ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
TRẦN NGUYỄN THÙY NGÂN
NGHIÊN CỨU ĐẶC TRƯNG HIỆU SUẤT VÀ ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ
TỰ HẤP THỤ TRONG PHÂN TÍCH HOẠT ĐỘ MẪU MÔI TRƯỜNG
TRÊN HỆ PHỔ KẾ GMX35P4-70 BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP5
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ
Tp. Hồ Chí Minh, 2014
ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
Để hoàn thành luận văn này tác giả đã nhận được sự quan tâm và giúp đỡ tận tình
từ rất nhiều người.
Tôi xin bày tỏ lòng trân trọng và cảm ơn đến Cô TS. Trương Thị Hồng Loan là
người Thầy đã truyền đạt những kiến thức và kinh nghiệm quý báu trong quá trình học
tập của tôi và là người đã tận tình hướng dẫn và hỗ trợ tôi trong suốt thời gian thực hiện
luận văn.
Tôi xin chân thành cám ơn Thầy TS. Trần Thiện Thanh và Th.S Huỳnh Đình
Chương đã chia sẻ kinh nghiệm và đưa ra những góp ý quý báu trong quá trình tôi thực
hiện luận văn này.
Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Phòng Kỹ thuật Hạt nhân – Trường Đại học Khoa học
Tự nhiên Tp. HCM đã hỗ trợ thiết bị hệ phổ kế gamma HPGe cho tôi trong quá trình
thực hiện luận văn.
Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Quý Thầy Cô trong Bộ môn Vật lý Hạt nhân Trường
Đại học Khoa học Tự nhiên Tp. HCM đã luôn tạo điều kiện tốt để tôi có thể học tập và
thực hiện luận văn này.
Tôi xin gửi lời cảm ơn đến các bạn kỹ thuật viên Phòng Kỹ thuật Hạt nhân – Trường
Đại học Khoa học Tự nhiên Tp. HCM, đặc biệt là bạn Huỳnh Thị Yến Hồng, bạn
Trương Hữu Ngân Thy, và bạn Vũ Ngọc Ba đã nhiệt tình giúp đỡ và hỗ trợ tôi về phần
tư liệu của hệ máy và đo đạc thực nghiệm trong suốt quá trình thực hiện luận văn này.
Và tôi cũng xin gửi lời cảm ơn chân thành và tình yêu thương sâu sắc đến gia đình
và những người bạn đã luôn hỗ trợ và động viên tôi hoàn thành luận văn này.
Tp. Hồ Chí Minh, ngày 02 tháng 09 năm 2014
Trần Nguyễn Thùy Ngân
ii
2.4. Đề xuất mô hình hiệu chỉnh 26
2.4.1. Mô hình hiệu chỉnh lần dạng 1 27
2.4.2. Mô hình hiệu chỉnh dạng 2 29
CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA HIỆU ỨNG TỰ HẤP THỤ LÊN
HIỆU SUẤT GHI ĐỐI VỚI HÌNH HỌC MẪU THỂ TÍCH 32
3.1. Khảo sát hiệu suất mẫu thể tích 32
3.1.1. Mẫu hộp hình trụ 32
3.1.2. Kiểm tra hiệu lực mô hình 32
3.1.2.1. So sánh hiệu suất từ chương trình MCNP5 với phần mềm ANGLE 333
3.1.2.2. So sánh hoạt độ
238
U trong mẫu RGU1 tính toán được từ hiệu suất mô
phỏng với số liệu cung cấp bởi IAEA 37
3.2. Mô phỏng hiệu suất mẫu thể tích theo vật liệu và theo mật độ của mẫu 44
KẾT LUẬN 55
KIẾN NGHỊ 56
TÀI LIỆU THAM KHẢO 57
DANH MỤC CÔNG TRÌNH 61
iv
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ
Hình 1.1. Minh họa phương pháp nội suy dùng xác định FWHM 15
Hình 2.1. Hệ phổ kế gamma đầu dò HPGe GMX35P4-70 18
Hình 2.2. Cấu trúc đầu dò GMX35P4-70 19
Hình 2.3. Cấu trúc buồng chì (kích thước theo cm) 20
Hình 2.4. Mô tả hình học và kích thước nguồn điểm [12] 21
Hình 2.5. Hình học mẫu đo hộp hình trụ 22
Hình 2.6. Mặt cắt dọc của hệ nguồn – đầu dò – buồng chì vẽ bằng MCNP5 23
3
53
Hình 3.13. Tỷ lệ hiệu suất đỉnh của các vật liệu mẫu so với mẫu đất trầm tích tại
mật độ 1,2 g/cm
3
53
Hình 3.14. Tỷ lệ hiệu suất đỉnh của các vật liệu mẫu so với mẫu đất trầm tích tại
mật độ 2,0 g/cm
3
54
v
DANH MỤC CÁC BẢNG
Bảng 1.1. Đánh giá sai số tương đối R 11
Bảng 2.1. Thông tin hoạt độ mẫu RGU1 do IAEA cung cấp 21
Bảng 2.2. So sánh giá trị từ mô phỏng và giá trị danh định 25
Bảng 2.3. So sánh giá trị từ mô phỏng và giá trị từ thực nghiệm của nhà sản xuất 25
Bảng 2.4. Giá trị hiệu suất đỉnh thực nghiệm và mô phỏng theo năng lượng 25
Bảng 2.5. So sánh giá trị mô phỏng với giá trị danh định và giá trị thực nghiệm từ nhà
sản xuất đối với mô hình hiệu chỉnh dạng 1 28
Bảng 2.6. Giá trị hiệu suất đỉnh thực nghiệm và mô phỏng theo năng lượng 28
Bảng 2.7. So sánh giá trị mô phỏng với giá trị danh định và giá trị thực nghiệm từ nhà
sản xuất đối với mô hình hiệu chỉnh dạng 2 29
Bảng 2.8. Giá trị hiệu suất đỉnh thực nghiệm và mô phỏng theo năng lượng 30
Bảng 2.9. Giá trị hiệu suất đỉnh theo năng lượng tính toán từ MCNP5 và ANGLE 3 với
nguồn đo ở khoảng cách 20,55 cm và 15,55 cm so với mặt đầu dò 31
Bảng 3.1. Thành phần cơ bản của các vật liệu mẫu cần khảo sát [1], [17] 33
Bảng 3.2. Giá trị hiệu suất đỉnh theo năng lượng của mẫu đất trầm tích với mật độ
0,5 g/cm
3
Bảng 3.13. Số liệu diện tích đỉnh từ phổ đo của mẫu chuẩn RGU1 với một số
năng lượng đặc trưng 43
Bảng 3.14. Hoạt độ tính toán được của các đồng vị khảo sát trong mẫu RGU1 43
Bảng 3.15. So sánh hoạt độ của đồng vị
238
U trong mẫu chuẩn RGU1 với thông tin từ
nhà sản suất 43
Bảng 3.16. Giá trị hiệu suất đỉnh mô phỏng theo năng lượng với các vật liệu mẫu
khác nhau tại mật độ 0,5 g/cm
3
44
Bảng 3.17. Giá trị hiệu suất đỉnh mô phỏng theo năng lượng với các vật liệu mẫu
khác nhau tại mật độ 0,8 g/cm
3
45
Bảng 3.18. Giá trị hiệu suất đỉnh mô phỏng theo năng lượng với các vật liệu mẫu
khác nhau tại mật độ 1,0 g/cm
3
45
Bảng 3.19. Giá trị hiệu suất đỉnh mô phỏng theo năng lượng với các vật liệu mẫu
khác nhau tại mật độ 1,2 g/cm
3
46
Bảng 3.20. Giá trị hiệu suất đỉnh mô phỏng theo năng lượng với các vật liệu mẫu
khác nhau tại mật độ 2,0g/cm
3
46
Bảng 3.21. Sự thay đổi hiệu suất đỉnh (%) theo vật liệu mẫu tại mật độ 0,5 g/cm
3
49
Full Width at Half
Maximum
Độ rộng tại nửa chiều cao
cực đại
GEANT
GEometry ANd Tracking
Chương trình mô phỏng
Monte Carlo của nhóm
R. Brun, CERN
GEB
Gaussian Energy
Broadenning
Mở rộng năng lượng dạng
Gauss
HPGe
High Purity Germanium
Germanium siêu tinh khiết
IAEA
International Atomic
Energy Agency
Cơ quan năng lượng
nguyên tử Quốc tế
MCG
Monte Carlo Gamma
Chương trình Monte Carlo
gamma xử lý các
năng lượng cao
MCNG
Monte Carlo Neutron
Gamma
Đầu dò germanium điện
cực ngược
VOV
Variance of Variance
Thông số đánh giá độ tin
cậy của phương pháp
Monte Carlo
XtRa
eXtended Range
Germanium Detector
Đầu dò germanium dải đo
rộng
1
MỞ ĐẦU
Vào tháng 7 năm 2013, Phòng thí nghiệm Kỹ thuật Hạt Nhân có lắp ráp hệ phổ kế
gamma phông thấp sử dụng đầu dò bán dẫn germanium siêu tinh khiết (HPGe) cấu
hình đồng trục của hãng Ortec với số hiệu GMX35P4-70. Trước khi đưa hệ phổ kế vào
sử dụng trong việc phân tích mẫu môi trường hay mẫu kích hoạt neutron cần hiệu chuẩn
hệ phổ kế về mặt năng lượng cũng như hiệu suất ghi nhận, đồng thời khảo sát các thông
số cơ bản của đầu dò.
Mục đích nghiên cứu của luận văn này là nghiên cứu đặc trưng hiệu suất ghi nhận
đối với nguồn điểm và nguồn dạng thể tích của đầu dò; đồng thời xác định hệ số hiệu
chỉnh sự tự hấp thụ theo năng lượng, mật độ và vật liệu mẫu với hình học mẫu dạng
hộp hình trụ nhằm ứng dụng vào quy trình xác định hoạt độ của mẫu môi trường sử
dụng hệ phổ kế gamma. Phương pháp nghiên cứu sử dụng trong luận văn là phương
pháp Monte Carlo sử dụng chương trình mô phỏng MCNP5. Kết quả được kiểm chuẩn
bằng thực nghiệm và chương trình ANGLE 3. Từ đó áp dụng xác định hoạt độ của
đồng vị
238
, 1,0 g/cm
3
, 1,2 g/cm
3
và 2,0 g/cm
3
thông qua tính toán từ
kết quả mô phỏng bằng MCNP5. Sau đó, kiểm tra độ tin cậy của mô hình bằng cách so
sánh hiệu suất đỉnh theo năng lượng thu được từ mô phỏng với hiệu suất tính toán từ
phần mềm ANGLE 3. Tính toán hệ số hiệu chỉnh sự tự hấp thụ trong mẫu đất trầm tích,
áp dụng vào tính toán hoạt độ của đồng vị
238
U trong mẫu chuẩn RGU1 và so sánh với
giá trị hoạt độ do IAEA cung cấp.
3
4
về khoảng cách từ lớp vỏ bên ngoài đầu dò đến mặt trên khối tinh thể. Qua hiệu chỉnh,
độ lệch tương đối giữa hiệu suất thực nghiệm và hiệu suất thu được từ mô phỏng đã
giảm từ 40% xuống 3 – 4% tùy theo năng lượng của bức xạ.
Năm 2013 Tran Thien Thanh và cộng sự [27] đã sử dụng chương trình mô phỏng
PENELOPE2008 và MCNP5 để nghiên cứu hiệu ứng năng lượng cut-off của photon
và electron đối với đáp ứng của đầu dò và xác suất xảy ra đỉnh thoát đối với việc xác
định hiệu suất đối với đầu dò bán dẫn HPGe loại n. Đồng thời, cấu hình của đầu dò
được nghiên cứu và hiệu chỉnh bằng mô phỏng PENELOPE2008 với sự thay đổi về
kích thước khối tinh thể, bề dày lớp chết boron và khoảng cách từ lớp vỏ bên ngoài đầu
dò đến mặt trên khối tinh thể.
Ngoài ra, ảnh hưởng riêng của lớp chết đến hiệu suất ghi nhận của đầu dò cũng
được quan tâm nghiên cứu.
Năm 2003, J. Ródenas và cộng sự [24] đã nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chết đến
hiệu suất ghi nhận của đầu dò HPGe đối với mẫu môi trường dạng Marinelli bằng
phương pháp thực nghiệm và mô phỏng Monte Carlo dùng chương trình MCNP4B.
Năm 2010, Ngo Quang Huy [22] đã nghiên cứu sự suy giảm hiệu suất ghi nhận của
đầu dò bán dẫn HPGe loại p do ảnh hưởng của sự gia tăng bề dày lớp chết bằng phương
pháp mô phỏng Monte Carlo dùng chương trình MCNP5. Kết luận của tác giả là: sau
mười ba năm hoạt động, lớp chết của đầu dò là 1,46 mm so với giá trị ban đầu được
cung cấp bởi nhà sản xuất là 0,35 mm.
Năm 2012, A. Elanique và cộng sự [13] đã nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chết đến
hiệu suất ghi nhận của đầu dò bán dẫn HPGe ở vùng năng lượng thấp bằng phương
pháp thực nghiệm và mô phỏng Monte Carlo dùng chương trình MCNPX. Kết quả
quan trọng của nghiên cứu là sự điều chỉnh bề dày của lớp chết từ 0,4 m
thành 7,5 m.
Tất cả các phép đo tốc độ phát gamma bằng đầu dò rắn chủ yếu là đo tương đối.
Mẫu nghiên cứu hoặc được so sánh trực tiếp với nguồn chuẩn có cùng chất phát gamma
hoặc so sánh gián tiếp với những chất phát gamma khác mà được dùng để xây dựng
mật độ khác nhau thông qua sử dụng mẫu chuẩn là nước. Từ đó thiết lập hệ số hiệu
chỉnh tự hấp thụ đối với các vật liệu mẫu khác nhau. Phương pháp này ít tốn thời gian
và do đó đáp ứng được nhu cầu ứng dụng hệ phổ kế gamma trong phép đo môi trường.
Năm 2006 M. Mostajaboddavati, S. Hassanzadeh, H. Faghihian, M.R. Abdi và M.
Kamali [21] đã tìm ra sự phụ thuộc của hệ số tự hấp thụ của các nguyên tố phóng xạ
(họ
238
U, họ
232
Th, họ
137
Cs và họ
40
K) vào mật độ của mẫu đất sử dụng hộp Marinelli.
6
Trong nghiên cứu này, bảy mẫu đất có mật độ thay đổi từ 1,090 g/cm
3
đến 1,603 g/cm
3
được khảo sát và đều có kết quả là hệ số tự hấp thụ và mật độ phụ thuộc tuyến tính với
với nhau.
Năm 2013, Ngo Quang Huy, Do Quang Binh, Vo Xuan An, Truong Thi Hong
Loan, Nguyen Thanh Can [23] đã nghiên cứu hiệu chỉnh tự hấp thụ đối với việc xác
định
238
U thông qua đỉnh 63,3 keV bằng chương trình mô phỏng MCNP5.
Trong luận văn này chúng tôi đi nghiên cứu đặc trưng hiệu suất ghi nhận và ảnh
hưởng của hiệu ứng tự hấp thụ trên hệ phổ kế gamma phông thấp sử dụng đầu dò HPGe
neutron – gamma. Sau đó, MCNG được hợp nhất với MCP (chương trình Monte Carlo
photon với xử lý vật lý chi tiết đến năng lượng 1 keV) để mô phỏng chính xác các
tương tác neutron – photon song hiện nay nó lại mang ý nghĩa là Monte Carlo N hạt,
với N có thể là neutron, photon và electron [4], [16].
Các phiên bản của MCNP [4], [16]:
- MCNP3 được viết lại hoàn toàn và công bố năm 1983. MCNP3 là phiên bản
đầu tiên được phân phối quốc tế. Các phiên bản tiếp theo MCNP3A và MCNP3B lần
lượt được ra đời tại phòng thí nghiệm Los Alamos trong suốt thập niên 1980.
- MCNP4 được công bố năm 1990, cho phép việc mô phỏng được thực hiện trên
các cấu trúc máy tính song song. MCNP4 cũng đã bổ sung phần vận chuyển electron.
- MCNP4A được công bố năm 1993 với các điểm nổi bật là phân tích thống kê
được nâng cao.
- MCNP4B được công bố năm 1997 với việc tăng cường các quá trình vật lý của
photon và đưa vào các toán tử vi phân nhiễu loạn.
- MCNPX được công bố lần đầu tiên vào 1999 trên nền tảng của MCNP4B với
mô hình mất mát năng lượng do va chạm được cải tiến, và phát triển dần đến năm 2011
với các mức năng lượng và chủng loại hạt được mở rộng.
- MCNP4C được công bố năm 2000 với các tính năng của electron được cập nhật,
xử lý cộng hưởng không phân giải.
- MCNP4C2 có bổ sung thêm các đặc trưng mới như hiệu ứng quang hạt nhân và
các cải tiến cửa sổ trọng số, được công bố năm 2001.
- MCNP5 được công bố vào năm 2003 cùng với việc cập nhật các quá trình tương
tác mới chẳng hạn như các hiện tượng va chạm quang hạt nhân, hiệu ứng giãn nở
Doppler, kỹ thuật giảm phương sai với tally độ cao xung.
8
- MCNP6 được công bố năm 2013, là sự kết hợp giữa MCNP5 và MCNPX, bổ
sung thêm các đặc trưng mới như vận chuyển electron được mở rộng xuống đến 10 eV,
mô tả quá trình phát bức xạ huỳnh quang và electron Auger…
1.2.2. Cấu trúc tệp đầu vào trong MCNP
*F8. Giá trị của số đếm sẽ là 0 nếu không có hạt nào vào trong ô trong suốt lịch sử [5],
[28].
Đánh giá độ cao xung khác so với các đánh giá khác của MCNP ở điểm là F8:P,
F8:E và F8:P, E đều tương đương với nhau. Tất cả năng lượng của cả photon và electron
nếu hiện diện đều sẽ được tính dù cho đánh giá nào được mô tả [1], [5].
Khi đánh giá độ cao xung được dùng với các khoảng năng lượng, cần chú ý đến các
số đếm âm từ các quá trình không tương tự và các số đếm zero được tạo nên bởi các
hạt đi qua ô mà không để lại năng lượng. MCNP xử lý việc này bằng cách đếm các
hiện tượng này vào bin năng lượng zero và một bin năng lượng nhỏ (thường là
10
-5
MeV) và từ đó chúng ta có thể cô lập chúng.
Tuy nhiên trong thực nghiệm do ảnh hưởng của ba hiệu ứng là sự giãn nở thống kê
số lượng các hạt mang điện, hiệu ứng tập hợp điện tích và sự đóng góp của nhiễu tín
hiệu điện tử làm cho các đỉnh năng lượng toàn phần của phổ gamma thực nghiệm của
dạng đỉnh Gauss. Do đó, trong quá trình mô phỏng còn sử dụng thêm lựa chọn GEB
của đánh giá F8. Với lựa chọn GEB này phổ gamma mô phỏng phù hợp tốt với phổ
gamma thực nghiệm [5].
Trong MCNP thì FWHM được xác định theo công thức [1], [5]:
2
FWHM a b E cE (1.1)
Trong đó a, b và c là các hệ số được xác định bằng cách làm khớp số liệu FWHM
từ thực nghiệm theo dạng của biểu thức (1.1). Các hệ số này sẽ được sử dụng cho quá
trình mô phỏng phân bố độ cao xung theo năng lượng.
1.2.4. Đánh giá sai số
Trong MCNP các kết quả truy xuất được chuẩn hóa trên một hạt nguồn cùng với
sai số tương đối R, các đại lượng cần được đánh giá sai số tương đối R sẽ được tính
toán sau mỗi quá trình mô phỏng bằng phương pháp Monte Carlo. Một kết quả mô
phỏng tốt sẽ có R tỷ lệ với
S (1.3)
N
Với
N
2
i
2
22
i1
xx
S x x (1.4)
N1
N
22
i
i1
1
x x (1.5)
N
Ngoài ra, để theo dõi diễn biến của kết quả truy xuất, MCNP còn đưa ra tiêu chuẩn
FOM (Figure of Merit) sau mỗi lần truy suất kết quả. Giá trị FOM được xác định bởi
công thức [4], [28]:
2
1
FOM (1.7)
RT
với T là thời gian tính toán bằng phút. 11
Bảng 1.1. Đánh giá sai số tương đối R
R
Ý nghĩa của kết quả
2
x
i
i1
xx
SS
1
VOV (1.8)
SN
xx
với
22
x
SS
là phương sai của
2
x
S
- Phương pháp tính toán dựa trên phép chuyển đổi hiệu suất ET và tính toán góc
khối hiệu dụng với độ chính xác cao (sai số chỉ khoảng vài phần trăm), cho thấy độ tin
cậy so với các phương tính toán toán hiệu suất khác.
- Giao diện thân thiện với người sử dụng, linh hoạt trong việc thay đổi thông số
đầu vào.
- Thời gian cho một phép tính rất nhanh, thường chưa đến một phút khi sử dụng
máy tính cá nhân.
Để ANGLE thực hiện một phép tính hiệu suất ghi của đầu dò, người sử dụng cần
nhập những thông số sau [6]:
- Thông tin về đầu dò bao gồm: loại đầu dò, bán kính và chiều dài của khối tinh
thể germanium, bán kính đường cong bo góc của khối tinh thể, kính thước của hốc bên
trong khối tinh thể, bề dày lớp chết mặt ngoài khối tinh thể và ở mặt của hốc tinh thể,
kích thước lớp vỏ nhôm bao khối tinh thể, Người sử dụng chỉ cần nhập đầy đủ các
thông tin mà phần mềm yêu cầu để mô tả lại cấu hình của đầu dò.
13
- Thông tin về mẫu đo bao gồm: hình học, kích thước và vật liệu của hộp
chứa mẫu.
- Thông tin về hình học phép đo (khoảng cách từ mẫu đo đến đầu dò).
- Nguồn phát phóng xạ: kích thước, vật liệu và mật độ của nguồn phát.
- Thông tin về năng lượng của bức xạ cần tính hiệu suất ghi và đường cong hiệu
suất tham khảo. Trong đó, đường cong hiệu suất tham khảo được xây dựng từ bộ số
liệu thực nghiệm.
Dựa trên những thông số được cung cấp, ANGLE sẽ tính toán ra hiệu suất ghi theo
yêu cầu của người sử dụng. Ví dụ: sau khi nhập đầy đủ thông tin về đầu dò, mẫu đo,
các năng lượng cần khảo sát và đường cong hiệu suất xây dựng từ số liệu thực nghiệm
của mẫu đo ở khoảng cách 25 cm so với đầu đò, ANGLE sẽ tính toán hiệu suất ghi đối
với mẫu đo đó ở khoảng cách 20 cm, 15 cm, hoặc 10 cm. Ngoài ra, với đường cong
hiệu suất xây dựng từ số liệu thực nghiệm của nguồn phát dạng điểm, ANGLE có thể
tính toán hiệu suất ghi đối với mẫu đo hình trụ hoặc mẫu Marinelli.
này.
Mặt khác, hiệu suất cũng được phân loại theo bản chất của bức xạ được ghi nhận
bao gồm hiệu suất tổng và hiệu suất đỉnh [2].
Hiệu suất toàn phần hay hiệu suất tổng (
total
) được sử dụng khi ghi nhận tất cả xung
từ đầu dò. Tất cả các tương tác dù có năng lượng thấp cũng giả sử được ghi nhận.
Hiệu suất đỉnh (
peak
) được giả sử chỉ có những tương tác mà làm mất hết toàn bộ
năng lượng của bức xạ tới được ghi nhận.
Hiệu suất toàn phần và hiệu suất đỉnh được liên hệ bởi tỷ số “đỉnh – tổng” P/T được
định nghĩa như sau:
peak
total
P / T (1.10)
Trên thực tế, để giải quyết một số những khó khăn trong việc trình bày hiệu suất
của đầu dò, rất nhiều nhà sản xuất đầu dò đã mô tả hiệu suất đỉnh tương đối so với hiệu
suất đỉnh của đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) hình trụ chuẩn có kích thước
7,62 cm x 7,62 cm (3” x 3”), khoảng cách giữa nguồn và đầu dò được cho là 25 cm
trong cả hai trường hợp để chuẩn hóa. Đỉnh năng lượng thông thường được sử dụng để
xác định hiệu suất tương đối là năng lượng 1332,5 keV của nguồn
60
Co với hiệu suất
đỉnh tuyệt đối của đầu dò NaI(Tl) là 1,2 x 10
–3
Kênh
Copyright: Tài liệu đại học ©