1Tiểu luận tương thích điện từ
NGHIÊN CỨU THỰC ĐỊA VỀ PHÁT SINH SAI SÓT TRONG ĐƯỜNG
TRUYỀN TẢI ĐIỆN DO HIỆN TƯỢNG SÉT GÂY RA
Teru Miyazaki, Member, IEEE, and Shigemitsu Okabe, Member, IEEE
Tóm tắt - Độ ổn định trong cung cấp điện là một vấn đề có tầm quan trọng lớn
đối với xã hội định hướng thông tin và các công ty điện. Bài viết này tập trung vào các
tác động của sét trên đường truyền tải điện. Nghiên cứu thực địa này hiện đang được
tiến hành ở miền phía bắc của đồng bằng Kanto ở Nhật Bản, dạng sóng điện áp và
dòng điện ở những đường truyền tải điện gây ra do sét đánh đã được quan sát từ năm
1996. Hiện nay có 284 bộ dữ liệu, bao gồm dữ liệu về 62 lần đánh trực tiếp vào đường
dây. Nghiên cứu này cho thấy rằng một đường dây truyền tải điện có thể được bảo vệ
chống lại sét đánh trực tiếp. Trong một số trường hợp, không có dòng quá áp (power
follow current) nào phát sinh sau khi có sự phóng điện liên tiếp, một phân tích thống
kế được tiến hành để xem xét các yêu tó ảnh hưởng đến sự sản sinh ra dòng quá áp.
Những kết quả có thể rất có giá trị trong việc làm rõ những cơ cấu hoạt động bên
trong của việc phát sinh lỗi trên đường truyền tải điện gây ra bởi sét.
Chỉ dẫn Thuật ngữ: sét đánh trực tiếp, đường truyền tải điện, sự phóng điện, sét đánh
gián tiếp, chắn sét, dòng quá áp.
I. GIỚI THIỆU
Những lỗi trong truyền tải điện có thể do sét đánh gián tiếp gần đường truyền
tải điện cũng như đánh trực tiếp lên đường dây do mức độ cách điện thấp của chúng
[1]. Các công ty điện lực đã lắp đặt các thiết bị chống sét, chẳng hạn như dây chống
sét và bộ chống sét, để giảm tỷ lệ lỗi đường truyền, và các thiết bị này có thể góp phần
nâng cao độ ổn định của các đường truyền hơn so với những đường không có các thiết
bị bảo vệ[2], [3]. Nghiên cứu thực nghiệm đã chỉ ra rằng đường dây truyền điện có thể
chống được cả sét đánh trực tiếp bằng cách sắp xếp bộ chống sét và dây chống sét một
cách thích hợp [4] - [6], nhờ chức năng của các thiết bị này ngăn chặn sự hình thành
các xung sét phóng điện bề mặt và tần số điện hồ quang [3]. Tuy nhiên, các lỗi trong
đường dây truyền điện của Nhật Bản, , vẫn còn chủ yếu là do sét, và sét ảnh hưởng
đến đường dây thế nào vẫn còn một vấn đề gây tranh luận. Những nghiên cứu thực địa
về tác động của sét, đặc biệt là những cơ chế hình thành lỗi đường truyền tải, là điều

Kanto [7] - [9]. Nghiên cứu thực địa đã được tiến hành từ năm 1996.
Cấu trúc của các đường truyền tải điện được thể hiện trong hình 1. Thông
thường, ở nhũng khu vực như thế này, dây chống sét được lắp trên đỉnh của hầu hết
các cột bê tông. Nhưng trong một số khu vực, chúng không được lắp đặt để phục vụ
việc quan sát. Dây chống sét được nối đất thông qua các dây nối đất thông thường
bằng kim loại. Nói đến sự phối hợp cách điện, các thiết bị cách điện hỗ trợ dây điện áp
(voltage wires) có cấp độ cách điện cao nhất trong đường dây phân phối do các sự cố
đường dây gây hư hỏng lớn trên diện rộng. Mặt khác, máy biến áp có cấp độ thấp
nhất. Nhưng chúng đã được lắp kèm phần tử ZnO. Điều này có nghĩa là máy biến áp
được bảo vệ khỏi sét.
B. Cấu hình hệ thống
Thiết bị quan sát đồng thời có thể cung cấp hình ảnh và dạng sóng của một lần
sét duy nhất [7] - [9]. Với cả camera và thiết bị đo dạng sóng, thời gian được ghi lại
bằng cách sử dụng hệ thống định vị toàn cầu (GPS), được ghi kèm với vị trí sét và dữ
liệu của hệ thống theo dấu (LPATS) [10], [11]. Hệ thống các camera giám sát các khu
vực thực địa để thu thập các lần sét đánh. Các camera được lắp đặt tại 63 vị trí trong
các khu vực quan sát và được thiết kế để có thể tự động chụp hình bằng cách kiểm
soát màn trập theo cường độ sét bên ngoài. Có hai loại cảm biến đã được sử dụng để
quan sát dạng sóng sét: cảm biến dòng điện và cảm biến điện áp. Các cảm biến điện
áp và dòng điện đo điện áp bộ cách điện và dạng sóng dòng điện của dây nối đất. Các
cảm biến được lắp tại 103 vị trí trên cùng khu vực. Hình 1 cho một cái nhìn tổng quan
về các điểm đo của cảm biến. Băng tần của các cảm biến là 250 Hz-250 kHz.
III. QUAN SÁT
Trong suốt 11 năm từ 1996 đến 2006, có 284 lần sét đánh được ghi nhận (62
lần trực tiếp và 222 lần gián tiếp), tất cả các trường hợp quan sát được trong mùa hè.
Vì vậy, nội dung thảo luận trong tài liệu này được giới hạn sét đánh vào mùa hè. Tỷ lệ
phóng điện tích cực trong thời gian đó là khoảng 1%.
A. Lỗi đường dây do sét đánh trực tiếp và gián tiếp.
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
4Tiểu luận tương thích điện từ

(5) Dây điện 1 (5%)
Vị trí khác 0 (0%)
Tỏng cộng 19 (100%)
(b)
B. Các điểm sét đánh trực tiếp
Dựa trên các bức ảnh chụp tia chớp trực tiếp, các điểm sét đánh đã được ước
tính và phân loại thành năm mẫu. Tất cả các kết quả suy ra được tóm tắt trong Bảng 1.
Sét đánh đến đỉnh cột được ghi nhận với tỷ lệ cao nhất dù có hay không có dây chống
sét (xem Bảng (a) và (b)) và sét đánh vào đường dây điện không có dây chống sét chỉ
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
6Tiểu luận tương thích điện từ
chiếm có 5%. Một báo cáo thử nghiệm cho thấy rằng sét có khả năng tấn công các dây
trần cao hơn so với dây có vỏ bọc do sự phóng điện theo hướng lên bị hạn chế do chất
cách điện [12]. Kết quả này chỉ ra khoảng cách sét đánh của dây dẫn cách điện nhỏ
hơn so với dây trần. Trong một số trường hợp không có dây chống sét, như trong
Bảng 1(b), mũ kim loại được trang bị ở đầu cột bê tông cốt thép - có thể ảnh hưởng
đến tỷ lệ sét trực tiếp tới đường dây điện. Trong các khu vực quan sát này, độ dài của
đường dây có dây chống sét là gấp 10 lần không có dây chống sét. Hình 3 cho thấy
một ví dụ về hình ảnh của sét đánh đỉnh cột không có dây chống sét.
Hình 3. Sét đánh trực tiếp đến một đỉnh cột không có dây chống sét.
C. Phân tích các trường hợp sét đánh trực tiếp
Việc quan sát dạng sóng tăng đột biến do sét đánh trực tiếp - nguyên nhân
chính của lỗi đường dây, được thực hiện bằng cách sử dụng chương trình quá độ điện
từ (EMTP) để dự đoán việc có hay không có sự phóng điện. Trong nghiên cứu trước
đây của chúng tôi [8], có đưa ra một ví dụ về sét đánh trực tiếp đỉnh cột điện để so
sánh giữa các dạng sóng quan sát được và tính toán. Hình 4 chỉ ra một ví dụ về điện
áp của lớp cách điện theo tính toán và theo kết quả quan sát, các mô hình phân tích chi
tiết có thể tham khảo tạo tài liệu [8], [13]. Khoảng cách giữa các điểm đo và khu vực
bị sét đánh là 57 m. Điện áp được tính bằng cách sử dụng mô hình phóng điện bề mặt
cho thấy sự sai lệch tại các đỉnh sóng bắt đầu vào khoảng 3 μs sau khi xảy ra hiện

nên khó khăn hơn.
2) Hình thành dòng quá áp:
Việc hình thành dòng quá áp cũng được đánh giá dựa trên việc quan sát dạng
sóng điện áp cách điện trong khoảng thời gian lên đến 20 ms - là một chu kỳ của tần
số điện áp (50 Hz). Điện áp điểm không trong thời gian này tại hai hoặc ba pha chứng
tỏ sự hình thành dòng quá áp – là nguyên nhân rơle quá dòng hoạt động tại trạm biến
áp.
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
9Tiểu luận tương thích điện từ
B. Tỷ lệ của phóng điện bề mặt
Trong số 62 dữ liệu được quan sát trực tiếp bằng camera, 56 lần sét đánh cùng
với dạng sóng điện áp đã được lựa chọn làm dữ liệu cho bản phân tích để dự đoán có
hình thành phóng điện bề mặt không. Các kết quả được thể hiện trong Bảng 2, sét
đánh gây ra phóng điện bề mặt ở 42 trường hợp (75%) trong số 56 trường hợp, và
phóng điện bề mặt ba pha chiếm tỷ lệ cao nhất (55%). Trong trường hợp phóng điện
hai pha, chỉ xảy ra ở pha R và T, có lẽ do điện áp tại pha S bị chặn so với các giai
đoạn khác do hiệu lực liên kết. Người ta ghi nhận rằng 25% lần sét trực tiếp không
gây phóng điện bề mặt, đây là một vấn đề đáng chú ý vì trước đó người ta cho rằng sét
trực tiếp chắc chắn gây ra phóng điện bề mặt do mức độ cách điện thấp.
Bảng 2 - Số lượng phóng điện bề mặt do sét đánh trực tiếp được quan sát
Số pha có phóng
điện bề mặt
Pha phóng điện
Số phóng điện được quan
sát (%)
Tỷ lệ (%)
3 pha R, S, T 31 (55%) 55%
2 pha
R, S 0 (0%)
9%S, T 0 (0%)

2 pha R, T
R, T 1 (3%) 1 (20%)
Không có
điện quá áp
4 (10%)
1 pha
R
Không có
điện quá áp
3 (8%)
T Không có 2 (5%)
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
10Tiểu luận tương thích điện từ
điện quá áp
Tổng cộng 40 100% 21 (53%)
C. Tỷ lệ của dòng quá áp
Hiện tượng dòng quá áp sau phóng điện nhiều pha gây ra hiện tượng chuyển
mạch trong một trạm biến áp. Sự hình thành dòng điện tại 40 trường hợp được xem
xét, kèm dạng sóng sét đo được lên đến 20 ms, trong đó dòng quá áp được ghi nhận
trong 42 trường hợp, tập hợp các dữ liệu sét đánh trực tiếp có phóng điện bề mặt được
ghi nhận trong bảng 2. Phỏng đoán nguyên nhân thu được kết quả khác nhau với các
dây dẫn khác nhau, pha S dường như là pha được bảo vệ tốt nhất trong ba pha bởi
tương thích điện từ với dây che chắn do có chiều dài ngắn nhất. Kết quả được thể hiện
trong Bảng 3 Không có dòng quá áp nào xảy ra sau khi có phóng điện một pha.
Nguyên nhân có lẽ là như sau: hầu hết các đường dây điện ở Nhật Bản sử dụng hệ
thống dây trung tính được cách điện. Nếu phóng điện bề mặt chỉ xảy ra trong một pha,
dòng quá áp sẽ bị triệt tiêu một cách tự nhiên do dòng nối đất. Dòng quá áp cũng được
ghi nhận sau khi có phóng điện bề mặt hai hoặc ba pha, cụ thể tỷ lệ dòng quá áp sau
phóng điện 2 pha là (20%), nhỏ hơn tỉ lệ dòng quá áp sau phóng điện 3 pha (67%).
Ngay cả khi dòng quá áp được tạo ra sau phóng điện bề mặt 3 pha (20 trường hợp),

Biên độ của dòng sét liên quan đến quá áp sét có thể ảnh hưởng đến xác suất
xảy ra lỗi đường dây. Hình 5 cho thấy tần số tích lũy của các biên độ dòng điện ước
tính bởi dữ liệu LPATS của từng loại phóng điện bề mặt. Hình 6 cho thấy tần số tích
lũy của dòng quá áp do những lần sét đánh trực tiếp quan sát được. Các loại phóng
điện bề mặt được ước tính dựa trên các dạng sóng điện áp liên quan. Trong những
hình trên, mỗi tập hợp các phân phối được vẽ bằng cách chọn dòng sét liên quan tới
các trường hợp cụ thể về các phóng điện bề mặt hoặc dòng quá áp. Không có dữ liệu
nào vượt quá 60 kA, và các phân phối này cho mức trung bình 25 kA, cho thấy hầu
như không có sự khác biệt đặc trưng nào so với các nghiên cứu trước đây [14], [15].
Trong hình 5, chỉ có 6 trường hợp của phóng điện bề mặt một pha. Vì vậy, chúng cần
được thu thập và phân tích để tìm ra các dòng điện sét tương quan, điện áp cao nhất
một cách rõ ràng trong tương lai. Cần lưu ý đến tính không chắc chắn của dữ liệu
LPATS. Một nghiên cứu thực nghiệm cho thấy rằng những cú đánh đầu tiên mang
điện tích âm ước tính bởi LPATS có xu hướng nhỏ hơn so với những giá trị cao nhất
đo được đặc biệt trong trường hợp những dòng điện có cường độ lớn hơn 40 kA [10],
[11]. Nhìn vào hình 4 và 5, biên độ dòng sét được suy ra bởi hệ thống LPATS có thể
đã đánh giá thấp giá trị thực tế. Một nghiên cứu báo cáo rằng biến đổi trung bình của
các dòng sét suy ra bởi hệ thống định vị sét (LLS) được ước tính là từ 20% đến 30%
[16]. Khoảng "20% -30%" độ bất định ở dòng đỉnh ước tính trong [16] là cho những
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
13Tiểu luận tương thích điện từ
cú sét tiếp sau mang điện âm ở những kênh sẵn có. Độ bất định càng lớn hơn trong
trường hợp những cú sét đầu tiên. Độ chính xác của dòng sét ước tính bởi hệ thống
LLS tương đương với độ chính xác khi tính qua LPATS trong nghiên cứu của chúng
tôi. Vì vậy, người ta cho là Hình 4 và 5 có thể được đánh giá với độ chính xác nói
trên.
B. Tác động của dây che chắn
Hình 7 cho thấy mối liên hệ với số lượng sét trực tiếp, phóng điện bề mặt nhiều
pha và lỗi đường dây với sự tồn tại của dây che chắn tại các điểm bị sét đánh. Khi các
dây che chắn đã được lắp đặt trên các đường dây, tỷ lệ xảy ra phóng điện bề mặt nhiều

trường hợp có hoặc không có phóng điện bề mặt, và trở kháng này được tính toán trên
cơ sở là 10 MVA. Đồ thị của cả hai trường hợp này gần giống nhau. Hình 11 thể hiện
sự phân bố tần số tích lũy của trở kháng theo mô hình dòng quá áp sau khi xảy ra
phóng điện bề mặt tại 3 pha, và từng trường hợp cho thấy sự phân bố tương ứng. Mối
tương quan giữa trở kháng và việc hình thành phóng điện bề mặt hoặc dòng quá áp
được dự đoán là yếu trong các đường dây.
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
15Tiểu luận tương thích điện từ
Hình 8.Góc pha của điện áp dòng khi phóng điện bề mặt được hình thành (dữ liệu
được vẽ cho từng loại). (a) phóng điện bề mặt 2 pha. (b) phóng điện bề mặt 3 pha.
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
16Tiểu luận tương thích điện từ
E. Ảnh hưởng của khoảng cách giữa các phần tử ZnO và vị trí sét đánh
Phân tích tiếp theo là về khoảng cách giữa một cực với phần tử ZnO, chẳng hạn
như một cột thu lôi và một điểm bị sét đánh. Hình 12 cho thấy sự phân bố tần số tích
lũy của khoảng cách giữa phần tử ZnO và điểm sét đánh. Trường hợp không có hiện
tượng phóng điện có khoảng cách ngắn hơn so với trường hợp có hiện tượng phóng
điện. Giá trị 50% sẽ tương ứng với khoảng cách 64 m trong trường hợp có phóng điện
và sẽ là 30 m khi không có phóng điện. Hình.13 cho thấy sự phân bố tần số tích lũy
của khoảng cách tới các dạng dòng điện quá áp sau khi xảy ra hiện tượng phóng điện
ở cả 3 pha. Khoảng cách sẽ có giá trị thấp hơn trong trường hợp không có dòng quá áp
so với trường hợp xuất hiện dòng quá áp, và khoảng cách đối với dòng điện 3 pha sẽ
lớn hơn dòng điện 2 pha. Những kết quả trên cho thấy khoảng cách giữa phần tử ZnO
và điểm sét đánh đóng một vai trò quyết định trong việc bảo vệ các đường dây điện
chống lại sét đánh trực tiếp, vì nó ảnh hưởng đến sự xuất hiện của hiện tượng phóng
điện cũng như dòng quá áp. Tuy nhiên, khoảng cách đo trong Hình 11 và 12 dường
như bao gồm cả các sai số kỳ vọng, nhiều nhất là 10 m, bằng cách đo từ hai hoặc
nhiều hướng.
F. Đánh giá các kết quả
Có thể sẽ xem xét lại kết quả trong một thời gian ngắn. Trong phần V, một số

sét đánh theo mô hình dòng quá áp sau khi có phóng điện trên 3 pha (xác suất tích lũy
được tính cho từng loại).
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
20Tiểu luận tương thích điện từ
VI. THIẾT BỊ CHỐNG SÉT TRONG CÁC HỆ THỐNG PHÂN PHỐI ĐIỆN
Các phân tích chỉ ra rằng phần tử ZnO có chức năng ngăn chặn sự hình thành
việc phóng điện và dòng quá áp tại các cực ngay cả khi không có phần tử ZnO.
Bảng 4: Đánh giá các yếu tố gây ảnh hưởng tới việc hình thành sự phóng điện bề mặt
và dòng quá áp
Yếu tố
Ảnh hưởng tới
sự phóng điện
Ảnh hưởng tới
Dòng quá áp
Dòng sét đánh Chưa chứng thực Chưa chứng thực
Dây che chắn Có ảnh hưởng Chưa chứng thực
Góc pha của tần số
điện áp đường dây
Phóng điện
2 pha
Chưa chứng thực -
Phóng điện
3 pha
Chưa chứng thực Có ảnh hưởng
Trở kháng giữa trạm biến áp và vị
trí bị sét đánh
Chưa chứng thực Chưa chứng thực
Khoảng cách giữa phần tử ZnO và
vị trí bị sét đánh
Có ảnh hưởng Có ảnh hưởng

không ảnh hưởng đến sự hình thành các lỗi trên đường dây như được đã được trình
bày ở trên.
VII. KẾT LUẬN
Tài liệu này tập trung nghiên cứu trường hợp sét đánh trực tiếp lên đường
truyền tải điện, và tiến hành các phân tích để làm rõ các yếu tố có thể ảnh hưởng đến
việc hình thành sự phóng điện và dòng quá áp do sét đánh trực tiếp.
Các kết quả khẳng định hai yếu tố gây ảnh hưởng đến sự phóng điện: sự tồn tại
dây che chắn tại điểm sét đánh, và khoảng cách giữa các phần tử ZnO và điểm sét
đánh. Việc hình thành dòng quá áp cũng như sự phóng điện được đánh giá dựa trên
khoảng cách giữa các phần tử ZnO và vị trí bị sét đánh, và xác nhận ảnh hưởng của
góc pha của tần số điện áp trong việc hình thành dòng quá áp tại 2 pha sau khi có hiện
tượng phóng điện trên 3 pha, trong khi không có mối liên hệ nào giữa góc pha và dòng
quá áp được xác nhận trong các trường hợp khác.
Kết luận được đưa ra là, từ những vấn đề đã được trình bày trên đây, một số
yếu tố có thể ảnh hưởng đến việc hình thành lỗi trên đường truyền tải điện và các thiết
bị chống sét, chẳng hạn như van chống sét và dây che chắn có hiệu quả để bảo vệ
đường dây phân phối điện chống lại sét đánh trực tiếp.
Trong tương lai, nhóm tác giả sẽ tiếp tục nghiên cứu thiết kế các thiết bị chống
sét cho đường dây phân phối điện bằng cách phân tích nhiều dữ kiện quan sát được
hơn và hoàn thiện phương pháp tính toán các lỗi xảy ra trên đường dây phân phối.
VIII. LỜI CẢM ƠN
Tác giả chân thành cảm ơn S. Amemiya của Tổng công ty Điện lực Tokyo,
người đã hợp tác và hỗ trợ rất nhiều trong quá trình thực hiện nghiên cứu này. Đồng
thời gửi lời cảm ơn tới sự hỗ trợ và hợp tác của các phòng ban liên quan, như bộ phận
phân phối điện của công ty.
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
22Tiểu luận tương thích điện từ
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] P. D. Kannu and M. J. Thomas, “Lightning induced voltages on multiconductor
power distribution line,” Inst. Elect. Eng. (IEE) Proc. Gener. Transm. Distrib., vol.

[12] Y. Hashimoto, S. Yokoyama, T. Yokota, and A. Asakawa, “Studies on
characteristics of lightning stroke distance to power distribution linesdischarge
GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương
23Tiểu luận tương thích điện từ
characteristics of open wire and insulated wire,” Trans Inst. Elect. Eng., Jpn, vol. 115-
B, no. 12, pp. 1508–1514, Dec. 1996.
[13] S. Sekioka, “Lightning-surge analysis model of reinforced concrete pole and
grounding lead conductor in distribution line,” presented at the Int. Workshop High
Voltage Eng., Sapporo, Japan, 2004.
[14] R. B. Anderson and A. J. Eriksson, “Lightning parameters for engineering
Application,” Int. Conf. on Large Electric High-Tension Systems (CIGRE) Electra,
no. 69, pp. 65–102, Mar. 1980.
[15] K. Berger, R. B. Anderson, and H Kroeninger, “Parameters of Lightning flashes,”
Int. Conf. on Large Electric High-Tension Systems (CIGRE) Electra, vol. 41, pp. 23–
27, Jul., 1975.
[16] K. L. Cummins, M. J. Murphy, E. A. Bardo, W. L. Hiscox, R. B. Pyle, and A. E.
Piper, “A combined TOA/MDF technology upgrade of the U. S. national lightning
detection network,” J. Geophysical Research, vol. 103, no. D8, pp. 9035–9044.
[17] J. Schoene, M. Uman, V. Rakov, A. Mata, C. Mata, K. Rambo, J. Jerauld, D.
Jordan, and G. Schnetzer, “Direct lightning strikes to test power distribution lines—
Part I: Experiment and overall results,” IEEE Trans. Power Del., vol. 22, no. 4, pp.
2236–2244, Oct. 2007.
[18] T. E. McDermot, T. A. Short, and J. G. Anderson, “Lightning protection of
distribution lines,” IEEE Trans. Power Del., vol. 9, no. 1, pp. 138–152, Jan. 1994.
Teru Miyazaki (M’07) được công
nhận là cử nhân, thạc sỹ kỹ thuật điện từ
chương trình đào tạo bằng tiếng Anh tại
trường Đại học Điện tử viễn thông,
Tokyo, Japan, các năm tương ứng 1995,
1997. Ông bảo vệ tiến sỹ năm 2008 tại

GVHD: PGS-TS Đào Ngọc Chiến Học viên: Đinh Thùy Hương