Chế tạo và khảo sát tính chất quang của vật
liệu tổ hợp Nano Cdse/PMMA
Nguyễn Quốc Khánh
Trường Đại học Công nghệ
Luận văn Thạc sĩ ngành: Vật liệu và linh kiện nano
Người hướng dẫn: TS. Nguyễn Kiên Cường
Năm bảo vệ: 2012
Abstract: Tổng quan về chất lượng tử và PMMA polyme. Trình bày các phương pháp
nghiên cứu và đánh giá: phương pháp quang phủ (spin coating); tạo mạng bằng
phương pháp bốc bay nhiệt chân không; chụp ảnh bề mặt (SEM); phương pháp đo phổ
hấp thụ UV-Vis; phương pháp đo phổ quang –huỳnh quang (PL); đo đặc trưng I-V của
linh kiện; phép đo phổ hòng ngoại FTIR. Đưa ra kết quả nghiên cứu và thảo luận: chế
tạo chấm lượng tử cdse; chế tạo màng tổ hợp nano CdSe/PMMA; phân bố chấm lượng
tử CdSe nc-PMMA trong PMMA polymer; phép đo FT-IR; phép đo I-V; phổ hấp thụ
của chấm lượng tử và vật liệu tổ hợp nano; kết quả đo huỳnh quang; phéo đo điện
quang.
Keywords: Linh kiện nano; Vật liệu Nano; Tính chất quang
Content
CHƢƠNG I - CHẤM LƢỢNG TỬ, CÁC TÍNH CHẤT VÀ ỨNG DỤNG
1.1 Giới thiệu chung về chấm lƣợng tử
Trong những năm gần đây, vật liệu và linh kiện nano (có kích cỡ ở vào khoảng 1nm 100 nm) đã và đang được đặc biệt quan tâm nghiên cứu do tầm quan trọng đối với những
nghiên cứu khoa học cơ bản và những tiềm năng ứng dụng công nghệ của chúng. Những vật
liệu này thể hiện những tính chất vật lí và hoá học rất mới lạ, mà các tính chất đó không hề có
trong các nguyên tử riêng biệt hay trong vật liệu khối có cùng thành phần hóa học. Những vật
liệu nano đó có thể được định nghĩa là những hệ trong đó có ít nhất một chiều có kích cỡ nano
mét. Khi giảm đi một, hai hoặc ba chiều của vật liệu khối xuống kích thước nano mét, ta sẽ
thu được các cấu trúc tương ứng gọi là giếng lượng tử - hai chiều (2D); dây lượng tử - một
chiều (1D) và chấm lượng tử - không chiều (0D).
Trường hợp 3D (vật liệu khối): Khối tinh thể là một chất rắn 3 chiều d x, dy, dz, có N
điện tử. Nếu bỏ qua tương tác giữa các điện tử cũng như giữa thế điện tử với thế tinh thể thì
mô hình này được gọi là mô hình khí điện tử tự do 3 chiều [11] phổ năng lượng điện tử là

thậm chí phát quang sau nhiều giờ ở điều kiện kích thích. Bên cạnh yếu tố phổ hấp thụ rất
rộng rất thuận lợi trong ứng dụng thì phổ phát xạ cũng hữu ích không kém vì phổ phát xạ của
các tinh thể nano bán dẫn này rất hẹp. Thêm nữa là yếu tố thời gian sống huỳnh quang, của
chấm lượng tử dài đây là điều mà các nhà nghiên cứu rất cần để theo dõi từng phân tử riêng
biệt với cường độ huỳnh quang yêu cầu lớn. Và ngoài ra có thể kể đến cả độ nhạy quang, độ
chính xác và độ sáng chói của chấm lượng tử khi phát quang, tất cả đều nổi trội, mới mẻ và
rất đặc biệt. [18]
Khi kích thước của chất bán dẫn giảm dần tới mức kích thước so sánh được với bán
kính Borh exciton của một cặp điện tử - lỗ trống (aB) của chất bán dẫn đó thì điện tử trong
chất bán dẫn đó thể hiện là đã bị giam giữ lượng tử

2


Trong các nghiên cứu lý thuyết trước đây, Kayanuma đã phân chia thành các chế độ
giam giữ lượng tử theo kích thước như sau:
 Khi bán kính của QDs R ≤ 2aB: ta có chế độ giam giữ mạnh với các điện tử
và lỗ trống bị giam giữ một cách độc lập, tuy nhiên tương tác giữa các điện tử lỗ trống (e -h) vẫn giữ vai trò quan trọng.
 Khi R ≥ 4aB: chúng ta có chế độ giam giữ yếu
 Khi 2aB ≤ R ≤ 4aB: chúng ta có chế độ giam giữ trung gian.
Như vậy, giới hạn giam giữ yếu và giới hạn giam giữ mạnh tương ứng với trường hợp
bán kính hạt lớn hơn hay nhỏ hơn bán kính Bohr exciton. Các trường hợp giam giữ lượng tử
này sẽ gây ra sự gián đoạn các mức năng lượng và sự mở rộng độ rộng vùng cấm (band gap).
Về thực nghiệm quang phổ, chúng ta sẽ quan sát thấy sự dịch về phía sóng xanh (blue shift)
của đỉnh phổ hấp thụ, do sự mở rộng vùng cấm. Hình 1.6 dưới đây minh hoạ tính chất phát
xạ thay đổi theo kích thước từ 2,1 nm tới 7,6 nm của các chấm lượng tử CdSe và đối với một
kích thước 5 nm, khi thay đổi thành phần bằng cách pha tạp thêm các ion khác vào, hoặc tạo
thành hỗn hợp mới, nhằm thay đổi màu sắc phát xạ của các chấm lượng tử bán dẫn.
Bước sóng phát xạ của các chấm lượng tử CdSe có thể thay đổi được trong vùng nhìn
thấy (450 - 650 nm), trong khi giữ ở kích thước 5 nm nhưng thay đổi thành phần với CdSe1xTex, cực đại phát xạ có thể thay đổi từ 610 – 800 nm (B).

mang. Tương tự với phân tử, chấm lượng tử có cả phổ năng lượng lượng tử hoá và mật độ
lượng tử của các trạng thái điện tử gần với cạnh của vùng cấm.
Các chấm lượng có thể được tổng hợp với lớp vỏ dày hoặc mỏng như các chấm lượng
tử CdSe với lớp vỏ CdS. Chiều dày lớp vỏ có mối quan hệ trực tiếp tới thời gian sống và
cường độ bức xạ.

Để có được các màu sắc khác nhau thì vật liệu cần phải có các khe năng lượng khác
nhau. Các hạt nano chỉ cần sử dụng một vật liệu nhưng thay đổi kích thước hạt là có thể tạo ra
được màu sắc tương ứng. Đèn LED rất khó để phát ra ánh sáng xanh và đặc biệt là ánh sáng
trắng. Nhưng các đèn phát huỳnh quang nano có thể làm được điều này (hình 1.10). Các nhà
khoa học đã chế tạo thành công đèn huỳnh quang phát ánh sáng trắng bằng cách trộn hạt nano
có đường kính khác nhau mà phát ra ánh sáng đỏ, xanh lá cây, xanh.
1.2.2

Các dịch chuyển trong nội vùng mới

Các dịch chuyển này tương ứng với sự đẩy các điện tử từ mức này lên mức khác trong
vùng dẫn hoặc đẩy lỗ trống từ một mức này tới một mức khác trong vùng hoá trị, trong bán
dẫn khối thì đây chính là sự hấp thụ hạt tải tự do. Chúng phụ thuộc sự có mặt của hạt tải tự do
(các điện tử trong vùng dẫn hoặc các lỗ trống trong vùng hoá trị) như là kết quả của việc pha
tạp hoặc là kết quả của việc điện tích được đưa vào nhờ điện trường. Trong bán dẫn khối, các
dịch chuyển như thế: từ một mức k này tới một mức k khác của vùng dẫn (hoặc vùng hoá trị)
đòi hỏi sự thay đổi giả moment k và nó trở nên được phép do tương tác với các phonon mạng.
Mạng này có thể cung cấp hoặc làm moment này thay đổi.
1.2.3

Sự tăng lực dao động tử

Cường độ dải hấp thụ UV-Vis là hàm của năng lượng dịch chuyển và bình phương của
lực dao động tử. Trong bán dẫn khối, điện tử và lỗ trống được liên kết với nhau bằng lực hút

chuyển giữa các vùng phụ thuộc vào mật độ liên kết các trạng thái của các mức trong vùng
hoá trị và các mức trong vùng dẫn, mà giữa chúng các dịch chuyển quang học xảy ra. Hơn
nữa, nó cũng phụ thuộc vào sự che phủ các hàm sóng của điện tử và lỗ trống. Cả hai yếu tố
này sinh ra một sự tăng mạnh lực dao động tử dưới điều kiện giam giữ. Hiệu ứng này hoàn
toàn đáng kể đối với sợi lượng tử và chấm lượng tử.
1.2.4

Hiệu ứng Stark giam giữ lƣợng tử

Hiệu ứng xuất hiện do việc áp đặt một điện trường tới các mức năng lượng, và tới phổ
quang học, thì được gọi là hiệu ứng Stark. Các cấu trúc giam giữ lượng tử cũng biểu lộ sự
thay đổi rất rõ ràng trong phổ quang học khi sử dụng điện trường dọc theo hướng giam giữ.
Điện trường cũng có thể làm trộn lẫn các trạng thái bị lượng tử hoá khác nhau và dẫn đến sự
phân bố lại lực dao động tử giữa các trạng thái kích thích được phép. Chẳng hạn, nếu không
có điện trường, chỉ các dịch chuyển  n giữa các mức được lượng tử hoá của các vùng dẫn và
vùng hoá trị, ví dụ như n = 1  n = 1, là được phép với giếng lượng tử đối xứng tức là giếng
lượng tự có hàng rào thế trên cả hai mặt là giống nhau.
Nguyên nhân chính cho các hiện tượng này là do có sự thay đổi lớn trong phổ hấp thụ
quang học tương ứng với các dịch chuyển exciton, theo hàm của điện trường áp theo hướng
giam giữ. Hiệu ứng này cũng được gọi là hấp thụ điện tử (electro – absorption), dẫn đến sự
thay đổi tương ứng  n trong phần thực của chiết suất và có thể được dùng để điều biến sự
lan truyền ánh sáng do điện trường áp vào. Ứng dụng các linh kiện giếng lượng tử sử dụng
các nguyên tắc này để làm các điều biến quang – điện.
1.3 Chế tạo chấm lƣợng tử
1.3.1 Phƣơng pháp Thiol
Trong phương pháp này, người ta sử dụng thiols như một tác nhân trong quá trình chế
tạo chấm lượng tử II-VI. Muối sắt được hòa tan trong nước với các thiols ổn định, để sinh ra
các nano tinh thể CdSe, CdTe, HeTe và CdHgTe. Các thiols thường được sử dụng là: 1thioglycerol, 2-mer-captoethanol, 1-mercapto-2propanol, 1,2-dismercapto-3-propanol,
thiogalycolic acid, thiolactic acid và cystemine.
Tiếp đó, nhiệt được cung cấp cho dung dịch phản ứng để bắt đầu quá trình tạo ra các

ra rằng, sự ổn định của ánh sáng, hiệu suất phát quang rất lớn [8,9] và các chấm lượng tử tạo
ra theo phương pháp này được nhiều nhà vật lý sử dụng để nghiên cứu khả năng phát xạ của
đơn tinh thể.[14]
CdSe là một tinh thể bán dẫn loại II-VI, được hình thành từ một nguyên tố của cột II
(Cd) của bảng tuần hoàn Mendeleev và một nguyên tố của cột VI (Se), với vùng cấm thẳng và
năng lượng vùng cấm Eg=1.8eV (0 = 688nm).
1.4 Ứng dụng của chấm lƣợng tử
Hiện nay các nhà khoa học đang tập chung nghiên cứu các loại chấm lượng tử là
những hợp chất thuộc nhóm AIIBVI như CdSe, ZnSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS… bởi
chúng có phổ kích thích rộng, phổ phát xạ hep, hiệu suất huỳnh quang cao và có tính chất
quang ổn định. Nhờ những tính chất ưu việt do hiệu ứng giam giữ lượng tử mang lại như tăng
tính chất điện, tăng khả năng xúc tác quang hóa, thay đổi các tính chất phát quang nên hiện
nay chấm lượng tử đang được nghiên cứu chế tạo các thiết bị phát quang như QDs-LED phát
ánh sáng xanh lá cây và ánh sáng đỏ, .. Các chấm lượng tử còn có nhiều triển vọng ứng dụng
như trong các linh kiện dẫn sóng chứa các chấm lượng tử trong vùng hồng ngoại, các LED
chấm lượng tử, Laser chấm lượng tử, làm chất huỳnh quang đánh dấu trong sinh học.[4]

6


1.4.1 Điốt phát quang hiệu suất cao
Trước hết là xuất phát từ sự cần thiết trong thực tế là mong muốn chế tạo được các
thiết bị phát quang LED cho hiệu suất cao, độ đơn sắc cao và phổ phát quang hẹp và sau đó
là, dựa trên lý thuyết mà người ta chế tạo ra LED chấm lượng tử (QDs – LED) với mô hình
như sau:
Ở đây các nano tinh thể CdSe có lớp vỏ bọc hoàn toàn có thể dùng để chế tạo ra
Diode phát quang chấm lượng tử bằng phương pháp spin- coating từng đơn lớp. Các nano
tinh thể cấu trúc CdSe/ZnSe/ZnS được phân tán đều trong một dung môi (lơ lửng dạng
huyền phù), bằng quá trình spin-coating, các đơn lớp này trải đều trên một lớp đế có khả
năng truyền dẫn lỗ trống HTL (hole-transport layer). Kết quả là thu được các lớp chấm


kích thích quang trong chất lỏng, do đó quang hóa ít đi, cơ bản cũng như các cặp điện tử
- phonon yếu hơn trong các chất bán dẫn so với các vật liệu hữu cơ. Tất cả những tính
chất nổi trội này, có được từ sự khảo sát những thay đổi bề mặt của các chấm lượng tử
huyền phù, biến đổi cho chúng có thể tan được trong nước và đặc biệt là liên kết với các
gốc sinh học để có thể hiện được ảnh. Các chấm lượng tử huyền phù ngày nay đã được
thương mại hóa rộng rãi để đánh dấu sinh học và huỳnh quang protein.
Trong y sinh, đánh dấu huỳnh quang sử dụng trong việc hiện ảnh sinh học là mặt
mạnh không thể không kể đến của các chấm lượng tử, các laser chấm lượng tử CdSe
bơm quang [13].

1.4.4 Chế tạo thiết bị phát quang
Một ứng dụng khác là ứng dụng các chấm lượng tử vào các Diot phát quang. Sau
nhiều năm nghiên cứu, các kết quả gần đây cho thấy rằng hoàn toàn có khả năng tăng
cường hơn nữa hiệu suất phát quang của LED để đưa vào thương mại hóa. Tuy nhiên đã
từ lâu, các LED chấm lượng tử phải dùng một lớp hữu cơ truyền dẫn điện tử và lỗ trống
giống như các LED hữu cơ. Nguyên nhân là vì kỹ thuật phát xạ ánh sáng hầu hết là dựa
trên nguyên tắc truyền năng lượng từ sự tái hợp cặp điện tử - lỗ trống trong huỳnh quang
hữu cơ từ các chấm lượng tử. Các chấm lượng tử vì thế hoạt động giống photpho hơn là
trực tiếp đóng vai trò thu giữ và truyền dẫn các hạt tải. Tất nhiên rằng, lớp hoạt động
(lớp chấm lượng tử) phải rất mỏng, khoảng gấp hai monolayer, điều này khó có khả
năng thực hiện ở lớp tái hợp của LED hữu cơ.
Một điều thuận lợi là thiết bị LED chấm lượng tử này không cần quá trình tiêm
thêm điện tử và lỗ trống. Đó là một may mắn lớn vì quá trình tiêm điện tử và lỗ trống
vào vùng tích cực trong LED thông thường khó hơn nhiều và cho đến bây giờ thì vai trò
của các chấm lượng tử CdSe phát quang ở vùng ánh sáng nhìn thấy là không thể thay đổi
được. Thêm vào đó, để tiêm trực tiếp điện tử và lỗ trống vào các LED vô cơ, vốn cần
phải cấp dòng cao hơn. Do vậy, việc tiêm trực tiếp điện tử và lỗ trống thực hiện bằng sự
tái hợp bức xạ chỉ có thể thành công trong các pin điện hóa và được dùng để tạo ra các
thiết bị quang điện hóa. Đối với các thiết bị yêu cầu dòng thấp hơn, các chấm lượng tử


9


CHƢƠNG III - KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN
3.1. Chế tạo chấm lƣợng tử CdSe

Hình 3. 1 : Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CdSe bằng phương pháp phun nóng sử dụng
dung môi có nhiệt độ sôi cao
3.2 Chế tạo màng tổ hợp nano CdSe/PMMA
Tổ hợp nc-CdSe/PMMA được pha trộn the 3 tỉ lệ cho trước theo phần trăm thể tích. Ba
tỉ lệ 5%, 10% và 15% được chọn cho quá trình pha tạp. Để phân tán chấm lượng tử đồng đều
trong PMMA, quá trình pha tạp được thực hiện ở nhiệt độ phòng kết hợp trộn rung siêu âm
(ultrasonic mixture)
Màng CdSe/PMMA được tạo ra trên đế thủy tinh bằng phương pháp quay phủ ly tâm
(spin-coating). Đầu tiên đế thủy tinh được cắt nhỏ theo kích thước 15 x 15mm và được rửa
sạch bằng nước rửa kính, rung siêu âm lần lượt với dung dịch C 2H5OH, aceton, nước cất mỗi
lần 15 phút, rồi sấy khô trong tủ sấy ở 700C.
100 mg PMMA được hòa tan trong 2ml dung môi toluene bằng rung siêu âm. Hỗn hợp
dung dịch được pha trộn trong 3 lọ thủy tinh sạch với các tỷ lệ CdSe/PMMA là 5%; 10%; và
15% theo thể tích. Nano tinh thể được phân tán trong dung dịch bằng khuấy từ trong 1h và
tiếp theo rung siêu âm trong 6h.
Sau khi tạo ra hỗn hợp dung dịch CdSe/PMMA chúng tôi đã tiến hành tạo mẫu bằng
phương pháp quay phủ ly tâm với tốc độ 800v/s trên đế thủy tinh. Mẫu được ủ nhiệt chân
không ở nhiệt độ 700c trong 4h. Và được đem đi tiến hành đo đạc bằng các phương pháp thực
nghiệm
3.3 Phân bố chấm lƣợng tử CdSe nc-PMMA trong PMMA polymer
Để hiểu rõ về cấu trúc bề mặt của vật liệu tổ hợp đang nghiên cứu, mẫu được chụp ảnh
bề mặt trên máy FE-SE model Hitachi, Japan. Khảo sát ảnh SEM của mẫu màng tổ hợp


giá trị thế mở dòng thì dòng dẫn tăng mạnh và gần như tuyến tính với các giá trị điện áp lớn
3.6 Phổ hấp thụ của chấm lƣợng tử và vật liệu tổ hợp nano
Từ phổ hấp thụ của các chấm lượng tử nc-CdSe, đường kính của các chấm lượng tử
được tính toán theo công thức [22]:
D = 1.6122 x 10-9λ4 – 2.6575 x 10-6λ3 + 1.6242 x 10-6λ2 – 0.4277 λ + 41.57 1.7
Trong đó λ là bước sóng của đỉnh hấp thụ
Khi pha trộn chấm lượng tử nc-CdSe trong nền polyme PMMA theo các tỉ lệ cho
trước. Qua các khảo sát nghiên cứu và tham khảo tài liệu, tỉ lệ của chấm lượng tử và PMMA
(CdSe/PMMA) theo thể tích là 5%, 10% và 15%.

11


3.7 Kết quả đo huỳnh quang
Phổ huỳnh quang (PL) được đo trên máy Fluorescence Spectrophotometer hiệu Cary
Eclipse (USA), dải bước sóng kích thích là 325nm, dải sóng phát quang 360 – 1100 nm, tốc
độ quét là 600 nm/min, nguồn laser kích thích He-Cd.
Từ phổ huỳnh quang của vật liệu tổ hợp nc-CdSe/PMMA tương ứng với nồng độ
chấm lượng tử nc-CdSe là 5%, 10% và 15% theo thể tích ta thấy có sự dập tắt cường độ phổ
huỳnh quang . Sự dập tắt huỳnh quang của tổ hợp đó là do nhường điện tử và truyền năng
lượng [17]. Tuy nhiên hiệu ứng truyền năng lượng từ PMMA (donor) sang chấm lượng tử ncCdSe (acceptor) không xảy ra trong tổ hợp nc-CdSe/PMMA do phổ hấp thụ của polyme
PMMA trong dải sóng 500 - 700nm phần lớn truyền qua (transperent 93%) nên không có
overlap của phổ hấp thụ của PMMA đối với phổ quang huỳnh quang của nc-CdSe với đỉnh
phát xạ tại 614 nm (hình 3.9). Điều này chứng tỏ rằng sự dập tắt phát xạ huỳnh quang của ncCdSe là do trao đổi của lớp bọc TOPO với lớp polyme PMMA.
3.9 Phép đo điện quang
Trong thực nghiệm này chúng tôi tiến hành phủ 1 lớp màng tổ hợp CdSe/PMMA lên
một đèn LED chip InGaN blue phát ánh sáng xanh. Sau khi sấy khô và tiến hành đo phép đo
huỳnh quang
Nhìn vào kết quả phép đo thu được trên đồ thị hình 3.11 dưới đây chúng ta có thể dễ
dàng nhận ra có 2 đỉnh thu được trong đó đỉnh ở bước sóng 460nm chính là đỉnh phát xạ của

là tiếp tục nghiên cứu tổ hợp các tổ hợp màng nano CdSe/PMMA với các tỉ lệ khác nữa để
tìm ra tỉ lệ tối ưu cho việc ứng dụng tính chất quang của vật liệu tổ hợp trong việc chế tạo các
vật liệu dẫn quang và chế tạo các linh kiện OLED…
References
Tiếng Việt
[1]
[2]
[3]
[4]

Nguyễn Ngọc Long (2007), Vật lý chất rắn, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội.
Đào Trần Cao (2007), Cơ sở vật lý chất rắn, NXB Đại học quốc gia Hà Nội (2007).
Nguyễn Hữu Đình, Đỗ Đình Rãng (2009), Hóa học hữu cơ, NXB Giáo Dục Việt Nam.
Trương Văn Tân (2008), Vật liệu tiên tiến, Nhà xuất bản trẻ.

Tiếng Anh
[5]
[6]
[7]

[8]
[9]
[10]
[11]

[12]

A.Henglein, Ber. Bunsenges(1982), Phys. Chem, pp. 86, 301.
C. B. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi, J.Am(1993), Chem. Soc, pp. 115.
Cheng Cheng, Sunde Wang, Xiaoyu Cheng (2012) CdSe/PMMA: Plastic fiber

L.E. Brus(1996), Nature, pp. 383, 802
Paul W. Cyr, Marian Tzolov, Margaret A. Hines, Ian Manners, Edward H. Sargent
and Gregory D. Scholes(2003), Quantum dots in a metallopolymer host: studies of
composites of polyferrocenes and CdSe nanocrystals. J. Mater. Chem, , 13 ,pp.
2213–2219.
Sachder, V. K., R. Kumar, A. Singh, S. Kumar, and R. M. Mehra(1997), Electrical
conducting polymers: An overview. Solid State Phenomena , pp. 104-109.
Shailesh N. Sharma, Tanvi Vats, N. Dhenadhayalan, P. Ramamurthy, A.K. Narula
(2012), Solar Energy Materials & Solar Cells, 100, pp. 6 –15
Shih – Yuan Lu, Mei – Ling Wu, Hsin-Lung Chen, J.Appl. Phys. 93 (2003), pp. 57985793
W.U. Huynh, J.J. Dittmer, A.P. Alivisatos(2002), Hybrid nanorod-polymer solar
cells, Science , pp. 2425–2427
Warren CW Chan, Dustin J Maxwell, Xiaohu, Robert E Bailey, Mingyong Han and
Shuming Nie, Current Opinion in Biotechnology. 13 (2002), pp. 40-46
Y. Arakawa, H. Sakaki(1982), Multidimensional quantum well laser and
temperature dependence of its threshold, Appl. Phys. Lett, 40, pp. 939–941.
Yu WW, Qu LH, Guo WZ, et al(2003). Experimental determination of the extinction
coefficient of CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals. Chemistry of Materials , 15,
pp.2854.

14