phương pháp khảo sát
cấu trúc vật liệu như nhiễu xạ tia X XRD, chụp ảnh hiển vi điện tử quét SEM. Tính
chất dao động mạng được khảo sát bằng các phương pháp phổ tán xạ Raman.
Cấu trúc luận án gồm 3 chương, phần mở đầu và phần kết luận. Trong đó:
Chương 1: Tổng quan về oxit phức hợp
Chương 2: Phương pháp nghiên cứu
Chương 3: Kết quả và thảo luận

6


Chƣơng 1 – TỔNG QUAN VỀ OXIT PHỨC HỢP
1.1. Các đặc điểm chung của oxit phức hợp
1.1.1. Đặc điểm cấu trúc
Các oxit phức hợp thường có cấu trúc dạng perovskite hoặc các dạng cấu
trúc biến thể của của nó. Mạng tinh thể perovskite bao gồm các khối bát diện BO6
chung nhau các nguyên tử oxy ở đỉnh và ở góc tạo nên mạng giả lập phương ba
chiều 3D. Ở tâm mỗi khối giả lập phương là các nguyên tử A (Hình 1.1a). Cấu trúc
có tính đối xứng cao nhất trong họ perovskite là cấu trúc lập phương lý tưởng thuộc
nhóm không gian Pm3m tương ứng với mạng bát diện không bị méo (Hình 1.1a,
phần được chèn bên cạnh). Tuy nhiên, do tính suy biến và giả suy biến của các
trạng thái điện tử xảy ra ở các cấu hình có tính đối xứng cao của bát diện BO6, cấu
trúc này thực tế chỉ tồn tại ở nhiệt độ cao và có rất ít perovskite duy trì được cấu
trúc này ở nhiệt độ phòng. Khi nhiệt độ giảm, sự tách suy biến làm cho các cấu hình
có tính đối xứng thấp của BO6 bền vững hơn dẫn đến sự chuyển pha tứ giác, trực
thoi, hộp thoi, một nghiêng và ba nghiêng. Do đó, trong các vật liệu perovskite, các
méo mạng liên quan đến BO6 bao gồm: (1) méo mạng Jahn-Teller; (2) méo mạng

nguyên tử oxy ở đỉnh và ở góc (nguyên tử oxy màu đỏ và nguyên tử vị trí B màu tím) tạo nên mạng giả lập
phương 3D. Ở tâm mỗi khối giả lập phương là các nguyên tử A. Ô đơn vị giả lập phương thuộc nhóm không
gian Pm3m tương ứng với cấu trúc perovskite lý tưởng được phóng to ở phần bên phải. (b) Ví dụ điển hình của
perovskite kép: SrFe0.5Mo0.5O3. (c) Ví dụ điển hình cho pha Ruddlesen-Popper: Sr2RuO4 (bên trái) và Sr3Ru2O7
(bên phải). (d) Ví dụ điển hình của pha Aurivillius: Bi2O2/Bi(Ti,Nb)2O7. (e) Ví dụ điển hình của pha DionJacobson: KLaNb2O7 (bên trái) và CsLaNb2O7 (bên phải).
Sr2RuO4

Sr3Ru2O7

- Pha Ruddleson-Popper: Công thức chung là An+1BnO3n+1 hay (AO)2/An-1BnO3n-1 vì
pha cấu trúc này được đặc trưng bởi sự xen kẽ giữa các lớp perovkite có độ dày
tương ứng với n khối bát diện và hai lớp nguyên tử AO cùng với lớp nguyên tử giới

8


hạn của lớp perovskite là BO2. Các ví dụ điển hình của pha cấu trúc này là Sr2RuO4
(n = 1, A = Sr, B = Ru), Sr3Ru2O7 (n = 2, A = Sr, B = Ru) như trên Hình 1.1c.
- Pha Aurivillius: Công thức chung là Bi2O2/An-1BnO3n-1 với các lớp perovskite có
độ dày tương ứng với n khối bát diện được ngăn cách bởi hai lớp BiO cấu trúc muối
ăn theo định hướng [111] và lớp nguyên tử giới hạn lớp perovskite là lớp AO. Ví dụ
điển hình của pha cấu trúc này là Bi2O2/Bi(Ti,Nb)2O7 tương ứng với n = 2 (Hình
1.1d).
- Pha Dion-Jacobson: Công thức chung là M+1An-1BnO3n+1 trong đó lớp ngăn cách
là một lớp đơn nguyên tử kim loại kiềm. Các ví dụ điển hình được thể hiện trên
Hình 1.1e bao gồm KlaNb2O7 và CsLaNb2O7.

Cấu trúc lý tưởng

Méo Jahn-Teller