57

g. Phân cực tranzito bằng dòng emitơ (tự phân cực)
M
ạ
ch phân c
ự
c tranzito b
ằ
ng dòng emit
ơ
có d
ạ
ng nh
ư
hình 2.42.
Đ
i
ệ
n R
1,
R
2
t
ạ
o
thành m
ộ
t b
ộ

ắ
c n
ố
i ti
ế
p v
ớ
i c
ự
c emit
ơ
c
ủ
a tranzito có
đ
i
ệ
n áp r
ơ
i trên nó là U
E
= I
E
R
E

V
ậ
y: I
E

(2-77)
và r
ấ
t
ổ
n
đị
nh.
Để
ti
ệ
n cho vi
ệ
c phân tích ti
ế
p theo có th
ể
v
ẽ
s
ơ

đồ
t
ươ
ng
đươ
ng
c
ủ

Hình 2.43: Sơ đồ tương đương tĩnh
V
ấ
n
đề

ở

đ
ây là ph
ả
i ch
ọ
n R
1
và R
2
th
ế
nào
để

đả
m b
ả
o cho U
B

ổ
n

ự
phân c
ự
c c
ủ
a m
ạ
ch l
ạ
i t
ươ
ng t
ự
nh
ư
tr
ườ
ng h
ợ
p phân c
ự
c dòng c
ố

đị
nh.
Để
có U
B


ủ
a
m
ạ
ch
đủ
l
ớ
n thì R
1
và R
2
càng l
ớ
n càng t
ố
t.
Để
dung hòa hai yêu c
ầ
u mâu thu
ẫ
n này
trong th
ự
c t
ế
th
ườ
ng ch

. T
ổ
ng
đ
i
ệ
n áp r
ơ
i trong m
ạ
ch baz
ơ
b
ằ
ng:
U
B
= I
B
R
B
+ U
BE
+ (I
C
+ I
B
)R
E
(2-80)

B
+(h
21e
+ 1)R
E
] + U
BE
+ I
CO
(h
21e
+ 1) . R
E
(2-81)
Tr
ướ
c khi phân tích hãy chú ý là
đ
i
ệ
n áp U
BE
trong tr
ườ
ng h
ợ
p phân c
ự
c này
không th

n áp m
ộ
t chi
ề
u
ở

đầ
u vào c
ủ
a m
ạ
ch này
là U
B
. Trong h
ầ
u h
ế
t các tr
ườ
ng h
ợ
p U
B
nh
ỏ
h
ơ
n E

độ
l
ớ
n vào c
ỡ
U
B

cho nên không th
ể
b
ỏ
qua
đượ
c. S
ố
h
ạ
ng cu
ố
i cùng trong (2-81) ch
ứ
a I
CO
th
ườ
ng
đượ
c b
ỏ

i
ệ
n áp gi
ữ
a emit
ơ
và
đấ
t b
ằ
ng I
E.
R
E.

Dòng emit
ơ
I
E
= I
C
+ I
B
= (h
21e
+1)I
B
(b
ỏ
qua

.R
E
.
Đạ
i l
ượ
ng (h
21e
+1) là
đạ
i l
ượ
ng
không th
ứ
nguyên nên có th
ể
liên h
ệ
v
ớ
i I
B
t
ạ
o thành dòng (h
21e
+ 1) ho
ặ
c liên h

ng
đ
i
ệ
n áp
gi
ữ
a emit
ơ
và
đấ
t là
đ
i
ệ
n áp do dòng (h
21e
+1)I
B
r
ơ
i trên
đ
i
ệ
n tr
ở
R
E
hay do dòng I

c (2-81) có th
ể
b
ỏ
qua thì
bi
ể
u th
ứ
c này có th
ể
minh h
ọ
a b
ằ
ng s
ơ

đồ
t
ươ
ng
đươ
ng hình 2.44.
Ở

đ
ây
đ
i

t k
ỳ
m
ộ
t
đ
i
ệ
n kháng nào trong m
ạ
ch emit
ơ

đề
u có th
ể
bi
ế
n
đổ
i sang m
ạ
ch
baz
ơ
b
ằ
ng cách nhân nó v
ớ
i (h

(2-82)
T
ừ

đ
ó tính ra
đượ
c
I
CQ
= h
21e
.I
BQ
(2-83)

T
ừ
s
ơ

đồ
t
ươ
ng
đươ
ng hình 2.44 trong m
ạ
ch colect
ơ

n I
B
r
ấ
t nhi
ề
u l
ầ
n cho nên
ở

đ
ây có th
ể
b
ỏ
qua thành
ph
ầ
n
đ
i
ệ
n áp do I
B
gây ra trên R
E
. Nh
ư
v

c
đườ
ng t
ả
i t
ĩ
nh c
ủ
a m
ạ
ch phân c
ự
c b
ằ
ng
dòng emit
ơ
. N
ế
u dòng E
CQ
và U
CEQ
là dòng
đ
i
ệ
n và
đ
i

C
ă
n c
ứ
vào bi
ể
u th
ứ
c (2-88) có th
ể
tính
đượ
c
đ
i
ề
u ki
ệ
n phân c
ự
c t
ĩ
nh c
ủ
a
tranzito khi bi
ế
t h
ệ
s

, có th
ể
vi
ế
t l
ạ
i (2-
80)
ở
d
ạ
ng :
I
C
=
E
EBBBEB
R
)R(RI-U-U
+

Do
đ
ó
I
B
=
EB
B
C

i s
ẽ

đượ
c :

2EB
E
E
B
k
1
=
R+R
R
=
I
I
(2-90)
Theo
đị
nh ngh
ĩ
a c
ủ
a h
ệ
s
ố


ổ
n
đị
nh nhi
ệ
t ti
ế
n t
ớ
i c
ự
c ti
ể
u (
độ

ổ
n
đị
nh cao nh
ấ
t) khi
k
2
có giá tr
ị
nh
ỏ
nh
ấ

ố
t, và giá tr
ị
R
B
càng nh
ỏ
càng t
ố
t. H
ệ
s
ố
k
2
không bao gi
ờ

nh
ỏ
h
ơ
n 1, giá tr
ị
này ch
ỉ
d
ẫ
n t
ớ


ổ
n
đị
nh S ch
ỉ
có th
ể
gi
ả
m nh
ỏ
t
ớ
i gi
ớ
i h
ạ
n là 1. M
ộ
t nh
ậ
n xét
quan tr
ọ
ng n
ữ
a là h
ệ
s

61

Ở
trên
đ
ã nói v
ấ
n
đề
nâng cao
độ

ổ
n
đị
nh nhi
ệ
t c
ủ
a lo
ạ
i m
ạ
ch này b
ằ
ng cách
t
ă
ng R
E

ệ
n tr
ở
R
E.
T
ă
ng R
E
có ngh
ĩ
a là t
ă
ng ph
ả
n h
ồ
i âm do
đ
ó làm gi
ả
m tín
hi
ệ
u khu
ế
ch
đạ
i xoay chi
ề

ạ
i tr
ừ
ho
ặ
c gi
ả
m
nh
ỏ
tác d
ụ
ng ph
ả
n h
ồ
i âm
đố
i v
ớ
i tín hi
ệ
u xoay chi
ề
u (xem ph
ầ
n 2.3), do
đ
ó không
làm gi

i ch
ọ
n
đủ
l
ớ
n sao cho
đố
i v
ớ
i tín hi
ệ
u xoay chi
ề
u thì tr
ở
kháng c
ủ
a nó g
ầ
n nh
ư

b
ằ
ng 0, ng
ượ
c l
ạ
i v

m
ạ
ch phân c
ự
c khi bi
ế
t các
đ
i
ề
u
ki
ệ
n phân c
ự
c c
ũ
ng nh
ư
h
ệ
s
ố
khu
ế
ch
đạ
i c
ủ
a tranzito.

ng c
ủ
a nhi
ệ
t
độ

đế
n dòng U
BE
và h
ệ
s
ố
khu
ế
ch
đạ
i h
21e
.
Đố
i v
ớ
i c
ả

hai lo
ạ
i tranzito, làm t

ố
c
ủ
a tranzito silic công tác trong kho
ả
ng -
65˚C
đế
n +175˚C còn tranzito thì t
ừ
-63˚C
đế
n +75˚C. S
ự
khác nhau n
ữ
a là tr
ị
s
ố
I
CO
và U
BE
c
ủ
a tranzito silic và tranzito gecmani bi
ế
n thiên ng
ượ

ở
nh
ữ
ng nhi
ệ
t
độ
khác nhau.
Bảng 2 – 4 Giá trị điển hình của một tham số chịu ảnh hưởng của nhiệt độ
T
ừ
b
ả
ng 2- 4 có nh
ậ
n xét:
Ở
nhi
ệ
t
độ
phòng
đố
i v
ớ
i tranzito silic I
CO
ch
ỉ
c

độ

đế
n
đ
iêm công tác t
ĩ
nh c
ủ
a tranzito ch
ủ
y
ế
u thông qua U
BE
.
Để

kh
ắ
c ph
ụ
c
ả
nh h
ưở
ng này trên th
ự
c t
ế

ơ
nh
ư
hình 2.46. B
ằ
ng cách m
ắ
c nh
ư

v
ậ
y có th
ể
th
ấ
y r
ằ
ng s
ự
thay
đổ
i
đ
i
ệ
n áp thu
ậ
n trên 2 c
ự

này luôn
đượ
c phân c
ự
c
thu
ậ
n b
ở
i ngu
ồ
n E
DD
cho nên
đ
i
ệ
n tr
ở
thu
ậ
n c
ủ
a nó r
ấ
t nh
ỏ
. S
ơ


ượ
c l
ạ
i, t
ạ
i nhi
ệ
t
độ
phòng I
CO
khá l
ớ
n cho nên khi nhi
ệ
t
độ
thay
đổ
i
ả
nh h
ưở
ng c
ủ
a dòng I
CO

đế
n tham s

Ge
Si
Ge
Si
Ge
10
6
−

10
3
−

10
2
−

1
30
30
0.8
0.4
0.6
0.2
0.25
0.51
20
15
50
50

n vi
ệ
c gi
ả
m h
ệ
s
ố

ổ
n
đị
nh nhi
ệ
t
độ

S.
Qua b
ả
ng (2-4) trên
đ
ây có th
ể
th
ấ
y r
ằ
ng h
ệ

ệ
t
độ
, tranzito có cùng lo
ạ
i
ký hi
ệ
u (
đượ
c ch
ế
t
ạ
o nh
ư
nhau) nh
ư
ng h
ệ
s
ố
h
21e
c
ủ
a t
ừ
ng chi
ế

ể
m công tác t
ĩ
nh c
ủ
a
tranzito. B
ở
i v
ậ
y
để

ổ
n
đị
nh
đ
i
ể
m công tác t
ĩ
nh, ng
ườ
i thi
ế
t k
ế
ph
ả

ng s
ự
ph
ụ

thu
ộ
c c
ủ
a I
C
vào h
21e
, gi
ả
thi
ế
t r
ằ
ng các giá tr
ị
c
ủ
a U
CC
và R
t

đ
ã bi

là dòng
ứ
ng v
ớ
i
tr
ườ
ng h
ợ
p h
ệ
s
ố
khu
ế
ch
đạ
i h
21e1
và I
C2

ứ
ng v
ớ
i h
21e2
) tính
đượ
c :

c:
I
C
=
[ ][ ]
EeBEeB
EBeeBEB
RhRRhR
RRhhUU
)1()1(
))()((
221121
121221
++++
+
(2-94)
Đ
em chia bi
ể
u th
ứ
c (2-94) cho (2-92) s
ẽ

đượ
c bi
ể
u th
ứ
c cho s

ậ
n xét bi
ể
u th
ứ
c (2-95) th
ấ
y nó có ch
ứ
a s
ố
h
ạ
ng g
ầ
n gi
ố
ng nh
ư
bi
ể
u th
ứ
c
đị
nh
ngh
ĩ
a v
ề

2e211e21
1e212e21
1C
C
-
(2-96)
N
ế
u g
ọ
i S
2
là
độ

ổ
n
đị
nh nhi
ệ
t
độ
khi h
21e
= h
21e1
, thì (2-95) có th
ể
vi
ế

ch c
ủ
a h
21e
.
Bi
ể
u th
ứ
c (2-97) cho th
ấ
y s
ự
bi
ế
n
đổ
i dòng colect
ơ
ph
ụ
thu
ộ
c tr
ự
c ti
ế
p vào
độ
sai

ủ
a
đ
i
ệ
n tr
ở
c
ầ
n thi
ế
t gi
ữ
cho dòng I
C
bi
ế
n
đổ
i trong m
ộ
t ph
ạ
m vi nh
ấ
t
đị
nh khi h
21e
thay

i
ệ
n trong chúng do c
ả
hai lo
ạ
i h
ạ
t d
ẫ
n (
đ
i
ệ
n t
ử
và l
ỗ
tr
ố
ng t
ự
do) t
ạ
o nên, qua m
ộ
t h
ệ

th

ng d
ự
a trên nguyên lý hi
ệ
u
ứ
ng tr
ườ
ng,
đ
i
ề
u
khi
ể
n
độ
d
ẫ
n
đ
i
ệ
n c
ủ
a
đơ
n tinh th
ể
bán d

o ra. Công ngh
ệ
bán d
ẫ
n, vi
đ
i
ệ
n t
ử

càng ti
ế
n b
ộ
, FET càng t
ỏ
rõ nhi
ề
u
ư
u
đ
i
ể
m quang tr
ọ
ng trên hai m
ặ
t x

đ
i
ể
m quang tr
ọ
ng nh
ấ
t c
ả
u FET v
ề
c
ấ
u t
ạ
o, nguyên lý ho
ạ
t
độ
ng và
các tham s
ố

đặ
c tr
ư
ng
đố
i v
ớ

Hình 2.47: Cấu tạp JFET và ký hiệu quy ước
Hình 2.47a
đư
a ra m
ộ
t c
ấ
u trúc JFET ki
ể
u kênh n: trên
đế
tinh th
ể
bán d
ẫ
n Si-n
ng
ườ
i ta t
ạ
o xung quanh nó 1 l
ớ
p bán d
ẫ

ự
c c
ử
a G
(Gate). Nh
ư
v
ậ
y hình thành m
ộ
t kênh d
ẫ
n
đ
i
ệ
n lo
ạ
i n n
ố
i gi
ữ
a hai c
ự
c D và S, cách li
v
ớ
i c
ự
c c

t phát t
ừ

đế
bán d
ẫ
n lo
ạ
i p, ta có lo
ạ
i JFET kênh p
v
ớ
i các ký hi
ệ
u quy
ướ
c phân bi
ệ
t cho trên hình 2.47b.
Nguyên lý ho
ạ
t
độ
ng:
Để
phân c
ự
c JFET, ng
ườ

l
ạ
i, sao cho ti
ế
p giáp p-n bao quanh kênh d
ẫ
n luôn
đượ
c phân c
ự
c ng
ượ
c). Do tác
d
ụ
ng c
ủ
a các
đ
i
ệ
n tr
ườ
ng này, trên kênh d
ẫ
n xu
ấ
t hi
ệ
n 1 dòng

c máng I
D
. Dòng I
D
có
độ

l
ớ
n tu
ỳ
thu
ộ
c vào các giá tr
ị
U
DS
và U
GS
vì
độ
d
ẫ
n
đ
i
ệ
n c
ủ
a kênh ph

i
ệ
n áp khi gi
ữ
cho
Gate
G

Si-
n
D
Drain
S
Source
p
D
S
G -
Kênh n
D

S
G +
Kênh p