Unregistered version, please register, www.word-pdf-convert.com
HỆ THỐNG SỐ
Chủ đề:
TÌM HIỂU VÈ DRAM
N h ó m 3
11
/
8/201
o
T ran g 1
- Giới thiêu vê DRAM.
- Phân loại bộ nhớ.
■ ■
- Cấu tạo và nguyên lí hoạt động.
- Chức năng các khối.
- Cấu tạo và hoạt động của tế bào nhớ.
-Tổng kết.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 2
GIỚI THIÊU VÊ DRAM
Sơ LƯỢT VẺ BỌ NHỚ RAM:
■ ■
- RAM ( Random Access Memory) là bô
nhớ truy cập ngẫu nhiên. Chúng có thể
truy xuất đến bất kì vị ứí nhớ nào, vào bất kì
lúc nào dựa vào địa chỉ của ô nhớ đó.
■ ■
- Điều này tao nên sự khác biệt giữa RAM
với các thiết bị nhớ tuần tự {sequential

Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 5
Un re
GIỚI THIỆU VÊ DRAM
Sơ LƯỢT VẺ LỊCH sử DRAM:
- DRAM được phát minh đầu tiên bởi tiến sĩ
Robert Dennard tại trung tâm Thomas J.Watson
IBM năm 1966.
- Đầu năm 1970, Intel chế tạo thành công
DRAM dùng một cell 3 transistor tên Intel
1102. Đến 10/1970 Intel cho ra đời Intel 1103
có cell 1 transistor.
- Năm 1973 bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều
địa chỉ hàng/cột là Mostek MK4096 (4096x1).
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 6
Unregistered version, please register, www.word-pdf-convert.com
PHAN LOẠI BỘ NHỠ
MEMORY
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
T ran g 7
Unregistered version, please register. WWW. wo r.
CAC CHUNG LOAI DRAM
- SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)

800/1066/1333/1600 Mhz, so bit dữ liệu là
64, điện thế là 1.5v, tổng số pin là 240.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Unregistered version, please register. WWW. wo r.
CAC CHUNG LOẠI DRAM
I _ SB a s Eft
+ RDRAM(Rambus Dynamic RAM) gọi tat
là "Rambus. Được thiết kế kỹ thuật họàn
toàn mới so với SDRAM. Hoạt động đồng
bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ liệu
theo một hướng. Sử dụng một modul gọi
là RIMM(Rambus Inline Memory module)
để kết nối các DRAM
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 11
Unreaisiered version, please reqister. W-A
CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG
I • • •
Chúng ta tìm hiểu 2 vấn đề:
- Cấu tạo phần cứng.
- Nguyên lý hoạt động.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Tnng 12
Un realste red ve

_

_
_

_
Ä
_______
£
Sơ DO KHOI
■
DRAM
Điều
khiên
Địa chi Đệm địa
chi
1— rV
Dừ liệu
vảo
Đệm dừ
liệu
Sơ đồ Cấu tạo DRAM
Tiền nạp
(préchargé)
Ma ưận nhỡ
Giái mâ
hảng
Khuếch đại
nhav
z f c

Unrea istered'
ra m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ PHẬN TIẺN NẠP:
■ ■ ■
- Sau mõi lần đọc dữ liệu thì tín hiệu điện áp
■ ■ ■ ■ y
lưu giữ trong tế bào nhớ bị mẩt. Do đó càn
có bộ phận nạp lại điện thế.
- Nạp lại tín hiệu điện áp cho tụ để tránh mất
mát dữ liệu do tụ bị rò rĩ điện. Chu kì nạp lại
■ ■ ■ ■ ■ I ■
rát nhanh, khoảng 2 ms.
- ở đây chỉ nạp lại điện áp cho tất cả các bit
có giá trị 1.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 19
Un re aistered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ PHẬN KHUẾCH ĐẠI - SENSE AMPLIFIER:
■ ■ ■
- Có chức năng khuêch đại tín hiệu để xác
định giá trị của ô nhớ.
- Theo lý thuyết thì mức điện áp 5v đại diện
giá trị 1, Ov đại diện giá trị 0. Nhưng thực tế
mức điện áp luôn dị dao động trong khoảng
Ov đến 5 V.

/ 8 / 2 0 1 0
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ ĐỆM ĐỊA CHỈ:
■ ■ ■
- Chứa địa chỉ được truyền vào chíp nhớ
- Do địa chỉ được xác định bằng mức
điện áp nên trong quá trình truyền có thể
bị mất mát. Bộ đệm địa chỉ sẽ giúp khôi
phục lại mức điện áp đúng với giá trị ban
đầu.
- Sau khi được khôi phục, địa chỉ sẽ
được truyền đến các bộ giải mã địa chỉ.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0
Trang 22
Un re aistered'
m m
CHỨC NĂNG CÁC KHỐI
Bộ ĐỆM Dử LIỆU VÀO RA:
■ ■ ■
- Thường là các mạch chốt (latch) hay
các flip-flop dùng để lưu giữ dữ liệu
đầu vào và ra của chip nhớ.
- Khôi phục mức điện áp phù hợp với
giá trị, tránh mất mác.
Nhóm 3
11
/ 8 / 2 0 1 0