BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀ O TẠO
ĐẠI HỌC HUẾ
TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM

HOÀNG TRỌNG NHÂN

NGHIÊN CỨU SỬ DỤNG ĐIỆN CỰC CACBON
BIẾN TÍNH BẰNG GRAPHEN OXIT DẠNG KHỬ
ĐỂ XÁC ĐỊNH MỘT SỐ HỢP CHẤT HỮU CƠ
BẰNGPHƢƠNG PHÁP VON-AMPE HÒA TAN

CHUYÊN NGÀNH: HÓA PHÂN TÍCH
MÃ SỐ: 60440118

LUẬN VĂN THẠC SĨ HÓA HỌC
NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC:
PGS.TS. NGUYỄN HẢI PHONG

Thừa Thiên Huế, năm 2018


LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi, các số liệu và các
kết quả nghiên cứu nêu trong luận văn là trung thực, đƣợc các đồng tác giả cho
phép sử dụng và chƣa đƣợc công bố trong bất kì một công trình nào khác.

Tác giả

Hoàng Trọng Nhân


DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ TỪ VIẾT TẮT ........................................................ 4
DANH MỤC CÁC BẢNG .............................................................................................. 6
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ , ĐỒ THỊ ......................................................................... 8
MỞ ĐẦU ....................................................................................................................... 11
1. Lý do chọn đề tài ................................................................................................... 11
2. Mục đích nghiên cứu ............................................................................................. 12
3. Đối tƣợng và phạm vi nghiên cứu ......................................................................... 13
4. Phƣơng pháp nghiên cứu ....................................................................................... 13
5. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài ............................................................... 13
6. Cấu trúc của luận văn ............................................................................................ 13
CHƢƠNG 1. TỔNG QUAN ......................................................................................... 15
1.1. GIỚI THIỆU VỀ PHƢƠNG PHÁP VON – AMPE HÒA TAN ANOT ........... 15
1.1.1. Nguyên tắc .................................................................................................... 15
1.1.2. Các kỹ thuật ghi đƣờng von-ampe hòa tan anot ........................................... 16
1.1.3. Điện cực sử dụng trong phƣơng pháp von-ampe hoà tan ............................ 18
1.2. GIỚI THIỆU VẬT LIỆU GRAPHEN ................................................................ 19
1.2.1. Vật liệu graphen ........................................................................................... 19
1.2.2. Các phƣơng pháp tổng hợp graphen oxit dạng khử ..................................... 21
1.3. SƠ LƢỢC VỀ PARACETAMOL (PA) ............................................................. 23
1


1.3.1. Giới thiệu về Paracetamol ............................................................................ 23
1.3.2. Ảnh hƣởng của PA đến sức khỏe con ngƣời ................................................ 24
1.4. SƠ LƢỢC VỀ AXIT ASCORBIC (AA) ............................................................ 25
1.4.1. Giới thiệu về axit ascorbic ............................................................................ 25
1.4.2. Ảnh hƣởng của axit ascorbic đến sức khỏe con ngƣời................................. 25
1.5. SƠ LƢỢC VỀ CAFFEIN (CA) .......................................................................... 26
1.5.1. Giới thiê ̣u về Caffein .................................................................................... 26
1.5.2. Tác động của CA đối với cơ thể ngƣời ........................................................ 26

3.4. KHẢO SÁT ẢNH HƢỞNG CỦA MỘT SỐ CHẤT CẢN TRỞ ....................... 48
3.4.1. Ảnh hƣởng của một số hợp chất hữu cơ....................................................... 49
3.4.2. Ảnh hƣởng của một số hợp chất vô cơ ......................................................... 53
3.5. ĐÁNH GIÁ ĐỘ TIN CẬY CỦA PHƢƠNG PHÁP PHÂN TÍCH .................... 57
3.5.1. Độ lặp lại ...................................................................................................... 57
3.5.2. Khoảng tuyến tính ........................................................................................ 58
3.5.3. Giới ha ̣n phát hiê ̣n và độ nhạy (LOD, LOQ) ............................................... 62
3.6. ÁP DỤNG PHÂN TÍCH MẪU THỰC TẾ ........................................................ 63
3.6.1. Lý lịch mẫu và tiến trình phân tích .............................................................. 63
3.6.2. Phân tích mẫu thuốc và đánh giá độ đúng của phƣơng pháp phân tích ....... 65
KẾT LUẬN ................................................................................................................... 68
TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................................................. 69

3


DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ TỪ VIẾT TẮT

STT

Tiếng Việt

Tiếng Anh

Viết tắt

1

Axit ascorbic


Dung dịch đệm phosphat

Phosphate buffersolution

PBS

6

Dung dịch đệm BrittonRobinson

Britton-Robinson buffersolution

B-RBS

7

Điện cực làm việc

Working electrode

WE

8

Điện cực than thủy tinh

Glassy carbon electrode

GCE


LOQ

13

Giới hạn phát hiện

Limit of detection

LOD

14

Graphene oxit dạng khử

Reduced graphene oxit

RGO

15

Paracetamol

Paracetamol

PA

16

Sắc kí lỏng hiệu năng cao


20

Thời gian làm giàu

Accumulation time

tAcc

21

Tốc độ quét thế

Sweep rate

V

22

Von-ampe hòa tan anot

Anodic stripping voltammetry

ASV

23

Von-ampe vòng

Cyclic voltammetric


Bảng 3.16. Ảnh hƣởng của ion NaNO3đến IP của AA, PA và CA. ..........................55
Bảng 3.17. Ảnh hƣởng của ion CaCl2đến IP của AA, PA và CA. ............................55
Bảng 3.18. Ảnh hƣởng của ion (NH4)2SO4 đến IP của AA, PA và CA. ...................56

6


Bảng 3.19.Các giá trị Ip,TB, RSD, RSDHkhi đo lă ̣p la ̣i ở 3 nồng độ khác nhau của
AA, PA và CAtheo phƣơng pháp SqW-ASV. ..........................................................57
Bảng 3.20.Giá trị Ip,TB của AA, PA và CA ở các nồ ng đô ̣ thêm chu ẩn riêng lẻ khác
nhau theo phƣơng pháp SqW-ASV. ..........................................................................59
Bảng 3.21.Giá trị Ip,TB của AA, PA và CA ở các nồ ng đô ̣ thêm chu ẩn đồng thời khác
nhau theo phƣơng phápSqW-ASV. ...........................................................................61
Bảng 3.22.LOD, LOQ của phƣơng pháp SqW-ASVsƣ̉ du ̣ng đi ện cực biến tính
ERGO/GCE. ..............................................................................................................63
Bảng 3.23.Lý lịch các mẫu thuốc viên nén trên thị trƣờng Thừa Thiên Huế. ..........64
Bảng 3.24. Kết quả xác định hàm lƣợng AA, PA và CA trong sáu mẫu thuốc viên
nén. ............................................................................................................................66
Bảng 3.25.Kết quả đánh giá độ đúng của phƣơng pháp SqW -ASV so với phƣơng
pháp HPLC khi phân tích AA, PA và CA trong các mẫu thuốc viên nén. ...............67

7


DANH MỤC CÁC HÌ NH VẼ , ĐỒ THỊ
Hình 1.1. Sự biến thiên thế theo thời gian (a); Dạng đƣờng von-ampe hòa tan trong
phƣơng pháp SqW-ASV(b). ......................................................................................17
Hình 1.2.Graphen cấu trúc cơ bản (2D) và các vật liệu cacbon khác (0D, 1D và
3D). ............................................................................................................................19
Hình 1.3. Các liên kết của nguyên tử cacbon trong mạng graphen. .........................21

Hình 3.11. Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ axit benzoic khác nhau. ..........................................................51
Hình 3.12. Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ axit glutamic khác nhau..........................................................51
Hình 3.13. Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ axituric khác nhau. .................................................................52
Hình 3.14.Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ dopamin khác nhau. ................................................................53
Hình 3.15. Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ K2CO3 khác nhau....................................................................54
Hình 3.16. Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ NaNO3 khác nhau. ..................................................................54
Hình 3.17.Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ CaCl2 khác nhau. ....................................................................56
Hình 3.18. Các đƣờng SqW-ASV (a) và sai số tƣơng đối của IP (b) đối với AA, PA
và CA ở các nồng độ (NH4)2SO4 khác nhau. ............................................................56
Hình 3.19.Các đƣờng SqW-ASV ở ba nồng độ AA, PA và CA với ba thí nghiệm
khác nhau (TN1, TN2 vàTN3). .................................................................................58
Hình 3.20.IP của AA, PA và CA khi sử dụng điện cực ERGO/GCE qua các ngày
khác nhau...................................................................................................................58

9


Hình 3.21. Các đƣờng SqW-ASV tƣơng ứng với thí nghiệm 1 (a), thí nghiệm 2 (b),
thí nghiệm 3 (c) và cácphƣơng trình hồi quy tuyến tính biểu diễn mối tƣơng quan
giữa IP và nồng độ của các chất tƣơng ứng AA (d), PA (e) vàCA (f). .....................60
Hình 3.22.Các đƣờng SqW-ASV của AA, PA và CA ở các nồng độ thêm chuẩn
đồng thời khác nhau (a); Cácđƣờng hồi quy tuyến tính biểu diễn mối tƣơng quan
giữa IP và nồng độ của AA, PA và CA (b). ...............................................................61

học rất quan tâm, đặc biệt là điện cực biến tính với vật liệu có kích thƣớc nano.
Vật liệu graphen và graphen oxit có nhiều ƣu điểm song cũng tồn tại nhiều
điểm hạn chế. Chính vì vậy, việc sử dụng vật liệu graphen oxit dạng khử (Reduced
Graphene Oxit – RGO) đã mở ra một hƣớng phát triển điện cực biến tính nhằm thay
thế cho các loại điện cực làm việc truyền thống nhƣ điện cực giọt thủy ngân treo và
màng thủy ngân, là những loại điện cực gây ra sự ô nhiễm đối với môi trƣờng. Để
có đƣợc vật liệu RGO, có thể sử dụng nhiều phƣơng pháp khác nhau. Trong đó
11


phƣơng pháp khử bằng điện hóa (Electrochemically Reduced Graphene Oxit –
ERGO) có nhiều ƣu điểm nổi trội so với các phƣơng pháp khác.
Trong những năm gần đây, số lƣợng các công trình nghiên cứu xác định các
chất hữu cơ tăng lên khá nhanh chóng với việc sử dụng ERGO để biến tính điện cực
và áp dụng trong các đối tƣợng mẫu khác nhau.
- Thứ nhất là trong mẫu sinh học nhƣ nƣớc tiểu và huyết thanh. Các chất đã
đƣợc xác định nhƣ: 6-thioguanine[33], xác định đồng thời hai đồng phân  và naphthol [32].
- Thứ hai là trong môi trƣờng nƣớc nhƣ: 6-thioguanine [33], xác định đồng
thời hydroquinone và catechol[14].
- Thứ ba là trong các mẫu dƣợc phẩm và thực phẩm nhƣ: daphnetin[34], axit
ascorbic[41]trong dƣợc phẩm. Trong các mẫu thực phẩm đã xác định một số hóa
chất nhƣ Orange II[44], butyl-hydroxyanisole (BHA) và terc-butylhydroquin
(TBHQ)[43].
Xuất phát từ các vấn đề nêu trên cho thấy rằng việc xác định các hợp chất hữu
cơ bằng phƣơng pháp von-ampe hoà tan sử dụng điện cực biến tính bằng ERGO là
thân thiện với môi trƣờng và là một hƣớng nghiên cứu mới trong lĩnh vực phân tích
điện hóa trong nƣớc cũng nhƣ trên thế giới . Đồng thời nó có tính khả thi cao trong
các phòng thí nghiệm ở Việt Nam đƣợc trang bị thiết bị phân tích điện hóa đa chức
năng. Đó là lý do chọn đề tài luâ ̣n văn


- Chƣơng 1. Tổng quan
+ Giới thiệu về phƣơng pháp von-ampe hòa tan anot: nguyên tắc, các kỹ thuật
ghi đƣờng von-ampe hòa tan anot và các loại điện cực sử dụng trong phƣơng pháp
von-ampe;
+ Tổng quan về graphen oxit và graphen oxit dạng khử.
+ Giới thiệu về AA, PA và CA.
- Chƣơng 2. Nội dung và phƣơng pháp nghiên cứu
+ Nội dung nghiên cứu: Khảo sát các đặc tính von-ampe hòa tan của AA, PA
vàCA trên điện cực biến tính; khảo sát ảnh hƣởng của các yếu tố đến tín hiệu hòa
tan của AA, PA vàCA để áp dụng phân tích một số mẫu dƣợc phẩm;

13


+ Phƣơng pháp nghiên cứu: Sử dụng phƣơng pháp von-ampe vòng, phƣơng
pháp von-ampe hòa tan anot dùng kỹ thuật sóng vuông và phƣơng pháp thống kê xử
lý số liệu.
- Chƣơng 3. Kết quả và thảo luận
+ Tổng hợp vật liệu graphen oxit và graphen oxit dạng khử
+ Khảo sát ảnh hƣởng của các yếu tố đến tín hiệu hòa tan
+ Đánh giá độ tin cậy của phƣơng pháp
+ Phân tích mẫu thực tế
- Kết luận và kiến nghị
- Tài liệu tham khảo

14


CHƢƠNG 1. TỔNG QUAN


kim loại nhƣ Zn, Cd, Pb, Cu và asen (As) với các WE khác nhau [9].
- Hấp phụ làm giàu: theo cách này thƣờng đƣợc sử dụng để xác định trực tiếp
các hợp chất vô cơ và hữu cơ. Các hợp chất vô cơ và hữu cơ có thể hấp phụ trực
tiếp hoặc có thể tạo phức với ion kim loại rồi hấp phụ lên trên bề mặt WE [17].
b. Giai đoạn hòa tan:
Thực chất của giai đoạn hòa tan là hòa tan chất phân tích ra khỏi bề mặt WE
bằng cách quét thế về phía dƣơng hơn (gọi là quét anot). Trong giai đoạn này, quá
trình xảy ra trên điện cực là ngƣợc với giai đoạn làm giàu[17].
Trong giai đoạn này, thƣờng không khuấy dung dịch phân tích.
Nếu sử dụng kỹ thuật xung vi phân thì gọi là phƣơng pháp DP-ASV, còn nếu
dùng kỹ thuật sóng vuông thì gọi là SqW-ASV đối với việc xác định kim loại.
Riêng đối với quá trình làm giàu là hấp phụ thì đƣợc gọi là von – ampe hòa tan anot
hấp phụ xung vi phân (DP-AdSV) hoặc sóng vuông (SqW-AdSV).
Đƣờng von – ampe hòa tan thu đƣợc có dạng đỉnh (peak). Thế đỉnh (Ep hay
Up) và độ lớn của dòng đỉnh hòa tan (Ip) phụ thuộc vào nhiều yếu tố nhƣ: thành
phần nền (chất điện ly nền, pH, chất tạo phức,...), bản chất của điện cực làm việc,
thế và thời gian điện phân làm giàu, điều kiện thủy động học (sự khuấy trộn hoặc
quay điện cực,...) trong giai đoạn làm giàu, tốc độ quét thế trong giai đoạn hòa tan,
kỹ thuật ghi đƣờng von – ampe hòa tan,…Trong đó, Ep dùng để định tính và Ip dùng
để định lƣợng chất phân tích.
1.1.2. Các kỹ thuật ghi đƣờng von-ampe hòa tan anot
Trongphƣơngpháp ASV, để ghi đƣờng von-ampe hòa tan, có thể dùng các kỹ
thuật khác nhau nhƣ von-ampe xoay chiều (AC), von-ampe xung vi phân (DP),
von-ampe sóng vuông (SqW). Dƣới đây sẽ giới thiệu nguyên tắc của kỹ thuật SqW.
Kỹ thuật von-ampe sóng vuông (SqW) đƣợc dùng để ghi đƣờng von-ampe hòa
tan. Theo kỹ thuật này, những xung thế đối xứng có biên độ nhƣ nhau khoảng từ 1
đến 50 mV và bề rộng xung không đổi khoảng từ 30 đến 100 ms đƣợc đặt chồng lên
16



Trong mỗi chu kì xung, dòng đƣợc đo ở hai thời điểm là t1 (thu đƣợc dòng
dƣơng I1) và t2 (thu đƣợc dòng âm I2), trong một thời gian rất ngắn khoảng 30 ms.
Ở thời diểm t1 : I1 = Ikt1+ Ic1

(1.5)

Ở thời diểm t2 : I2 = Ikt2+ Ic2

(1.6)

Dòng thu đƣợc là hàm của thế đặt lên điên cực làm việc I = f(EWE) và có giá trị
là hiệu của hai giá trị dòng đó (I = I2 – I1).
Với cách ghi dòng nhƣ vậy, dòng tụ điện gần nhƣ bị triệt tiêu, dòng ghi đƣợc
dƣới dạng một cực đại
1.1.3. Điện cực sử dụng trong phƣơng pháp von-ampe hoà tan
Để tiến hành phân tích bằng phƣơng pháp von-ampe hòa tan nói chung và
von-ampe hòa tan anot nói riêng, ngƣời ta dùng hệ thiết bị gồm một máy cực phổ và
một bình điện phân gồm 3 điện cực:
- Điện cực làm việc (WE) nhƣ điện cực rắn đĩa quay bằng kim loại hoặc vật
liệu nền là cacbon, điện cực giọt thủy ngân tĩnh (SMDE), điện cực giọt thủy ngân
treo (HMDE), điện cực màng kim loại (MeFE) hoặc điện cực biến tính;
- Điện cực so sánh thƣờng là điện cực calomen hoặc bạc/bạc clorua;
- Điện cực phù trợ thƣờng dùng là điện cực platin (Pt).
Nắp bình điện phân còn có lỗ hổng để dẫn luồng khí trơ (N2, Ar ...) vào dung
dịch phân tích để đuổi và loại ôxy hòa tan trong dung dịch.
Trong phần tổng quan này, chúng tôi chỉ đề cập đến loại điện cực biến tính,
còn các loại điện cực làm việc khác không đề cập đến và có thể tham khảo trong các
tài liệu chuyên ngành.
Điện cực biến tính – một loại điện cực đƣợc quan tâm nghiên cứu trong nhiều
năm gần đây – đặc biệt biến tính bằng vâ ̣t liê ̣u polyme dẫn điê ̣n , đƣợc tạo ra bằng

chặt chẽ trong mạng tinh thể hình tổ ong 2 chiều (2D). Graphen đƣợc cuộn lại sẽ tạo
nên dạng thù hình fullerene (0D), đƣợc quấn lại sẽ tạo nên dạng thù hình cacbon
nanotube (1D), hoặc đƣợc xếp chồng lên nhau sẽ tạo nên dạng thù hình graphit
(3D)(hình 1.2). Nét điển hình của cấu trúc là sắp xếp các nguyên tửcacbon trên đỉnh
các lục giác đều, nằm cách nhau những khoảng nhất định là 1,42 Å và liên kết với
nhau bởi những liên kết sp3.
Graphen đƣợc hai nhà khoa học ngƣời Anh gốc Nga là Andre Geim và
Konstantin Novoselov (Đại học Manchester, Anh) khám phá ra vào năm 2004, năm
2010 giải Nobel Vật lý đã đƣợc trao cho hai nhà khoa học này[18]. Dƣới kính hiển
vi họ đã quan sát đƣợc những mảng graphen lơ lửng trong trạng thái tựdo không
phẳng mà lồi lõm nhƣ mặt sóng vi mô trong không gian 3 chiều.
Vềmặt cấu trúc, màng graphen đƣợc tạo thành từcác nguyên tử cacbon sắp
xếp theo cấu trúc lục giác trên cùng một mặt phẳng, hay còn đƣợc gọi là cấu trúc tổ
ong. Do chỉ có 6 điện tử tạo thànhlớp vỏcủa nguyên tử cacbon nên chỉcó bốn điện
tử phân bốởtrạng thái 2s và 2p đóng vai trò quan trọng trong việc liên kết hóa học
giữa các nguyên tửvới nhau. Các trạng thái 2s và 2p của nguyên tử cacbon lai hóa
với nhau tạo thành 3 trạng thái sp, các trạng thái này định hƣớng theo ba phƣơng tạo
với nhau một góc 120o. Mỗi trạng thái sp của nguyên tử cacbon này xen phủvới một
trạng thái sp của nguyên tử cacbon khác hình thành nên liên kết cộng hóa trịsigma
(σ) bền vững. Chính các liên kết σ này quy định cấu trúc mạng tinh thể graphen
ởhình dạng tổ ong và lý giải tại sao graphen rất bền vững vềmặt cơ học và trơ
vềmặt hóa học trong mặt phẳng mạng. Ngoài các liên kết sigma, giữa hai nguyên tử
cacbon lân cận còn tồn tại một liên kết pi (π) khác kém bền vững hơn hình thành do
sự xen phủ của các orbitan pzkhông bị lai hóa với các orbitan s. Do liên kết π này
yếu và có định hƣớng không gian vuông góc với các orbitan sp nên các điện tửtham
gia liên kết này rất linh động và quy định tính chất điện và quang của graphen. Hình
1.3 mô hình hóa các liên kết của một nguyên tử cacbon trong mạng graphen.
Graphen oxit (GO) là sản phẩm oxy hóa graphit bằng các tác nhân oxy hóa
mạnh, qua đó gắn các nhóm chức có chứa oxy lên bề mặt các tấm graphen nằm
20

Thị Thu Hà - Viện Hóa học công nghiệp tổng hợp GO bằng phƣơng pháp Hummers
rồi khử GO về RGO bằng tác nhân khử xanh “Caffein”, RGO thu đƣợc khoảng 6
lớp [39]. Ngoài phƣơng pháp sử dụng các chất hóa học để khử các nhóm chức chứa
oxi trên GO còn có phƣơng pháp khử nhiệt.
Phương pháp nhiệt:khử hóa học là phƣơng pháp phổ biến nhất để khử GO,
thay vì sử dụng một chất khử hóa học để loại các nhóm chức chứa oxi từ bề mặt ở
đây sử dụng nhiệt để khử graphit oxit hoặc GO trong lò nung (môi trƣờng chân
không cao hoặc trong môi trƣờng khí Ar, H2, N2,…). Bên cạnh quá trình khử còn có
quá trình bóc lớp, quá trình bóc lớp xảy ra là vì các khí CO, CO2, hơi H2O và các
phân tử hydro nhỏ đƣợc tạo ra bằng cách nung nóng graphit oxit, GO lên nhiệt độ
cao, tạo ra áp lực rất lớn trong các lớp xếp chồng lên nhau (40 MPa tại nhiệt độ
300 oC, 130 MPa khi nhiệt độ đạt 1000 oC) khi áp suất đủ lớn sẽ tách các lớp GO ra
xa. Theo Hamaker dự đoán rằng áp suất chỉ 2,5 MPa là cần thiết để tách hai tấm GO
xếp chồng lên nhau. Ngoài ra, CO cũng đóng vai trò là các tác nhân khử đi các
nhóm chức trên bề mặt GO [19].
Trong phƣơng pháp tổng hợp graphen (RGO) đi từ GO, mặc dù quá trình khử
GO về RGO có thể khử phần lớn nhóm chức chứa oxy trên bề mặt, tuy nhiên để làm
tăng tỷ lệ C/O = 2:1 lên đến C/O = 246:1 đang là một thách thức không nhỏ[41].
Quan trọng hơn đó là quá trình khử GO sử dụng tác nhân hóa học, tác nhân nhiệt
tạo thành RGO có thể làm thay đổi cấu trúc của cacbon [41] và làm RGO tổng hợp
đƣợc có những khuyết tật trong nó. Sự thay đổi về mặt cấu trúc cho thấy sự khác
nhau giữa RGO khử bằng tác nhân hóa học cũng khác so với graphen nguyên bản.
Phương pháp điện hóa:Theo Felix [15] Graphen điều chế bằng phƣơng pháp
điện hóa đƣợc biểu diễn ở hình 1.4.
Phƣơng pháp điện hóa có nhiều ƣu điểm nổi trội hơn so với các phƣơng pháp
hóa học và phƣơng pháp nhiệt là:
- Tiết kiệm về mặt kinh tế và thời gian;
- Không sử dụng các hóa chất độc hại và nguy hiểm và do đó, rất thân thiện
với môi trƣờng;
22